MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
MuxOneNAND
TM
规范
密度
1Gb
2Gb
产品型号
KFM1G16Q2M-DEB5
KFN2G16Q2M-DEB5
V
CC
（核心& IO）
1.8V(1.7V~1.95V)
1.8V(1.7V~1.95V)
温度
EXTENDED
EXTENDED
PKG
63FBGA(LF)
63FBGA(LF)
版本：版本。 1.0
日期： 2005年5月17日
1
MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
1.0
介绍
该规范包含了三星电子公司MuxOneNAND信息
，闪存产品系列。
第1.0节包括概述，修订历史记录，以及产品订购信息。
第2.0节描述了MuxOneNAND设备。第3.0节提供了有关设备操作的信息。电气规格
和时序波形中第4.0 ，虽然6.0 。第7.0节提供了额外的应用程序和有关技术说明
使用MuxOneNAND的。包装尺寸被发现在第8.0节
信息在本文档提供有关三星产品，
并随时更改，恕不另行通知。
本条中的任何文件应当解释为授予任何许可，
明示或暗示，被禁止的或其他方式，
任何知识产权权利三星的产品或技术。所有
信息在本文档提供
作为"AS IS"基础不承担任何声明或保证。
1.对于更新或有关三星产品的更多信息，请联系您最近的三星办公。
2.三星的产品不得用于生命支持，重症监护，医疗，安全设备，或者类似用途
应用产品故障可能导致人身或人身伤害，或任何军事或损失
国防应用，或任何政府采购到特殊条款或规定可能适用。
MuxOneNAND
，是三星电子公司的注册商标，公司的其它名称及商标属于各自所有者的财产
他们的合法拥有者。
版权
2005年，三星电子公司，有限公司
2
MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
1.1
修订历史
文档标题
MuxOneNAND
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
首次发行。
1.更正勘误表
2.增加了数据保护方案在掉电
3. ECC说明修订。
4.增加阅读的同时加载和写在程序框图。
5.修订和补充OTP描述。
6.增加了写保护说明
7.增加了多块擦除操作注意事项
8.增加了NAND阵列存储器映射
在系统配置寄存器9 RDY的conf位加。
10.控制器状态寄存器被修改。
11.新增DC / AC参数
12.修订OTP区域分配
13.增加了解决的程序操作
14.新增INT指导
15.新增重置说明。
16.修正状态标志
1.更新了一个新的格式都说明
草案日期
2003年12月3日
2004年5月19日
备注
草案
ADVANCE
0.2
0.3
2004年11月4日
初步
初步
1.更正勘误表
2005年1月10日
2.修改ISB典型值从50uA的降至10uA
3.修订ISB从为100uA至50uA的最大值
4.修改后擦除电流TBD
5.修订TCE ， TAA和TACC的最大值从70ns的为76ns
6.修订的VCC- IO描述
7.修订备用区的描述
8.新增版本ID注册信息
在控制器状态寄存器9.增加了额外的信息
10.增加了相关的命令来中断状态寄存器的位
在3.4.3章11.修改后写保护状态
12.修回写程序操作说明
13.增加了复制回程序操作使用随机数据输入
14.添加了额外的信息，多块擦除操作
15.禁用FBA限制在OTP操作
16.修正缓存中读取流程图
17.新增DQ6切换的章节3.13位信息
对DDP 18.新增ISB信息
19.修正复位参数说明
20.增加了异步写操作时序图
在热复位时序图21.添加RDY信息
22.增加了数据保护时间在掉电信息
23.增加了触发位时序异步读取时序图
24.修正中断引脚上升和下降的斜率曲线图
25.加限制的双重操作地址寄存器设置
26.加限制的高速缓存读操作地址寄存器设置
27.增加了技术说明
3
MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
修订历史
修订历史号
0.4
1.更正勘误表
2.更新DC参数的RMS值
3.修正热复位时序图
4.增加INT电容信息
5.增加速度信息订购信息
6.增加引导顺序中的技术说明
7.修订OTP程序和锁定流程图
在第5.5章8.修订tOEZ描述
9.修正TASO价值为10ns
IOBE = 1 10.前增加RDY和INT引脚的行为
11.新增擦除挂起和恢复信息的多块擦除
12.增加了我
LI
我
LO
在遮打4.3 DDP值
1.更正勘误表
2.增加了数据保护流程。
3.删除缓存中读取操作。
4.增加了对命令寄存器的更多信息。
5.修正中断状态寄存器的信息。
6.增加INT引脚的原理图。
7.改变tPGM1到205 320us ， tPGM2到220 350us 。
8.修订的AC / DC参数
9.修正ECC绕道说明
10.修正参数复位和时序图。
FL灰内存
草案日期
2005年2月28日
备注
初步
1.0
五月。 17，2005
最终科幻
4
MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
1.2
闪存产品类型选择
三星提供了各种闪存解决方案，包括NAND闪存， MuxOneNAND的
和NOR闪存。三星提供闪存产品
这两个组件和各种卡格式，包括RS - MMC ， MMC ， CF卡， SM卡和。
要确定哪个三星闪存产品解决方案最适合你的应用程序，请参阅该产品选择表。
应用程序需要
快速随机读取
快速的连续读
快写/编程
多块擦除
擦除挂起/恢复
回拷
锁定/解锁/锁定紧
ECC
可扩展性
三星闪存产品
NAND
MuxOneNAND
（最多64块）
（ EDC）的
外部（硬件/软件）
（ ECC ）
国内
X
NOR
1.3
订购信息
F M 1G 6 1 Q 2米 - D E B 5
速度
5 ： 54MHz的
6 ： 66MHz的
产品线desinator
B：包括坏块
D：菊花样品
工作温度范围
E =扩展级温度。 （ -30
°C
85
°C)
包
D： FBGA （无铅）
VERSION
第一代
页面架构
2 ： 2KB页
三星
MuxOneNAND MEM-
设备类型
M：单芯片
N：双芯片
密度
1G ：1GB
2G ：2GB
组织
X16组织
工作电压范围
问： 1.8V （ 1.7 V至1.95V ）
5
QQ：2880707522 复制
