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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第227页 > KF3N60F
半导体
技术参数
概述
这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良
雪崩特性。它主要适用于电子镇流器和
开关模式电源。
特点
V
DSS
= 600V ，我
D
= 3A
·漏源
导通电阻，R
DS （ ON）
=3.3 @V
GS
= 10V
·QG （典型值）
= 8.5nC
D
N
N
A
KF3N60P/F
N沟道MOS场
场效应晶体管
KF3N60P
O
C
F
E
G
B
Q
I
K
M
L
J
H
P
最大额定值
(Ta=25℃)
等级
特征
漏源电压
栅源电压
@T
C
=25℃
漏电流
@T
C
=100℃
脉冲（注1）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt
（注3）
耗电
耗散
Tc=25℃
减免上述25 °
T
j
T
英镑
符号
KF3N60P
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
73
0.58
150
-55½150
3
1.9
7
120
3.2
4.5
31
0.25
600
±30
3*
1.9*
7*
A
F
DIM毫米
_
9.9 + 0.2
A
15.95 MAX
B
1.3+0.1/-0.05
C
_
D
0.8 + 0.1
_
E
3.6 + 0.2
_
F
2.8 + 0.1
3.7
G
H
0.5+0.1/-0.05
1.5
I
_
13.08 + 0.3
J
K
1.46
_
1.4 + 0.1
L
_
1.27+ 0.1
M
_
2.54 + 0.2
N
_
4.5 + 0.2
O
_ 0.2
2.4 +
P
_
9.2 + 0.2
Q
单位
KF3N60F
V
V
1
2
3
1.门
2.漏
3.源
TO-220AB
A
KF3N60F
C
mJ
mJ
V / ns的
W
W/℃
℃
℃
K
O
B
E
G
暗淡
MILLIMETERS
存储温度范围
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结点到
环境
J
最高结温
L
M
R
D
N
N
H
R
thJC
R
thJA
1.7
62.5
4
62.5
℃/W
Q
℃/W
1
2
3
*：漏电流受最高结温。
1.门
2.漏
3.源
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
Q
R
_
10.16
+
0.2
_
15.87
+
0.2
_
2.54
+
0.2
_
0.8
+
0.1
_
3.18
+
0.1
_
0.1
3.3
+
_
12.57
+
0.2
_
0.5
+
0.1
_
13.0
+
0.5
_
3.23
+
0.1
1.47 MAX
1.47 MAX
_
2.54
+
0.2
_
0.2
6.68
+
_
4.7
+
0.2
_
2.76
+
0.2
*单计引线框架
引脚连接
（ KF3N60P ， KF3N60F ）
D
TO- 220IS （1）
G
S
2010. 12. 20
版本号： 0
1/2
KF3N60P/F
电气特性
(Ta=25℃)
特征
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
STATIC
漏源击穿电压
BV
DSS
I
D
=250 , V
GS
=0V
I
D
= 250 ，参考25 ℃
V
DS
=600V, V
GS
=0V,
V
DS
=V
GS
, I
D
=250
V
GS
=±30V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=1.5A
600
-
-
2.5
-
-
-
0.61
-
-
-
2.8
-
-
10
4.5
±100
3.3
V
V/℃
V
nA
击穿电压温度系数
ΔBV
DSS
/ΔT
j
排水截止电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
I
DSS
V
th
I
GSS
R
DS （ ON）
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管评级
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
I
SP
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
＆ LT ; V
th
I
S
= 3A ，V
GS
=0V
I
S
= 3A ，V
GS
=0V,
dIs/dt=100A/
-
-
-
-
-
-
-
-
300
1.5
3
A
12
1.4
-
-
V
ns
μ
C
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
=300V
I
D
=3A
R
G
=25
(Note4,5)
V
DS
= 480V ，我
D
=3A
V
GS
=10V
(Note4,5)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8.5
1.8
3.6
25
25
40
20
355
45
4.4
-
-
-
-
-
ns
-
-
-
-
-
pF
nC
注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。
注2 ） L = 24.5mH ，我
S
= 3A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
j
=25℃.
