【半导体技术参数概述这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优】,IC型号KF13N60N,KF13N60N PDF资料,KF13N60N经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

技术参数

概述

这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速

开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良

雪崩特性。它主要适用于切换模式

电源供应器。

H

KF13N60N

N沟道MOS场

场效应晶体管

A

N

O

Q

B

K

特点

V

DSS （最小）

= 600V ，我

D

= 13A

漏极 - 源极导通电阻：

R

DS （ ON）

=0.56(Max.)

QG （典型值） = 36nC

@V

GS

=10V

d

D

E

M

P

P

T

1

2

3

最大额定值（TC = 25

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

@T

C

=25

脉冲

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

耗电

耗散

Tc=25

)

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

(Note1)

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

I

DP

E

AS

E

AR

dv / dt的

P

D

T

j

T

英镑

等级

600

30

13

A

32

870

22.5

4.5

215

1.72

150

-55 150

mJ

mJ

V / ns的

W

W/

单位

V

V

1.门

2.漏

3.源

DIM毫米

_

A

15.60 + 0.20

_

B

4.80 + 0.20

_

C

19.90 + 0.20

_ 0.20

D

2.00 +

_

d

1.00 + 0.20

_

E

3.00 + 0.20

_

3.80 + 0.20

F

_

G

3.50 + 0.20

_

H

13.90 + 0.20

_

I

12.76 + 0.20

_

J

23.40 + 0.20

K

1.5+0.15-0.05

_

L

16.50 + 0.30

_

M

1.40 + 0.20

_

13.60 + 0.20

N

_

9.60 + 0.20

O

_

P

5.45 + 0.30

_

Q

3.20 + 0.10

_

R

18.70 + 0.20

0.60+0.15-0.05

T

F

C

J

I

G

TO-3P(N)-E

减额above25

最高结温

存储温度范围

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

R

thJC

R

thJA

0.58

40

/W

/W

记号

D

1

KF13N60

N

801

2

G

S

1

2

产品名称

批号

2008. 10. 2

版本号： 1

L

R

1/6

KF13N60N

电气特性（ TC = 25

特征

)

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

符号

STATIC

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

排水截止电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏源导通电阻

BV

DSS

BV

DSS

/ T

j

I

DSS

V

th

I

GSS

R

DS （ ON）

I

D

= 250 A，V

GS

=0V

I

D

= 250 A，参考25

V

DS

=600V, V

GS

=0V,

V

DS

=V

GS

, I

D

=250 A

V

GS

= 30V, V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

D

=6.5A

600

-

-

2.0

-

-

-

0.63

-

-

-

0.47

-

-

10

4.0

100

0.56

V

V/

A

V

nA

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管评级

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

S

I

SP

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

＆ LT ; V

th

I

S

= 13A ，V

GS

=0V

I

S

= 13A ，V

GS

=0V,

DIS / DT = 100A / S

-

-

-

-

-

-

-

0.9

370

4.6

13

A

52

1.4

-

-

V

ns

C

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

DS

=25V, V

GS

= 0V ， F = 1.0MHz的

V

DD

=300V,

R

G

=25 ,

I

D

=13A

(Note4,5)

V

DS

= 480V ，我

D

=13A

V

GS

=10V

(Note4,5)

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

36

8.5

13.5

30

40

115

55

1445

185

20

-

-

-

-

-

ns

-

-

-

-

-

pF

nC

注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。

注2 ） L = 9.3mH ，我

AS

= 13A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25 ，起始物为

j

= 25

注3 ）I

S

如图13A所示， di / dt的

200A/

, V

DD

BV

DSS

，起始物为

j

= 25 .

2%.

注4 ）脉冲测试：脉冲宽度

300 ，占空比

注5 ）基本上是独立的工作温度。

2008. 10. 2

版本号： 1

2/6

KF13N60N

Fig1 。我

D

- V

DS

100

V

GS

=10V

V

DS

=20V

Fig2 。我

D

- V

GS

漏电流I

D

(A)

10

V

GS

=6V

V

GS

=5V

漏电流I

D

(A)

10

1

10

0

100

C

25

C

1

0.1

0.1

1

10

100

10

-1

2

4

6

8

10

漏 - 源极电压V

DS

(V)

栅 - 源电压V

GS

(V)

Fig3 。 BV

DSS

- TJ

归一化的击穿电压BV

DSS

1.2

V

GS

= 0V

I

DS

= 250

图四。

DS （ ON）

- I

D

1.2

1.1

ON - 电阻r

DS （ ON）

()

1.0

1.0

V

GS

=6V

0.6

V

GS

=10V

0.9

0.8

-100

-50

0

50

100

150

0.2

0

5

10

15

20

结温Tj （ C）

漏电流I

D

(A)

Fig5 。我

S

- V

SD

10

2

Fig6 。

DS （ ON）

- TJ

3.0

V

GS

=10V

I

DS

= 6A

反向漏电流I

S

(A)

100

C

25

C

10

1

归一化导通电阻

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

10

0

10

-1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.8

0.0

-100

-50

0

50

100

150

源 - 漏极电压V

SD

(V)

结温Tj （ C）

2008. 10. 2

版本号： 1

3/6

KF13N60N

图7. - V

DS

10

4

12

I

D

=13A

Fig8 。 Qg- V

GS

栅 - 源电压V

GS

(V)

V

DS

= 480V

V

DS

= 300V

V

DS

= 120V

10

8

6

4

2

0

0

5

10

电容（pF）

西塞

10

3

科斯

10

2

CRSS

10

1

0

10

20

30

40

15

20

25

30

35

40

漏 - 源极电压V

DS

(V)

门 - 电荷Qg （ NC）

Fig9 。安全工作区

10

2

100s

Fig10 。我

D

- T

j

14

12

10

1

漏电流I

D

(A)

漏极电流ID （ A）

1ms

10ms

10

8

6

4

2

10

0

100ms

操作在此

区由R限于

DS （ ON）

DC

10

-1

TC = 25℃

TJ = 150℃

单脉冲

10

2

10

0

10

1

10

2

10

3

0

25

50

75

100

125

150

漏 - 源极电压V

DS

(V)

结温Tj （

C

)

Fig11 。瞬态热响应曲线

10

0

瞬态热阻

Duty=0.5

0.2

10

-1

0.1

0.05

P

DM

t

1

t

2

单脉冲

0.02

0.01

10

-2

- R

日（J -C ）

= 0.58 ℃/ W（最大值）。

- 占空比，D = T

1

/t

2

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

-5

10

-4

时间（秒）

2008. 10. 2

版本号： 1

4/6

KF13N60N

Fig12 。栅极电荷

VGS

快

恢复

二极管

10 V

ID

0.8 VDSS

1.0毫安

ID

Q

QGS

QGD

Qg

VGS

V

DS

Fig13 。单脉冲雪崩能量

1

EAS =

LI

AS2

2

BV

DSS

BV

DSS

- V

DD

BV

DSS

L

I

AS

50V

25

V

DS

10 V

VGS

I

D

(t)

V

DD

V

DS

(t)

时间

tp

Fig14 。阻性负载开关

V

DS

90%

RL

0.5 VDSS

25

VDS

10V

VGS

V

GS

10%

t

D（上）

t

on

tr

t

D（关闭）

tf

t

关闭

2008. 10. 2

版本号： 1

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