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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第152页 > KHB019N20F1
半导体
技术参数
概述
KHB019N20P1/F1/F2
N沟道MOS场
场效应晶体管
KHB019N20P1
A
O
C
F
E
G
B
Q
I
K
M
L
J
D
N
N
H
P
DIM毫米
_
9.9 + 0.2
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
1
2
3
这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良
雪崩特性。它主要适用于DC / DC转换器
和开关式电源。
特点
V
DSS
= 200V ，我
D
=19A
漏源电阻值：R
DS （ ON）
=0.18
Qg(typ.)=35nC
@V
GS
= 10V
15.95 MAX
1.3+0.1/-0.05
_
0.8 + 0.1
_
3.6 + 0.2
_
2.8 + 0.1
3.7
0.5+0.1/-0.05
1.5
_
13.08 + 0.3
1.46
_
1.4 + 0.1
_
1.27 + 0.1
_
2.54 + 0.2
_
4.5 + 0.2
_
2.4 + 0.2
_
9.2 + 0.2
1.门
2.漏
3.源
P
Q
最大额定值（TC = 25
)
等级
TO-220AB
特征
符号
KHB019N20F1单位
KHB019N20P1
KHB019N20F2
200
30
19
12.1
76
250
14
4.5
140
1.12
150
-55 150
50
0.4
19*
12.1*
76*
mJ
D
KHB019N20F1
A
F
C
B
栅源电压
@T
C
=25
漏电流
@T
C
=100
脉冲（注1）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt
（注3）
耗电
耗散
Tc=25
减免上述25
V
GSS
I
D
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
j
T
英镑
V
O
漏源电压
V
DSS
V
E
暗淡
MILLIMETERS
A
K
L
M
J
R
mJ
V / ns的
Q
1
N
N
H
2
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
Q
R
_
10.16
+
0.2
_
15.87
+
0.2
_
2.54
+
0.2
_
0.8
+
0.1
_
3.18
+
0.1
_
3.3
+
0.1
_
12.57
+
0.2
_
0.5
+
0.1
13.0 MAX
_
3.23
+
0.1
1.47 MAX
1.47 MAX
_
2.54
+
0.2
_
6.68
+
0.2
_
4.7
+
0.2
_
2.76
+
0.2
W
W/
G
1.门
2.漏
3.源
最高结温
存储温度范围
热特性
TO- 220IS （1）
KHB019N20F2
A
C
F
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结点到
环境
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
0.89
0.5
62.5
2.5
-
62.5
/W
S
/W
/W
P
E
G
B
暗淡
MILLIMETERS
*：漏电流受最高结温。
K
L
L
R
J
引脚连接
D
M
D
D
N
N
H
G
1
2
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
_
10.0
+
0.3
_
15.0
+
0.3
_
2.70
+
0.3
0.76+0.09/-0.05
_
Φ3.2
+
0.2
_
3.0
+
0.3
_
12.0
+
0.3
0.5+0.1/-0.05
_
13.6
+
0.5
_
3.7
+
0.2
1.2+0.25/-0.1
1.5+0.25/-0.1
_
2.54
+
0.1
_
6.8
+
0.1
_
4.5
+
0.2
_
2.6
+
0.2
0.5 TYP
Q
1.门
2.漏
3.源
S
TO-220IS
2007. 5. 10
版本号： 0
1/7
KHB019N20P1/F1/F2
电气特性（ TC = 25
特征
)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
符号
STATIC
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
排水截止电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
BV
DSS
BV
DSS
/ T
j
I
DSS
V
th
I
GSS
R
DS （ ON）
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
I
D
= 250 A，参考25
V
DS
=200V, V
GS
=0V,
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 30V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=9.5A
200
-
-
2
-
-
-
0.18
-
-
-
0.14
-
-
10
4
100
0.18
V
V/
A
V
nA
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
反向传输电容
输出电容
源极 - 漏极二极管评级
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
V
GS
＆ LT ; V
th
I
SP
V
SD
t
rr
Q
rr
I
S
= 19A ，V
GS
=0V
I
S
= 19A ，V
GS
=0V,
DIS / DT = 100A / S
-
-
-
-
-
-
215
2
76
1.5
-
-
V
ns
C
-
-
19
A
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
=100V
R
L
=5
R
G
=25
(Note4,5)
-
-
-
-
-
130
75
900
213
80
270
160
1170
277
104
pF
V
DS
= 160V ，我
D
=19A
V
GS
=10V
(Note4,5)
-
-
-
-
-
35
4.8
18
12
33
44
-
-
30
70
ns
nC
注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。
注2 ） L = 1MH ，我
S
= 19A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25 ，起始物为
j
=25
注3 ）I
S
19A ， di / dt的
200A/
, V
DD
300
注4 ）脉冲测试：脉冲宽度
，占空比
2%.
.
BV
DSS
，起始物为
j
=25 .
