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KH231
快速稳定，宽带缓冲器/放大器（AV = ± 1 ± 5 ）
特点
s
s
s
s
s
s
概述
该KH231缓冲器/放大器是宽带业务
放大器专门用于高速设计的，低
增益应用。该KH231是基于当前
反馈运算放大器拓扑结构，独特的设计，既
消除了增益带宽的权衡和许可
前所未有的高速性能。 （参见下表）。
该KH231缓冲器/放大器是理想的设计替代方案
原产于低精度的开环缓冲器和oscillation-
易常规运算放大器。该KH231提供精确的
从± 1.000上涨到± -5.000和线性度是一个
真正的0.1 ％ - 即使要求苛刻的50Ω负载。开环
缓冲液，在另一方面，提供的标称增益
0.95 ±0.03和只有3％为典型负载线性度。
缓冲区的建立时间可能看起来令人印象深刻，但它是
通常不切实际的大负载电阻指定
可用距离或者当热尾的效果是不
包括;该KH231缓冲器/放大器稳定到0.05 ％
在为15ns ，而驾驶一个100Ω的负载。
偏移和漂移，一般在惯例上一个低优先级
tional高速运算放大器的设计，并没有忽视
在KH231 ;输入偏移电压通常为1mV
输入失调电压漂移仅为10μV / ℃。该
KH231是稳定和振荡的无整个
增益范围，并因为它的内部补偿，在
用户保存设计要外接的麻烦
补偿网络，其“调整”出来的
生产。由于没有增益带宽与贸易
关中KH231允许表现被预测
轻松;下表显示了如何将带宽是
的影响，通过改变增益设定得很少。
该KH231采用薄膜电阻器/双极建成
晶体管的技术，并且是在下面的可用
版本：
该KH231采用薄膜电阻器/双极建成
晶体管技术，并可以在这些版本：
KH231AI
KH231AK
KH231AM
-2
-5
单位
兆赫
ns
V / ns的
ns
165MHz的闭环 - -3dB带宽
15ns的沉降至0.05 ％
1mV的输入偏移电压， 10μV /°C的漂移
100mA输出电流
出色的交流和直流线性度
直接替代CLC231
应用
s
s
s
s
闪存驱动A / D转换器
精密线路驱动
（增益为2取消配对，线损）
DAC电流 - 电压转换
低功耗，高速应用（ 50毫瓦@ ± 5V ）
小信号脉冲响应
输出电压（ 400mV的/ DIV ）
A
v
= 2
A
v
= -2
时间（为5ns /格）
底部视图
I
CC
调整
例
地
GND
7
调整-V
CC
8
9
-V
CC
V+ 6
10
K
供应
电压
非反相
输入
反相
输入
不
连接的
集热器
供应
产量
+
V- 5
NC 4
3
例
地
GND
2
4
4
-
11 V
o
12
+V
CC
集热器
供应
1
供应
电压
调整+ V
CC
I
CC
调整
销2和8被用于调节供电电流或调整摘
定电压（见正文） 。这些引脚通常悬空。
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
典型性能
增益设置
参数
1
2
5
-1
-3dB带宽
180 165 130
上升时间（ 2V ）
1.8 2.0 2.5
压摆率
2.5 3.0 3.0
稳定时间（至0.1 ％ ） 12 12 12
165 150 115
2.0 2.2 2.9
3.0 3.0 3.0
12 12 15
KH231HXC
KH231HXA
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
12引脚TO- 8可
12引脚TO- 8就可以了，功能
老化&气密试验
12引脚TO- 8就可以了，
环保
筛选和电
测试MIL -STD- 883
SMD ＃ ： 5962-8959401HXC
SMD ＃ ： 5962-8959401HXA
REV 。 2004年一月1A
数据表
KH231
KH231电气特性
(T
A
= + 25 ° C，A
v
= +2V, V
CC
= ± 15V ，R
L
= 100, R
f
= 250Ω ;除非另有说明）
参数
环境温度
环境温度
频域响应
-3dB带宽（注2 ）
大信号带宽
增益平坦度（注2 ）
高峰
高峰
滚降
群时延
线性相位偏差
反向隔离
非反相
反相
时间域响应
上升和下降时间
建立时间，以0.05％的
到0.1％
冲
压摆率（输入过载）
过载恢复
<50ns脉冲， 200％的超速
