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E2Q0040-38-71
电子元器件
这个版本： 1998年7月
上一版本： 1998年1月
KGF1322
电子元器件
KGF1322
功率场效应管（陶瓷封装类型）
概述
该KGF1322 ，装在一个陶瓷封装具有集成散热片，是一个离散的超高频频带
功率场效应管，具有高效率，高输出功率，低电流操作。该
KGF1322规格都保证一个固定的匹配电路的5.8 V和850 MHz的;
外部阻抗匹配电路也需要。由于其高效率，高
输出功率（大于33 dBm的） ，和低的热电阻， KGF1322是一个理想的
发射机 - 末级放大器，用于个人手持电话，诸如数字蜂窝电话。
特点
高输出功率： 33 dBm的（分钟）
高效率： 60 ％ （分钟）
低热阻： 12 ℃/ W（典型值）。
包装： 3PHTP
包装尺寸
1.7
±
0.2
0.5±0.05
4.7±0.15
5.9最大
4.5±0.15
0.63±0.15
1.1±0.15
3.1±0.15
0.125±0.05
2.3±0.05
3.3±0.15
7.3±0.15
（单位：毫米）
包装材料
引线框架材料
针治疗
板厚
Al
2
0
3
的Fe- Ni-Co合金
镍/金镀层
金： 1.0
mm
以上
3.5±0.05
1/6
电子元器件
KGF1322
记号
(1)
(2)
K1322
X X X X
产品名称
批号
每月批号
(3)
生产月
(1-9,X,Y,Z)
生产年份
（最低位）
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
电路
Drain(3)
Gate(1)
Source(2)
2/6
电子元器件
KGF1322
绝对最大额定值
项
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
合计
T
ch
T
英镑
条件
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = TC = 25℃
—
—
单位
V
V
A
W
°C
°C
分钟。
—
–6.0
—
—
—
–45
马克斯。
10
0.4
3
5
150
125
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 漏极漏电
漏极 - 源极漏电流
漏电流
栅极 - 源极截止电压
输出功率
漏EF网络效率
热阻
符号
I
GSS
I
GDO
I
DS （关闭）
I
DSS
V
GS （ OFF ）
P
O
h
D
R
th
条件
V
GS
= –6 V
V
GD
= –16 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= –6 V
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 4毫安
(*1), P
IN
= 22 dBm的
(*1), P
IN
= 22 dBm的
渠道情况
单位
mA
mA
mA
A
V
DBM
%
° C / W
分钟。
—
—
—
2.0
–3.6
33.0
60
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
12
马克斯。
0.1
0.5
1.5
—
–2.6
—
—
—
* 1条件： F = 850兆赫，V
DS
= 5.8 V，I
DSQ
= 240毫安
3/6
电子元器件
KGF1322
射频特性
4/6
电子元器件
典型的S参数
KGF1322
V
DS
= 5.8 V，I
DS
= 240毫安
频率（MHz ）， MAG （S
11
） ANG （S
11
）， MAG （S
21
） ANG （S
21
）， MAG （S
12
） ANG （S
12
）， MAG （S
22
） ANG （S
22
)
500.0
600.0
700.0
800.0
900.0
1000.0
1100.0
1200.0
1300.0
1400.0
1500.0
1600.0
1700.0
1800.0
1900.0
2000.0
2100.0
2200.0
2300.0
2400.0
2500.0
2600.0
2700.0
2800.0
2900.0
3000.0
0.941
0.939
0.939
0.937
0.937
0.935
0.933
0.932
0.930
0.930
0.926
0.925
0.920
0.921
0.915
0.916
0.913
0.909
0.907
0.904
0.903
0.900
0.897
0.895
0.891
0.887
–151.20
–157.04
–161.53
–165.06
–167.96
–170.53
–172.69
–174.68
–176.46
–178.20
–179.81
178.70
177.39
175.86
174.46
173.22
171.70
170.64
169.24
167.93
166.79
165.54
164.25
163.01
161.64
160.49
3.945
3.325
2.878
2.542
2.273
2.052
1.869
1.731
1.602
1.501
1.406
1.322
1.256
1.181
1.132
1.077
1.036
0.992
0.953
0.918
0.887
0.853
0.830
0.799
0.781
0.755
95.29
90.96
86.91
83.63
80.53
77.50
75.04
72.26
70.02
67.31
64.99
62.62
60.34
58.29
55.93
53.69
51.72
49.37
47.61
45.18
43.47
41.07
39.39
37.42
35.16
33.63
0.032
0.033
0.034
0.035
0.035
0.036
0.037
0.038
0.038
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0.041
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0.045
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0.047
0.048
0.049
0.051
0.051
0.053
0.053
0.054
0.053
24.38
23.33
22.90
22.86
23.33
23.14
23.63
23.81
24.52
24.26
24.96
25.06
25.40
25.57
25.34
25.63
25.70
25.35
25.72
25.16
25.17
24.40
23.73
23.10
21.96
22.01
0.697
0.699
0.702
0.702
0.704
0.702
0.703
0.703
0.703
0.702
0.702
0.700
0.701
0.698
0.698
0.698
0.696
0.696
0.693
0.693
0.686
0.689
0.685
0.688
0.686
0.693
–176.88
–178.02
–178.91
–179.73
179.81
178.93
178.55
177.88
177.60
176.77
176.48
175.79
175.46
174.77
174.66
173.77
173.63
172.90
172.71
172.00
171.74
171.27
171.07
170.79
170.71
170.54
5/6
E2Q0040-38-71
电子元器件
这个版本： 1998年7月
上一版本： 1998年1月
KGF1322
电子元器件
KGF1322
功率场效应管（陶瓷封装类型）
概述
该KGF1322 ，装在一个陶瓷封装具有集成散热片，是一个离散的超高频频带
