OneNAND128
FL灰内存
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OneNAND闪存
，是三星电子公司的注册商标，公司的其它名称及商标属于各自所有者的财产自己
失主。
版权
2005年，三星电子公司，有限公司
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OneNAND128
文档标题
OneNAND闪存
FL灰内存
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
1.首次发行。
1.更正勘误表
2.修订冷复位
3.增加TSOP1包装信息
4.修订FBGA封装类型
5.增加67FBGA包装信息
6.修正典型TOTP ， TLOCK从300US为600us
7.修订最大TOTP ， TLOCK从600us到1000US
8.删除所有的锁座，锁紧所有的块操作
9.增加了耐用性和数据保留
10.修正数据加载到缓冲区操作顺序
11.修正热复位
12.修订可编程突发读取延迟时序图
13.改进多块擦除流程图
14.修正扩展工作温度
在开始的时候1.增加了著作权声明
2.更正勘误表
3.更新ICC2 ， ICC4 ， ICC5 ， Icc6我
SB
4.修正INT引脚说明
5.增加OTP擦除的情况下注意
的中断状态寄存器6.修订病例定义
7.添加了注释命令寄存器
8.新增ECClogSector信息表
9.删除“数据单元为基础的数据处理” ，从设备的说明
手术
在暖/热/ NAND闪存内核复位10.修订说明
11.修改后热复位时序
12.修订说明4-， 8-，16- ， 32 -字线突发模式
13.修订OTP操作说明
14，补充说明了OTP
L
在内部寄存器复位
15.删除了所有的块锁定默认情况下，冷或热复位后，
16.添加说明在保护模式下每个禁止的情况下
17.修正在多块擦除书写其他命令的情况下，
常规
18，补充说明了擦除挂起/恢复
19.增加了补充解释ECC操作
从ECC操作ECC错误20.删除分类
从ECC旁路操作21.删除多余森泰斯
22.增加了技术说明的引导顺序
23.增加了技术说明的INT引脚连接指南
从异步读表24.排除TOEH
不在乎模式25.修正Asycnchronous读时序图CE
不在乎模式26.修正异步写时序图CE
对于CE 27.修正载入操作时序图不在乎模式
草案日期
2004年9月9日
2004年10月28日
备注
ADVANCE
ADVANCE
1.0
2005年6月15日
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
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OneNAND128
1.产品特点
设计技术： 0.12μm
电源
- 1.8V器件（ KFG2816Q1M ） ： 1.7V 1.95V
- 2.65V设备（ KFG2816D1M ） ： 2.4V 2.9V
- 3.3V器件（ KFG2816U1M ） ： 2.7V 3.6V
组织
- 主机接口： 16位
内部BufferRAM （ 3K字节）
- 1KB的BootRAM ， 2KB的DataRAM
NAND阵列
- 页面大小： （ 1K + 32 ）字节
- 块大小（ 64K + 2K ）字节
FL灰内存
架构
性能
主机接口类型
- 同步突发读
：时钟频率：高达54MHz的
：线性突发 - 4 ， 8 ， 16 ， 32个字有环绕式
：连续顺序突发（ 512字）
- 异步随机读
： 76ns的存取时间
- 异步随机写入
可编程只读延迟
多扇区读
- 读取多个部门按行业计数寄存器（最多2个扇区）
多种复位
- 冷复位/热复位/热启动/ NAND闪存复位
功耗（典型值，C
L
=30pF)
- 待机电流： 10uA@1.8V设备， 15uA@2.65V/3.3V设备
- 同步突发读取电流（ 54MHz的） ： 12mA@1.8V设备， 20mA@2.65V/3.3V设备
- 负载电流： 20mA@1.8V设备， 20mA@2.65V/3.3V设备
- 程序电流： 20mA@1.8V设备， 20mA@2.65V/3.3V设备
- 擦除电流： 15mA@1.8V设备， 18mA@2.65V/3.3V设备
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
硬件特性
电压检测器产生从Vcc内部复位信号
硬件复位输入（ RP ）
数据保护
- 写保护模式BootRAM
- 写保护模式NAND闪存阵列
- 在上电期间写保护
- 在掉电写保护
用户控制的一次性可编程（ OTP ）区域
内部2位EDC / ECC 1位
内部的Bootloader引导支持解决方案系统
软件特点
握手功能
- INT引脚：表示就绪/忙的OneNAND的
- 轮询方法：提供了检测的OneNAND的Ready / Busy状态软件的方法
通过ID寄存器芯片的详细信息
包装
包
- 67ball ，采用7mm x 9毫米X最大1.0mmt ，球间距为0.8mm FBGA
- 48 TSOP 1 ，12毫米X 20毫米， 0.5mm间距
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OneNAND128
2.概述
FL灰内存
OneNAND闪存是采用NAND闪存阵列的标准NOR闪存接口的单芯片芯片。此装置由逻辑和
NAND闪存阵列和3KB内部BufferRAM 。 1KB BootRAM用于贮留的启动代码，并且2KB DataRAM用于缓冲的
化工e圈数据。工作时钟频率高达54MHz的。此设备是X16接口与主机，并且有 76ns随机速度
访问时间。其实，这是最小的4clock延迟（主机驱动的时钟同步读）访问，但该装置采用
合适的等待周期由可编程读取延迟。 OneNAND闪存提供多扇区读操作通过分配num-
要读入的扇区计数寄存器扇区误码率。该器件包括一个块大小的OTP （一次性可编程） ，这
可以用来提高系统的安全性，或提供识别能力。
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