注5 ）基本上是独立的工作温度。
2007. 5. 10
版本号： 0
2/7
KHB019N20P1/F1/F2
Fig1 。我
D
- V
DS
V
GS
TOP ： 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
1
10
5.0 V
底部： 4.5 V
Fig2 。我
D
- V
GS
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
10
1
150
C
25
C
-55
C
10
0
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
栅 - 源电压V
GS
(V)
Fig3 。 BV
DSS
- TJ
归一化的击穿电压BV
DSS
1.2
0.8
图四。
DS （ ON）
- I
D
ON - 电阻r
DS （ ON）
()
V
GS
= 0V
I
DS
= 250
1.1
0.6
1.0
0.4
V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
0.9
0.2
0.8
-100
-50
0
50
100
150
0.0
0
10
20
30
40
50
60
结温Tj （ C）
漏电流I
D
(A)
Fig5 。我
S
- V
SD
3.0
Fig6 。
DS （ ON）
- TJ
V
GS
= 10V
I
DS
= 9.5V
反向漏电流I
S
(A)
10
1
归一化导通电阻
1.2
1.6
2.0
2.4
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
10
0
150 C
25 C
10
-1
0.0
0.4
0.8
0.0
-100
-50
0
50
100
150
源 - 漏极电压V
SD
(V)
结温Tj （ C）
2007. 5. 10
版本号： 0
3/7
KHB019N20P1/F1/F2
Fig7 。 - VDS
5000
4500
4000
频率= 1MHz的
Fig8 。 Qg- VGS
12
栅 - 源电压V
GS
(V)
I
D
= 19A
V
DS
= 160V
V
DS
= 100V
V
DS
= 40V
10
8
6
4
2
0
0
10
电容（pF）
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
10
-1
10
0
10
1
CRSS
科斯
西塞
20
30
40
漏 - 源极电压V
DS
(V)
门 - 电荷Qg （ NC）
Fig9 。安全工作区
(KHB019N20P1)
10
2
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
Fig10 。安全工作区
（ KHB019N20F1 ， KHB019N20F2 ）
10
2
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
100s
10
s
10
1
1ms
10ms
10
1
100
s
1毫秒
10
0
TC = 25
C
T
j
= 150
C
-1
单一不重复的脉冲
10
DC
10
0
TC = 25
C
T
j
= -150
C
单一不重复的脉冲
0
10毫秒
DC
1
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
10
10
2
漏 - 源极电压V
DS
(V)
漏 - 源极电压V
DS
(V)
Fig11 。我
D
- T
j
20
漏电流I
D
(A)
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
结温Tj （ C）
2007. 5. 10
版本号： 0
4/7
KHB019N20P1/F1/F2
Fig12 。瞬态热响应曲线
归一化瞬态热阻
10
0
Duty=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
0.02
0.01
10
-2
10
-5
单脉冲
- 占空比，D = T
1
/t
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
时间（秒）
Fig13 。瞬态热响应曲线
归一化瞬态热阻
10
0
Duty=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
P
DM
0.02
t
2
单脉冲
10
-2
0.01
- 占空比，D = T
1
/t
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-5
10
-4
时间（秒）
2007. 5. 10
版本号： 0
5/7
半导体
技术参数
概述
KHB019N20P1/F1
N沟道MOS场
场效应晶体管
KHB019N20P1
这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良
雪崩特性。它主要适用于DC / DC转换器
和开关式电源。
A
O
C
F
E
G
B
Q
I
特点
V
DSS
= 200V ，我
D
=19A
漏源电阻值：R
DS （ ON）
=0.18
Qg(typ.)=35nC
@V
GS
= 10V
K
M
L
J
D
N
N
P
H
1
2
3
DIM毫米
_
9.9 + 0.2
A
15.95 MAX
B
1.3+0.1/-0.05
C
_
D
0.8 + 0.1
_
E
3.6 + 0.2
_
F
2.8 + 0.1
3.7
G
H
0.5+0.1/-0.05
1.5
I
_
13.08 + 0.3
J
K
1.46
_
1.4 + 0.1
L
_
1.27+ 0.1
M
_
2.54 + 0.2
N
_
4.5 + 0.2
O
_ 0.2
2.4 +
P
_
9.2 + 0.2
Q
最大额定值（TC = 25
特征
漏源电压
栅源电压
@T
C
=25
漏电流
@T
C
=100
脉冲（注1）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt
（注3）
耗电
耗散
Tc=25
减免上述25
)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
j
T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
140
1.12
150
-55 150
0.89
0.5
62.5
2.5
-
62.5
/W
/W
/W
19
12.1
76
250
14
4.5
50
0.4
等级
KHB019N20P1 KHB019N20F1
200
30
19*
12.1*
76*
F
1.门
2.漏
3.源
单位
V
V
KHB019N20F1
TO-220AB
A
A
C
mJ
mJ
O
E
G
P
B
V / ns的
K
W
L
W/
D
M
M
J
Q
最高结温
存储温度范围
热特性
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结点到
环境
H
DIM毫米
_
10.16 + 0.2
A
_
15.87 + 0.2
B
_
C
2.54 + 0.2
_
D
0.8 + 0.1
_
E
3.18 + 0.1
_
F
3.3 + 0.1
_
12.57 + 0.2
G
+ 0.1
0.5 _
H
J
13.0 MAX
_
K
3.23 + 0.1
L
1.47 MAX
_
2.54 + 0.2
M
_
N
+ 0.2
4.7
_
O
6.68 + 0.2
P
6.5
_
Q
2.76 + 0.2
N
1
2
3
1.门
2.漏
3.源
*：漏电流受最高结温。
TO-220IS
D
G
S
2006. 2. 20
版本号： 1
1/7
KHB019N20P1/F1
电气特性（ TC = 25
特征
)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
符号
STATIC
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
排水截止电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
BV
DSS
BV
DSS
/ T
j
I
DSS
V
th
I
GSS
R
DS （ ON）
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
I
D
= 250 A，参考25
V
DS
=200V, V
GS
=0V,
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 30V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=9.5A
200
-
-
2
-
-
-
0.18
-
-
-
0.14
-
-
10
4
100
0.18
V
V/
A
V
nA
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
反向传输电容
输出电容
源极 - 漏极二极管评级
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
I
SP
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
＆ LT ; V
th
I
S
= 19A ，V
GS
=0V
I
S
= 19A ，V
GS
=0V,
DIS / DT = 100A / S
.
