【半导体技术参数概述这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优】,IC型号KF4N20LW,KF4N20LW PDF资料,KF4N20LW经销商,ic,电子元器件-51电子网

半导体

技术参数

概述

这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速

开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良

雪崩特性。它主要适用于LED照明和

开关模式电源。

特点

DSS （最小）

= 200V ，我

= 1A

·漏源

导通电阻，R

DS （ ON）

=1.05

Ω （最大值）

=10V

·QG （典型值）。

=2.9nC

TH（最大）

= 2V

KF4N20LW

N沟道MOS场

场效应晶体管

最大额定值

(Tc=25℃)

特征

漏源电压

栅源电压

=25℃

漏电流

=100℃

脉冲（注1）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

重复性雪崩能量

（注1 ）

峰值二极管恢复的dv / dt

（注3）

耗电

耗散

=25℃

减额above25 ℃

英镑

符号

DSS

GSS

dv / dt的

等级

200

±20

0.6*

0.2

5.5

2.2*

0.018

150

-55½150

V / ns的

W/℃

℃

单位

最高结温

存储温度范围

热特性

热阻，结点到

环境

thJA

57*

℃/W

* ：表面安装在FR4电路板（ 40毫米× 40毫米， 1.0吨）

引脚连接

2010. 8. 18

版本号： 0

1/6

KF4N20LW

电气特性

(Tc=25℃)

特征

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

STATIC

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

排水截止电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏源导通电阻

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

DSS

GSS

DS （ ON）

=250μ V

=0V

= 250μ参考25 ℃

=200V, V

=0V,

, I

=250μ

=±20V, V

=0V

= 10V ，我

=0.5A

= 5V ，我

=0.5A

200

1.0

0.2

0.85

0.89

2.0

±100

1.05

1.10

V/℃

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管评级

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

＆ LT ; V

= 1A ，V

=0V

= 3.6A ，V

=0V,

dIs/dt=100A/

100

0.30

1.4

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

=25V, V

= 0V ， F = 1.0MHz的

= 100V ，我

=3.6A

=25

=5V

(Note4,5)

= 150V ，我

=3.6A

=5V

(Note4,5)

2.9

0.6

2.2

170

4.0

3.8

220

注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。

注2 ） L = 78mH ，我

= 1A ，V

= 50V ，R

= 25Ω ，起始物为

= 25℃.

注3 ）I

≤2A,

DI / dt≤300A / ，V

ΔBV

DSS

，起始物为

= 25℃.

注4 ）脉冲测试：脉冲宽度

≤

300 ，占空比

≤

2%.

注5 ）基本上是独立的工作温度。

记号

KF4N20LW

2010. 8. 18

版本号： 0

2/6

KF4N20LW

= 3V

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

2010. 8. 18

版本号： 0

3/6

KF4N20LW

图7. - V

1000

=4A

Fig8 。 Qg- V

栅 - 源电压V

(V)

= 40V

电容（pF）

西塞

100

科斯

= 160V

CRSS

漏 - 源极电压V

(V)

门 - 电荷Qg （ NC）

Fig9 。安全工作区

操作在此

1.2

1.0

Fig10 。我

- T

区由R限于

DS （ ON）

漏极电流ID （ A）

10s

100s

漏电流I

(A)

0.8

0.6

0.4

0.2

1ms

10ms

-1

TC = 25℃

TJ = 150℃

单脉冲

100ms

10-

100

125

150

漏 - 源极电压V

(V)

结温Tj （

)

Fig11 。瞬态热响应曲线

Duty=0.5

瞬态热阻

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

-1

GLE

罪

- 占空比，D = T

J（下最大）

- T

- R

thJC

-2

-5

-4

-3

-2

-1

时间（秒）

2010. 8. 18

版本号： 0

4/6

KF4N20LW

Fig12 。栅极电荷

0.8 V

DSS

1.0毫安

QGS

QGD

Fig13 。单脉冲雪崩能量

AS2

DSS

- V

DSS

50V

10 V

(t)

时间

Fig14 。阻性负载开关

90%

0.5 V

DSS

10V

10%

D（上）

D（关闭）

关闭

2010. 8. 18

版本号： 0

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