条件
KH231AI
KH231AK/AM/HXC/HXA
V
o
≤2V
pp
V
o
≤10V
pp
V
o
≤2V
pp
0.1 50MHz的
>50MHz
在100MHz
100MHz的
100MHz的
典型值
+25°C
+25°C
165
95
0.1
0.1
0.4
3.5 ± 0.5
0.5
53
36
2V步骤
10V步
5V步骤
2.5V步
5V步骤
<1误差（％）
120
-55
-59
-153
70
1
10
5.0
50
10
125
50
46
18
400
1.3
5, 37
±12
–
<-47
<-47
<-150
<100
<4.0
<25
<29
<125
<31
<200
>45
>40
<22
>100
<2.5
–
>±11
–
<-47
<-47
<-150
<100
<2.0
<25
<21
<125
<15
<200
>45
>40
<22
>200
<2.5
–
>±11
–
<-47
<-47
<-150
<100
<4.5
<25
<31
<125
＆ LT ; 35
<200
>45
>40
<22
>400
<2.5
–
>±11
ns
dBc的
dBc的
dBm(1Hz)
μVRMS
mV
μV/°C
A
NA / ℃，
A
NA / ℃，
dB
dB
mA
k
pF
,
nH
V
OR
HD2
HD3
SNF
INV
VIO
dVio
IBN
DIbn
揖斐
DIBI
PSRR
CMRR
ICC
凛
CIN
RO
VO
2.0
5.0
15
12
5
3.0
MIN &最大额定值
-25°C
-55°C
>145
>80
<0.6
<1.5
<0.6
–
<2.0
>43
>26
<2.4
<7.0
–
<22
<15
>2.5
+25°C
+25°C
>145
>80
<0.3
<0.3
<0.6
–
<2.0
>43
>26
<2.3
<6.5
–
<17
<10
>2.5
+85°C
+125°C
>120
>60
<0.6
<0.8
<1.0
–
<2.0
>43
>26
<2.7
<6.5
–
<22
<15
>1.8
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
ns
°
dB
dB
ns
ns
ns
ns
%
V / ns的
SSBW
FPBW
GFPL
GFPH
GFR
GD
LPD
里尼
RIIN
TRS
TRL
TS
TSP
OS
SR
单位
符号
噪声和失真响应
二阶谐波失真
为0dBm ， 20MHz的
3次谐波失真
为0dBm ， 20MHz的
等效输入噪声
本底噪声
>5MHz
综合噪声
5MHz至200MHz的
静电， DC性能
*输入偏移电压
平均温度系数
*输入偏置电流
平均温度系数
*输入偏置电流
平均温度系数
*电源抑制比
共模抑制比
*电源电流
其他性能
非反相输入电阻
非反相输入端电容
输出阻抗
输出电压范围
非反相
反相
空载
DC
@ 100MHz的
空载
最小/最大额定值是根据产品特性和仿真。如指出的各个参数进行测试。即将离任的质量水平
从测试的参数决定。
绝对最大额定值
V
CC
I
o
共模输入电压V
o
差分输入电压
热阻
结温
工作温度
储存温度
引线温度（焊接10秒）
注1 ：
*
±20V
±100mA
（见V
cm
和V
o
第3页上的限制图）
±3V
（见热模型）
+175°C
AI ： -25°C至+ 85°C
AK / AM ： -55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+300°C
推荐工作条件
V
CC
I
o
共模输入电压
增益范围
注3 ：
-5V TO -15V
±75mA
±(|V
CC
| -5)V
-1至-5
注4 ：
注2 ：
AI / AK / AM / HXC / HXA 100 ％ ，在+ 25°C测试
AK / AM / HXC / HXA
在+ 25° C和样品经过100％测试
在-55°C测试和+ 125°C
AI
在+ 25 ℃下的样品进行测试
在测试中使用的输出振幅是0.63V
pp
。性能
保证上市的条件。
在同相配置，护理时，应采取
选择
i
时，输入阻抗设定电阻;偏见
通常5μA的电流，但高达24μA可以创建一个
输入信号大到足以引起过载。因此，它是
建议R
i
＆ LT ; （V
CC
/A
v
)/24A.
