OneNAND512/OneNAND1GDDP
FL灰内存
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OneNAND闪存
，是三星电子公司的注册商标，公司的其它名称及商标属于各自所有者的财产自己
失主。
版权
2005年，三星电子公司，有限公司
2
OneNAND512/OneNAND1GDDP
文档标题
OneNAND闪存
FL灰内存
修订历史
修订历史号
0.0
0.0.1
首次发行。
草案日期
2004年1月7日
备注
初步
初步
1.添加"Invalid块management"和"Error管理，读取和2004年1月29日
写operation"
2.添加在解决了程序操作的限制。
3.添加异步写入并锁定异步写模式时序
图。
在异步写模式4.Define新参数。
-tCH1 ：为10ns ， TCH2 ：为0ns
1.添加的双重运行图。
2.添加块替换图
1.编辑块替换图
2.添加3.3V的产品。
1.排除缓存程序操作
2.添加了说明下面的操作
- 。重置
- 。写保护
- 。突发读取延迟
- 。双操作
- 。无效块定义和鉴别方法
- 。在读或写操作错误
- 。 ECC
3.修订程序顺序
4.一些AC参数改变。
TACH ： 9ns - >7ns ，传统文化表现形式： 7ns的 - >9ns ， tAAVDS ：为5ns - >7ns
TDS ： 30ns的 - >10ns ， TDH ：为0ns - >4ns
5.定义新的AC参数。
tAWES （在异步写模式AVD低的情况下，地址保持时间）
分钟。为0ns
1.更正勘误
封装焊球节距进行修正。
0.5毫米--> 0.8毫米
2.编辑爆裂的时序图读环绕（图23,24）
2004年1月30日
0.0.2
初步
0.0.3
2004年2月3日
初步
0.1
Feb.11 ， 2004年
初步
0.1.1
Mar.9 ， 2004年
初步
0.2
0.3
1. 2.7V器件的规格被添加。
1. 3.3V器件的规格被删除。
2.修正了一些错别字。
2004年3月22日
2004年3月31日
初步
初步
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
文档标题
OneNAND闪存
FL灰内存
修订历史
修订历史号
0.4
1.更正勘误表
详细2.增加了备份的分配信息
3.增加NAND阵列存储器映射
4.增加了制造商ID为CS为00ECh
5.增加步进编号为CS版本ID寄存器
中断状态寄存器由温，热复位6分的默认状态，并
冷复位
7.修正负荷运行流程图
8.修改后的方案操作流程图
在复制回操作9.删除DBS设置步骤
10.新增OTP介绍
11.修订OTP加载和程序流程图
12.新增INT指导
13. ECC说明修订
14.增加了数据保护方案在掉电
15.新增DC / AC参数
草案日期
2004年6月22日
备注
初步
1.0
1.删除2.7V产品
2004年8月5日
2.增加了2.65V的产品
在3.3V的产品3.增加了3.3V的产品和工业温度
4.删除解锁/锁定BootRAM命令
在复制回操作5.增加DBS设置步骤
6.增加2.65V / 3.3V直流参数
从9ns到7ns的7修传统文化表现形式
8.删除TOEH异步读取操作
9.修正由每各主，备用4次在一个页面的2倍NOP
每个扇区
10.修订的写保护状态描述
11.新增DDP的选择和操作指导
12.新增1Gb的DDP设备ID
在冷复位操作13.新增INT位状态
在所有的流输入命令之前14动了中断寄存器的设置
图表
15.修双操作图
16.新增和修订的异步读操作时序图
17.修改了异步写操作时序图
18.增加了TREADY参数热复位操作
1.修改待机电流为DDP
1.更正DDP设备ID
2.排除商业级温度范围
3.修订冷复位时序图
4.增加了CE和RDY在热复位图
5.排除写入，同时装载和读取，而程序运行
6.修订扩展温度最小值为-25 -30
7.修正典型TOTP ， TLOCK从300US为600us
8.修订最大TOTP ， TLOCK从600us到1000US
9.修订ICC4 ， ICC5测试条件
10.增加了耐用性和数据保留
2004年8月26日
2004年10月26日
最终科幻
1.1
1.2
最终科幻
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
文档标题
OneNAND闪存
FL灰内存
修订历史
修订历史号
1.3
1.删除厂商ID为ES
2.排除误码情况下负荷运转
3.修订TWEA从最大值到最小
4.修订TRD1典型的从35us到40US值
5.修订TRD2典型的从75us到85us值
6.增加了技术说明的OneNAND闪存启动顺序
不在乎模式7.修订Asycnchronous读时序图CE
不在乎模式8.修订异步写时序图CE
对于CE 9.修正载入操作时序图不在乎模式
草案日期
2004年12月16日
备注
最终科幻
1.4
2005年6月15日
在开始的时候1.增加了著作权声明
2.更正勘误表
3.更新ICC2 ， ICC4 ， ICC5 ， Icc6我
SB
4.修正INT引脚说明
制造商ID寄存器与00ECh 5.更改默认
6.移除"or擦除情况下，来自WB， EB的描述，请参考表3"
7.新增OTP擦除的情况下注意
的中断状态寄存器8.修订病例定义
9.添加了注释命令寄存器
10.新增ECClogSector信息表
11.删除“数据单元为基础的数据处理” ，从设备的说明
手术
在暖/热/ NAND闪存内核复位12.修订说明
13.修正热复位时序
14.修订说明4-， 8-，16- ， 32 -字线突发模式
15.修订OTP操作说明
16.恢复早期的文字OTP编程
17.增加了补充解释ECC操作
18.替换"read"与"load"在ECC绕行
从ECC旁路操作19.删除多余森泰斯
20.增加了技术说明的INT引脚连接指南
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
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