注3 ）I
S
≤3A,
DI / dt≤100A / ，V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
j
=25℃.
注4 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤300,
值班cycle≤2 ％ 。
注5 ）基本上是独立的工作温度。
记号
1
1
KF3N60
001
P
2
KF3N60
001
F
2
1
产品名称
2
批号
2010. 12. 20
版本号： 0
2/2
K3N60P/F
Fig1 。我
D
- V
DS
10
1
Fig2 。我
D
- V
GS
V
DS
=30V
V
GS
=10V
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
V
GS
=7V
10
1
10
0
V
GS
=5V
T
C
=100
C
10
-1
10
0
25
C
10
-2
10
0.1
1
10
100
-1
2
4
6
8
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
栅 - 源电压V
GS
(V)
Fig3 。 BV
DSS
- TJ
归一化的击穿电压BV
DSS
1.2
V
GS
= 0V
I
DS
= 250
图四。
DS （ ON）
- I
D
6.0
ON - 电阻r
DS （ ON）
()
5.0
V
GS
=6V
1.1
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
V
GS
=10V
1.0
0.9
0.8
-100
-50
0
50
100
150
1
2
3
4
5
6
结温Tj （ C）
漏电流I
D
(A)
Fig5 。我
S
- V
SD
10
2
Fig6 。
DS （ ON）
- TJ
3.0
V
GS
=10V
I
DS
= 1.5A
反向漏电流I
S
(A)
归一化导通电阻
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
10
1
T
C
=100
C
25
C
0
10
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.0
-100
-50
0
50
100
150
源 - 漏极电压V
SD
(V)
结温Tj （ C）
2010. 12. 20
版本号： 0
37
K3N60P/F
图7. - V
DS
10000
12
I
D
=3A
Fig8 。 Qg- V
GS
栅 - 源电压V
GS
(V)
电容（pF）
西塞
100
科斯
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
DS
= 480V
10
CRSS
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
漏 - 源极电压V
DS
(V)
门 - 电荷Qg （ NC）
Fig9 。安全工作区
10
1
操作在此
Fig10 。安全工作区
10
1
操作在此
(KF3N60P)
10s
100s
(KF3N60F)
10s
100s
区由R限于
DS （ ON）
区由R限于
DS （ ON）
漏极电流ID （ A）
10
0
漏极电流ID （ A）
1ms
10ms
10
0
1ms
10ms
10
-1
TC = 25℃
TJ = 150℃
2
单脉冲
DC
10
-1
DC
10
10
0
10
1
10
2
10
3
10
10
0
TC = 25℃
TJ = 150℃
2
单脉冲
10
1
10
2
10
3
漏 - 源极电压V
DS
(V)
漏 - 源极电压V
DS
(V)
Fig11 。我
D
- T
j
3.5
3.0
漏电流I
D
(A)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
25
50
75
100
125
150
结温Tj （
C
)
2010. 12. 20
版本号： 0
47
K3N60P/F
Fig12 。瞬态热响应曲线
(KF3N60P)
10
-1
瞬态热阻
10
0
Duty=0.5
0.2
0.1
P
DM
t
1
t
2
10
-1
0.05
0.02
0.01
ULSE
P
GLE
罪
10
-2
10
-5
- 占空比，D = T
1
/t
2
T
J（下最大）
- T
c
- R
thJC
=
P
D
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
时间（秒）
Fig13 。瞬态热响应曲线
(KF3N60F)
10
-1
瞬态热阻
Duty=0.5
10
0
0.2
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
Pu
LSE
10
-1
0.02
0.01
GLE
罪
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
- 占空比，D = T
1
/t
2
T
J（下最大）
- T
c
- R
thJC
=
P
D
10
0
10
1
时间（秒）
2010. 12. 20
版本号： 0
57
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K4S560832B
KBJ10D
KSM-901LM1Y
K3780Y1EN1S
KRC101
KF450BS
KHAU-17D11-24
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
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    KF3N60F
    -
    -
    -
    -
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