这些评分防止损坏输入级
引起的输入或输出级中的饱和度
低电压，以及对超过晶体管
集电极 - 发射极击穿收视率很高的电源电压。
V
输出（最大）
通过假设不输出饱和计算。
饱和度允许发生最多的这个计算的电平
V
OUT
. V
cm
被定义为在所述非反相的电压
输入引脚6 。
REV 。 2004年一月1A
2
数据表
KH231
手术
该KH231缓冲器/放大器是基于当前馈
回到运算放大器拓扑结构，使用当前馈设计
背面而不是通常的电压反馈。
使用KH231的是基本上相同的
常规运算放大器（参见图1和图2）。自从
器件的低增益应用而设计的，
当使用此电路时获得的最佳性能
在在± 1和± 5收益。此外，性能
最佳时250Ω反馈电阻。
型PC板和方法。插座具有体积小，短
针插座可以以最小的性能使用
降解尽管不推荐它们的使用。
在印刷电路板的布局使所有走线短而直
R的电阻体
g
应尽可能地靠近
管脚5至该点处最小化电容。对于
同样的理由，从附近除去接地平面
销5和6。在其他方面，使用尽可能多的接地平面
尽可能在板的一侧。它是特别
重要的是提供用于电流的接地返回路径，从
负载电阻器的电源旁路电容器。
0.01 0.1μF的陶瓷电容（短引线）
应小于0.15英寸从引脚1和9 。
较大的钽电容应放置在一个
寸这些引脚。 V
CC
连接销10和12
可以直接从销9和1，但更好的供应作出
排斥反应和稳定时间，如果他们是得到
分别绕过如在图1和2，为了防止
引起从阻抗反射信号失真
不匹配，使用终止微带线或同轴线
当信号必须经过超过几英寸。
由于印刷电路板构成的这样一个重要的组成部分
电路中，大量的时间可以节省，如果的原型板
任何高频部分是建立在早期测试
设计阶段。评估板设计为两种
反相或非反相增益可供选择。
失真和噪声
截点的曲线，我
2
我
3
，与
频接下页上可以很容易地预测
给定的输出电压失真在任何频率
该KH231 。首先，转换的输出电压（V
o
）到V
RMS
= (V
pp
/ 2√2 ），然后于P = [（ 10log
10
(20V
RMS
2
） ] ，以获得
输出功率，单位为dBm 。在感兴趣的频率，它的第二
谐波将是S
2
= (I
2
下面P.它的水平-P ）分贝
三次谐波将是S
3
= 2(I
3
- P ）低于P分贝，也将在
双音三阶互调产物。这些
近似值是P < -1dB压缩级别非常有用。
近似的噪声系数可以为确定
KH231采用的等效输入噪声图
前一页。下列等式可用于
确定噪声系数（F ）以dB为单位。
2
i
n
R
f 2
2
V
n
+
A
v2
F
=
10log
1
+
4kTR
s
f
+15V
3.9
33
0.1
6
1
12
11
10
3,7
9
.01
Capactance在
F
V
in
R
i
49.9
R
g
+
-
KH231
5
V
o
250
R
L
100
-15V
3.9
33
0.1
.01
A
v
=
1+
R
f
R
g
R
f
= 250
图1 ：推荐的非反相增益电路
+15V
3.9
33
0.1
100
R
g
6
1
12
11
10
3,7
9
.01
Capactance在
F
+
-
KH231
5
V
o
250
R
L
100
V
in
R
i
-15V
3.9
33
0.1
.01
R
f
A
v
=
R
g
R
f
= 250
Z的
in
= 50Ω ，选择
R
g
|| R
i
= 50
图2 ：推荐反相增益电路
布局的注意事项
以保证最佳的性能，用户应遵循
它最大限度地减少不必要的良好的布局做法
的节点之间的信号耦合。在最初的面包......