功率场效应管，具有高效率，高输出功率，低电流操作。该
KGF1322规格都保证一个固定的匹配电路的5.8 V和850 MHz的;
外部阻抗匹配电路也需要。由于其高效率，高
输出功率（大于33 dBm的） ，和低的热电阻， KGF1322是一个理想的
发射机 - 末级放大器，用于个人手持电话，诸如数字蜂窝电话。
特点
高输出功率： 33 dBm的（分钟）
高效率： 60 ％ （分钟）
低热阻： 12 ℃/ W（典型值）。
包装： 3PHTP
包装尺寸
1.7
±
0.2
0.5±0.05
4.7±0.15
5.9最大
4.5±0.15
0.63±0.15
1.1±0.15
3.1±0.15
0.125±0.05
2.3±0.05
3.3±0.15
7.3±0.15
（单位：毫米）
包装材料
引线框架材料
针治疗
板厚
Al
2
0
3
的Fe- Ni-Co合金
镍/金镀层
金： 1.0
mm
以上
3.5±0.05
1/6
电子元器件
KGF1322
记号
(1)
(2)
K1322
X X X X
产品名称
批号
每月批号
(3)
生产月
(1-9,X,Y,Z)
生产年份
（最低位）
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
电路
Drain(3)
Gate(1)
Source(2)
2/6
电子元器件
KGF1322
绝对最大额定值
项
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
合计
T
ch
T
英镑
条件
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = TC = 25℃
—
—
单位
V
V
A
W
°C
°C
分钟。
—
–6.0
—
—
—
–45
马克斯。
10
0.4
3
5
150
125
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 漏极漏电
漏极 - 源极漏电流
漏电流
栅极 - 源极截止电压
输出功率
漏EF网络效率
热阻
符号
I
GSS
I
GDO
I
DS （关闭）
I
DSS
V
GS （ OFF ）
P
O
h
D
R
th
条件
V
GS
= –6 V
V
GD
= –16 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= –6 V
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 4毫安
(*1), P
IN
= 22 dBm的
(*1), P
IN
= 22 dBm的
渠道情况
单位
mA
mA
mA
A
V
DBM
%
° C / W
分钟。
—
—
—
2.0
–3.6
33.0
60
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
12
马克斯。
0.1
0.5
1.5
—
–2.6
—
—
—
* 1条件： F = 850兆赫，V
DS
= 5.8 V，I
DSQ
= 240毫安
3/6
电子元器件
KGF1322
射频特性
4/6
电子元器件
典型的S参数
KGF1322
V
DS
= 5.8 V，I
DS
= 240毫安
频率（MHz ）， MAG （S
11
） ANG （S
11
）， MAG （S
21
） ANG （S
21
）， MAG （S
12
） ANG （S
12
）， MAG （S
22
） ANG （S
22
)
500.0
600.0
700.0
800.0
900.0
1000.0
1100.0
1200.0
1300.0
1400.0
1500.0
1600.0
1700.0
1800.0
1900.0
2000.0
2100.0
2200.0
2300.0
2400.0
2500.0
2600.0
2700.0
2800.0
2900.0
3000.0
0.941
0.939
0.939
0.937
0.937
0.935
0.933
0.932
0.930
0.930
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0.925
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0.921
0.915
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0.913
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0.907
0.904
0.903
0.900
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0.895
0.891
0.887
–151.20
–157.04
–161.53
–165.06
–167.96
–170.53
–172.69
–174.68
–176.46
–178.20
–179.81
178.70
177.39
175.86
174.46
173.22
171.70
170.64
169.24
167.93
166.79
165.54
164.25
163.01
161.64
160.49
3.945
3.325
2.878
2.542
2.273
2.052
1.869
1.731
1.602
1.501
1.406
1.322
1.256
1.181
1.132
1.077
1.036
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0.953
0.918
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0.853
0.830
0.799
0.781
0.755
95.29
90.96
86.91
83.63
80.53
77.50
75.04
72.26
70.02
67.31
64.99
62.62
60.34
58.29
55.93
53.69
51.72
49.37
47.61
45.18
43.47
41.07
39.39
37.42
35.16
33.63
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0.033
0.034
0.035
0.035
0.036
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0.038
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0.051
0.053
0.053
0.054
0.053
24.38
23.33
22.90
22.86
23.33
23.14
23.63
23.81
24.52
24.26
24.96
25.06
25.40
25.57
25.34
25.63
25.70
25.35
25.72
25.16
25.17
24.40
23.73
23.10
21.96
22.01
0.697
0.699
0.702
0.702
0.704
0.702
0.703
0.703
0.703
0.702
0.702
0.700
0.701
0.698
0.698
0.698
0.696
0.696
0.693
0.693
0.686
0.689
0.685
0.688
0.686
0.693
–176.88
–178.02
–178.91
–179.73
179.81
178.93
178.55
177.88
177.60
176.77
176.48
175.79
175.46
174.77
174.66
173.77
173.63
172.90
172.71
172.00
171.74
171.27
171.07
170.79
170.71
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