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半导体

技术参数

概述

A

KF4N80F

N沟道MOS场

场效应晶体管

C

F

这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速

开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良

雪崩特性。它主要适用于有源功率因数

校正和开关式电源。

O

B

E

G

暗淡

MILLIMETERS

L

M

J

R

特点

V

DSS

= 800V ，我

D

=4A

·漏源

导通电阻：

R

DS （ ON）

（ MAX）= 2.6Ω @V

GS

=10V

Q

D

N

N

H

·QG （典型值） =

17nC

1

2

3

1.门

2.漏

3.源

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N

O

Q

R

_

10.16

+

0.2

_

15.87

+

0.2

_

2.54

+

0.2

_

0.8

+

0.1

_

3.18

+

0.1

_

3.3

+

0.1

_

12.57

+

0.2

_

0.1

0.5

+

_

13.0

+

0.5

_

3.23

+

0.1

1.47 MAX

1.47 MAX

_

2.54

+

0.2

_

6.68

+

0.2

_

4.7

+

0.2

_

2.76

+

0.2

K

TO- 220IS （1）

最大额定值

(Tc=25℃)

特征

漏源电压

栅源电压

@T

C

=25℃

漏电流

@T

C

=100℃

脉冲（注1）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

重复性雪崩能量

（注1 ）

峰值二极管恢复的dv / dt

（注3）

耗电

耗散

Tc=25℃

P

D

减免上述25 °

T

j

T

英镑

0.34

150

-55½150

W/℃

℃

℃

I

DP

E

AS

E

AR

dv / dt的

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

2.5*

11*

250

4.7

4.5

43

mJ

S

等级

800

±30

4*

单位

V

V

引脚连接

D

A

G

mJ

V / ns的

W

最高结温

存储温度范围

热特性

热阻，结到外壳

热阻，

结到环境

R

thJC

R

thJA

2.9

62.5

℃/W

℃/W

*：漏电流受最高结温。

2012. 9. 5

版本号： 0

1/6

KF4N80F

电气特性

(Tc=25℃)

特征

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

STATIC

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

排水截止电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏源导通电阻

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

I

DSS

V

th

I

GSS

R

DS （ ON）

I

D

=250μ V

GS

=0V

A,

I

D

= 250μ参考25 ℃

A,

V

DS

=800V, V

GS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

D

=250μ

A

V

GS

=±30V, V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

D

=3.5A

800

-

-

2.5

-

-

-

0.8

-

-

-

2.2

-

-

10

4.5

±100

2.6

V

V/℃

μ

A

V

nA

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管评级

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

S

V

GS

＆ LT ; V

th

I

SP

V

SD

t

rr

Q

rr

I

S

= 4.0A ，V

GS

=0V

I

S

= 4.0A ，V

GS

=0V,

s

dIs/dt=100A/μ

-

-

-

-

-

-

460

4.0

16

1.4

-

-

V

ns

μ

C

-

-

4

A

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

DS

=25V, V

GS

= 0V ， F = 1.0MHz的

V

DD

=400V

I

D

=4A

R

G

=25

(Note4,5)

-

-

-

-

-

65

30

750

90

13

-

-

-

-

-

pF

V

DS

= 480V ，我

D

=4A

V

GS

=10V

(Note4,5)

-

-

-

-

-

17

3

8

25

25

-

-

-

-

-

ns

nC

注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。

注2 ） L = 30mH ，我

S

= 4A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25Ω ，起始物为

j

=25℃.

注3 ）I

S

≤4.0A,

DI / dt≤100A / ，V

DD

ΔBV

DSS

，起始物为

j

=25℃.

注4 ）脉冲测试：脉冲宽度

≤

300 ，占空比

≤

2%.

注5 ）基本上是独立的工作温度。

记号

1

KF4N80

001

F

2

1

2

产品名称

批号

2012. 9. 5

版本号： 0

2/6

KF4N80F

Fig1 。我

D

- V

DS

100

10

V

GS

=10V

V

GS

=6V

V

GS

=5V

1

Fig2 。我

D

- V

GS

V

DS

=30V

漏电流I

D

(A)

10

漏电流I

D

(A)

100

C

1

10

0

25

C

0.1

0.01

0.1

10

1

10

100

-1

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

漏 - 源极电压V

DS

(V)

栅 - 源电压V

GS

(V)

Fig3 。 BV

DSS

- TJ

归一化的击穿电压BV

DSS

1.2

7.0

V

GS

= 0V

I

DS

= 250

图四。

DS （ ON）

- I

D

ON - 电阻r

DS （ ON）

()

6.0

5.0

4.0

V

GS

=5V

1.1

1.0

3.0

V

GS

=10V

0.9

2.0

1.0

0

0

2

4

6

8

0.8

-100

-50

0

50

100

150

结温Tj （ C）

漏电流I

D

(A)

Fig5 。我

S

- V

SD

10

2

Fig6 。

DS （ ON）

- TJ

3.0

V

GS

=10V

I

DS

= 2A

反向漏电流I

S

(A)

100

C

10

1

归一化导通电阻

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

25

C

10

0

10

-1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.0

-100

-50

0

50

100

150

源 - 漏极电压V

SD

(V)

结温Tj （ C）

2012. 9. 5

版本号： 0

3/6

KF4N80F

图7. - V

DS

10

4

12

I

D

=4A

Fig8 。 Qg- V

GS

栅 - 源电压V

GS

(V)

电容（pF）

西塞

10

8

6

4

2

0

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

V

DS

= 480V

10

3

科斯

10

2

CRSS

10

1

0

10

20

30

40

漏 - 源极电压V

DS

(V)

门 - 电荷Qg （ NC）

Fig9 。安全工作区

10

2

漏极电流ID （ A）

10

1

10s

100s

10

0

操作在此

区由R限于

DS （ ON）

1ms

10ms

10

-1

TC = 25℃

TJ = 150℃

单脉冲

DC

10-

2

10

0

10

1

10

2

10

3

漏 - 源极电压V

DS

(V)

Fig10 。瞬态热响应曲线

10

1

瞬态热阻

Duty=0.5

10

0

0.2

0.1

0.05

P

DM

t

1

t

2

10

-1

0.02

0.01

单脉冲

- R

日（J -C ）

= 2.8 ℃/ W（最大值）。

- 占空比，D = T

1

/t

2

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

-2

10

-5

10

-4

2012. 9. 5

版本号： 0

4/6

KF4N80F

Fig11 。栅极电荷

VGS

10 V

ID

快

恢复

二极管

0.8 VDSS

1.0毫安

ID

Q

V

DS

VGS

QGS

QGD

Qg

Fig12 。单脉冲雪崩能量

1

EAS =

LI

AS2

2

BV

DSS

BV

DSS

- V

DD

BV

DSS

L

I

AS

50V

25

V

DS

10 V

VGS

I

D

(t)

V

DD

V

DS

(t)

时间

tp

Fig13 。阻性负载开关

V

DS

90%

RL

0.5 VDSS

25

VDS

10V

VGS

V

GS

10%

t

D（关闭）

t

D（上）

t

on

tr

t

关闭

tf

2012. 9. 5

版本号： 0

5/6

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