该电路的登机使用直接点对点布线，
保持导线长度为小于0.25“ 。利用
实，完整的地平面是有帮助的。避免绕线
4
其中，V
n
为RMS噪声电压和I
n
为RMS噪声
电流。超出了曲线的断点（即，其中
他们是平的） ，宽带噪声系数等于点噪声图 -
URE ，所以
f
应该等于一（1）和v
n
我
n
应
直接读出的曲线图。下面的断点，噪声
必须集成和
f
设置为适当的带宽。
REV 。 2004年一月1A
KH231
数据表
失调电压调整
如果输入偏移电压的微调（Ⅴ
os
= V
ni
-V
in
）是
需要的话， 10K的电阻值1MΩ之间放置
销8和9将造成V
os
变得更负由
8mV的分别为0.2mV 。同样，一个电阻放置
引脚1和2之间会引起V
os
，成为更
积极的。
散热注意事项
高温环境下或大型内部电源
耗散，散热能力必须保持
可接受的结温。使用热
模型前面的页确定结对
温度。可用于多种风格散热片
TO- 8封装;在THERMALLOY 2240和2268顷好
例子。一些散热片径向翅片类型，
涵盖了印刷电路板和外部可能会干扰
组件。一个很好的解决这个问题的方法是
使用表面安装的电阻器和电容器。他们
有一个非常低调，切实提高高
高频性能。对于使用这些散热片与
常规组件， 0.1“高垫片可以插入
在TO- 8封装，以便有足够的间隙。
T
例
100°C/W
T
J（下PNP ）
P
PNP
100°C/W
T
J（下NPN ）
P
NPN
17.5
°
C / W
T
J（下电路）
P
电路
+
-
T
环境
θ
ca
θ
ca
=为无散热片在静止空气中的KH231 65 ° C / W 。
用于与韦克菲尔德215热KH231 30℃ / W的
沉在静止空气中。
用于与韦克菲尔德215热KH231 10℃ / W的
宿在300英尺/分钟的空气。
用于与THERMALLOY 2240A的KH231 30℃ / W的
在静止空气中的散热片。
用于与THERMALLOY 2240A的KH231 5℃ / W的
在500英尺/分钟空气的散热片。
例如，与KH231工作在±15V ，而
驱动100Ω负载15V
pp
输出（ 50％占空比
脉冲波形，DC = 0 ），P
（ NPN ）
= P
（ PNP）
= 190MW （R
COL
= 33 ）和P
（CIR）
= 0.48W 。然后与韦克菲尔德
215的散热器和300英尺的空气流/分钟的输出
晶体管'T
j
28 ° C以上的环境温度和最坏的情况牛逼
j
in
该电路的其余部分是32 ℃，高于环境。在静止的空气中，
然而，上升T中
j
45 ° C和49 ° C，分别。
由于没有散热片，兴起T中
j
75 ° C和79 ° C，
分别！根据大多数情况下，
注意散热
所需。
可用于散热的其它方法，但对于
最好的结果，使与KH231的基极接触
包中，使用热容量大的散热片，并使用
强制空气对流。
低V
CC
操作：电源电流调整
该KH231设计为在电源供电低至
± 5V 。为了提高全带宽以降低的支持
帘布层的电压，电源电流（I
CC
）必须增加。
带宽与V的情节
CC
，示出了短的效果
荷兰国际集团的引脚1和2和引脚8和9;这将增加两个
带宽和电源电流。应注意，以
不超过最高结温;为了这
原因这个技术不应该与耗材使用
超过± 10V 。为Ⅴ的中间值
CC
,
引脚1和2和引脚8和9之间的外部电阻
都可以使用。
P
（电路）
= (I
CC
)((+V
CC
) – (V
CC
） ）其中I
CC
= 16毫安在± 15V
P
(xxx)
= [(±V
CC
) – V
OUT
– (I
COL
) (R
COL
+ 4)] (I
COL
） （ ％占空比）
正V
o
和V
CC
这是在npn型功率
装置。对于负V
o
和V
CC
这是在电源
PNP设备。
I
COL
= V
o
/R
L
或4mA时以较高者为准。 （包括馈
回到R在R
L
.)
R
COL
是一个电阻（ 33Ω推荐）之间的XXX
收藏家和±V
CC
.
为输出电流和电压的限制因素是结
温度。次要的是我
（下）
，这
应不超过150mA电流。
T
J（下PNP ）
= P
（ PNP）
(100 +
θ
ca
) + (P
（CIR）
+ P
（ NPN ）
)(θ
ca
) + T
a
,
类似的对于T
J（下NPN ）
.
T
J（下CIR ）
= P
（CIR）
(48 +
θ
ca
) + (P
（ PNP）
+ P
（ NPN ）
)(θ
ca
) + T
a
.
REV 。 2004年一月1A
5
QQ：2881677436 复制
