【半导体技术参数概述这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优】,IC型号KF7N60F,KF7N60F PDF资料,KF7N60F经销商,ic,电子元器件-51电子网

半导体

技术参数

概述

这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速

开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良

雪崩特性。它主要适用于有源功率因数

校正和开关式电源。

特点

DSS

= 600V ，我

=7A

·漏源

导通电阻：

DS （ ON）

（ MAX）= 1.2Ω @V

=10V

·QG （典型值） =

19nC

KF7N60P/F

N沟道MOS场

场效应晶体管

KF7N60P

DIM毫米

9.9 + 0.2

15.95 MAX

1.3+0.1/-0.05

0.8 + 0.1

3.6 + 0.2

2.8 + 0.1

3.7

0.5+0.1/-0.05

1.5

13.08 + 0.3

1.46

1.4 + 0.1

1.27 + 0.1

2.54 + 0.2

4.5 + 0.2

2.4 + 0.2

9.2 + 0.2

最大额定值

(Tc=25℃)

等级

特征

漏源电压

栅源电压

=25℃

漏电流

=100℃

脉冲（注1）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

重复性雪崩能量

（注1 ）

峰值二极管恢复的dv / dt

（注3）

耗电

耗散

Tc=25℃

减免上述25 °

英镑

符号

KF7N60P

DSS

GSS

dv / dt的

108

0.87

150

-55½150

210

4.5

44.6

0.36

600

±30

20*

单位

KF7N60F

1.门

2.漏

3.源

TO-220AB

KF7N60F

V / ns的

W/℃

℃

暗淡

MILLIMETERS

最高结温

存储温度范围

热特性

热阻，结到外壳

热阻，

结到环境

thJC

thJA

1.15

62.5

2.8

62.5

℃/W

1.门

2.漏

3.源

10.16

0.2

15.87

0.2

2.54

0.2

0.8

0.1

3.18

0.1

3.3

0.1

12.57

0.2

0.1

0.5

13.0

0.5

3.23

0.1

1.47 MAX

2.54

0.2

6.68

0.2

4.7

0.2

2.76

0.2

*：漏电流受最高结温。

TO- 220IS （1）

引脚连接

2010. 11. 23

版本号： 0

1/7

KF7N60P/F

电气特性

(Tc=25℃)

特征

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

STATIC

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

排水截止电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏源导通电阻

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

DSS

GSS

DS （ ON）

=250μ V

=0V

= 250μ参考25 ℃

=600V, V

=0V

, I

=250μ

=±30V, V

=0V

= 10V ，我

=3.5A

600

2.5

0.65

0.95

4.5

±100

1.2

V/℃

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管评级

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

＆ LT ; V

= 7.0A ，V

=0V

= 7.0A ，V

=0V,

dIs/dt=100A/μ

320

3.1

1.4

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

=25V, V

= 0V ， F = 1.0MHz的

=300V

=7A

=25

(Note4,5)

= 480V ，我

=7A

=10V

(Note4,5)

4.4

900

100

7.5

注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。

注2 ） L = 8mH ，我

= 7A ，V

= 50V ，R

= 25Ω ，起始物为

=25℃.

注3 ）I

≤7.0A,

DI / dt≤100A / ，V

ΔBV

DSS

，起始物为

=25℃.

注4 ）脉冲测试：脉冲宽度

≤

300 ，占空比

≤

2%.

注5 ）基本上是独立的工作温度。

记号

KF7N60

001

KF7N60

001

产品名称

批号

2010. 11. 23

版本号： 0

2/7

KF7N60P/F

Fig1 。我

- V

100

=30V

=10V

Fig2 。我

- V

漏电流I

(A)

=6V

漏电流I

(A)

100

=5V

0.1

100

-1

漏 - 源极电压V

(V)

栅 - 源电压V

(V)

Fig3 。 BV

DSS

- TJ

归一化的击穿电压BV

DSS

1.2

= 0V

= 250

图四。

DS （ ON）

- I

3.0

ON - 电阻r

DS （ ON）

()

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

=6V

=10V

1.1

1.0

0.9

0.8

-100

-50

100

150

结温Tj （ C）

漏电流I

(A)

Fig5 。我

- V

Fig6 。

DS （ ON）

- TJ

3.0

=10V

= 7 A

反向漏电流I

(A)

100

归一化导通电阻

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

-1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.8

0.0

-100

-50

100

150

源 - 漏极电压V

(V)

结温Tj （ C）

2010. 11. 23

版本号： 0

3/7

KF7N60P/F

图7. - V

=7A

Fig8 。 Qg- V

栅 - 源电压V

(V)

= 480V

电容（pF）

西塞

科斯

CRSS

漏 - 源极电压V

(V)

门 - 电荷Qg （ NC）

Fig9 。安全工作区

Fig10 。安全工作区

(KF7N60P)

(KF7N60F)

漏极电流ID （ A）

10s

100s

1ms

10s

100s

1ms

操作在此

区由R限于

DS （ ON）

10ms

操作在此

区由R限于

DS （ ON）

10ms

-1

TC = 25℃

TJ = 150℃

单脉冲

-1

TC = 25℃

TJ = 150℃

单脉冲

漏 - 源极电压V

(V)

漏 - 源极电压V

(V)

Fig11 。我

- T

漏电流I

(A)

100

125

150

结温Tj （

)

2010. 11. 23

版本号： 0

4/7

KF7N60P/F

Fig12 。瞬态热响应曲线

(KF7N60P)

瞬态热阻

-1

Duty=0.5

0.2

0.1

-2

0.05

0.02

0.01

单脉冲

- R

日（J -C ）

= 1.15 ℃/ W（最大值）。

- 占空比，D = T

-3

-2

-1

-5

-4

时间（秒）

Fig13 。瞬态热响应曲线

(KF7N60F)

瞬态热阻

Duty=0.5

-1

0.2

0.1

0.05

-2

0.02

0.01

单脉冲

- R

日（J -C ）

= 2.8 ℃/ W（最大值）。

- 占空比，D = T

-3

-2

-1

-5

-4

时间（秒）

2010. 11. 23

版本号： 0

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