-
-
-
-
-
-
-
-
215
2
19
76
1.5
-
-
A
V
ns
C
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
=100V
R
L
=5
R
G
=25
(Note4,5)
V
DS
= 160V ，我
D
=19A
V
GS
=10V
(Note4,5)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
35
4.8
18
12
33
130
75
900
213
80
44
-
-
30
70
270
160
1170
277
104
pF
ns
nC
注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。
注2 ） L = 1MH ，我
S
= 19A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25 ，起始物为
j
=25
注3 ）I
S
19A ， di / dt的
200A/
, V
DD
300
注4 ）脉冲测试：脉冲宽度
，占空比
2%.
BV
DSS
，起始物为
j
=25 .
注5 ）基本上是独立的工作温度。
2006. 2. 20
版本号： 1
2/7
KHB019N20P1/F1
I
D
- V
DS
V
GS
TOP ： 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
1
10
5.0 V
底部： 4.5 V
I
D
- V
GS
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
10
1
150
C
25
C
-55
C
10
0
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
栅 - 源电压V
GS
(V)
BV
DSS
- TJ
归一化的击穿电压BV
DSS
0.8
V
GS
= 0V
I
DS
= 250
R
DS （ ON）
- I
D
ON - 电阻r
DS （ ON）
()
1.2
0.6
1.1
0.4
V
GS
= 10V
1.0
V
GS
= 20V
0.2
0.9
0.8
-100
0.0
0
-50
0
50
100
150
10
20
30
40
50
60
结温Tj （ C）
漏电流I
D
(A)
I
S
- V
SD
反向漏电流I
S
(A)
3.0
R
DS （ ON）
- TJ
V
GS
= 10V
I
DS
= 9.5V
10
1
归一化导通电阻
1.2
1.6
2.0
2.4
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
10
0
150 C
25 C
-1
10
0.0
0.4
0.8
源 - 漏极电压V
SD
(V)
0.0
-100
-50
0
50
100
150
结温Tj （ C）
2006. 2. 20
版本号： 1
3/7
KHB019N20P1/F1
- VDS
5000
4500
4000
频率= 1MHz的
Qg- VGS
12
栅 - 源电压V
GS
(V)
I
D
= 19A
V
DS
= 160V
V
DS
= 100V
V
DS
= 40V
10
8
6
4
2
0
0
10
电容（pF）
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
10
-1
10
0
10
1
CRSS
科斯
西塞
20
30
40
漏 - 源极电压V
DS
(V)
门 - 电荷Qg （ NC）
安全工作区
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
安全工作区
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
10
2
10
2
100s
10
s
10
1
1ms
10ms
10
1
100
s
1毫秒
10
0
DC
10
0
TC = 25
C
T
j
= -150
C
单一不重复的脉冲
10毫秒
DC
2
TC = 25
C
T
j
= 150
C
10
-1
单一不重复的脉冲
10
0
10
1
10
2
10
-1 0
10
10
1
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
(KHB019N20P1)
漏 - 源极电压V
DS
(V)
(KHB019N20F1)
I
D
- T
j
20
漏电流I
D
(A)
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
结温Tj （ C）
2006. 2. 20
版本号： 1
4/7
KHB019N20P1/F1
R
th
{KHB019N20P1}
归一化瞬态热阻
10
0
Duty=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
10
-2
10
-5
单脉冲
- 占空比，D = T
1
/t
2
T
J（下最大）
- T
c
- R
thJC
=
P
D
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
方波脉冲持续时间（秒）
R
th
{KHB019N20F1}
归一化瞬态热阻
Duty=0.5
10
0
0.2
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
10
-1
0.02
0.01
10
-2
- 占空比，D = T
1
/t
2
T
J（下最大）
- T
c
- R
thJC
=
P
D
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-5
10
-4
方波脉冲持续时间（秒）
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KBU1504
KTLP3617
K6X1008C2D-GB55
KPY64AG
KSA636
KTK-R-25
KHAU-17D12L-24
KTN2907AE
KT872T11
KD621K30
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KU401B1/8
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