【半导体技术参数概述这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优】,IC型号KF12N60P,KF12N60P PDF资料,KF12N60P经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

技术参数

概述

这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速

开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良

雪崩特性。它主要适用于有源功率因数

校正和开关式电源。

特点

V

DSS

= 600V ，我

D

=12A

·漏源

导通电阻：

R

DS （ ON）

= 0.6Ω （最大） @V

GS

=10V

·QG （典型值） =

36nC

KF12N60P/F

N沟道MOS场

场效应晶体管

KF12N60P

最大额定值

(Tc=25℃)

等级

特征

漏源电压

栅源电压

@T

C

=25℃

漏电流

@T

C

=100℃

脉冲（注1）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

重复性雪崩能量

（注1 ）

峰值二极管恢复的dv / dt

（注3）

耗电

耗散

Tc=25℃

减免上述25 °

T

j

T

英镑

符号

KF12N60P

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DP

E

AS

E

AR

dv / dt的

P

D

215

1.72

150

-55½150

12

7.4

33

450

17

4.5

49.8

0.4

600

±30

12*

7.4*

33*

mJ

mJ

V / ns的

W

W/℃

℃

℃

A

KF12N60F

单位

KF12N60F

V

V

最高结温

存储温度范围

热特性

热阻，结到外壳

热阻，

结到环境

R

thJC

R

thJA

0.58

62.5

2.51

62.5

℃/W

℃/W

*：漏电流受最高结温。

等效电路

2010. 8. 12

版本号： 3

1/7

KF12N60P/F

电气特性

(Tc=25℃)

特征

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

STATIC

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

排水截止电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏源导通电阻

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

I

DSS

V

th

I

GSS

R

DS （ ON）

I

D

=250μ V

GS

=0V

A,

I

D

= 250μ参考25 ℃

A,

V

DS

=600V, V

GS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

D

=250μ

A

V

GS

=±30V, V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

D

=6A

600

-

-

2.5

-

-

-

0.63

-

-

-

0.51

-

-

10

4.5

±100

0.6

V

V/℃

μ

A

V

nA

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管评级

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

S

I

SP

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

＆ LT ; V

th

I

S

= 12A ，V

GS

=0V

I

S

= 12A ，V

GS

=0V,

s

dIs/dt=100A/μ

-

-

-

-

-

-

-

-

370

4.6

12

A

48

1.4

-

-

V

ns

μ

C

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

DS

=25V, V

GS

= 0V ， F = 1.0MHz的

V

DD

=300V

I

D

=12A

R

G

=25

(Note4,5)

V

DS

= 480V ，我

D

=12A

V

GS

=10V

(Note4,5)

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

36

8.5

13.5

30

40

115

55

1700

185

20

-

-

-

-

-

ns

-

-

-

-

-

pF

nC

注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。

注2 ） L = 5.7mH ，我

S

= 12A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25Ω ，起始物为

j

=25℃.

注3 ）I

S

≤12A,

DI / dt≤200A / ，V

DD

ΔBV

DSS

，起始物为

j

=25℃.

注4 ）脉冲测试：脉冲宽度

≤

300 ，占空比

≤

2%.

注5 ）基本上是独立的工作温度。

记号

2010. 8. 12

版本号： 3

2/7

KF12N60P/F

2010. 8. 12

版本号： 3

3/7

KF12N60P/F

2010. 8. 12

版本号： 3

4/7

KF12N60P/F

2010. 8. 12

版本号： 3

5/7

半导体

技术参数

概述

这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速

开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良

雪崩特性。它主要适用于有源功率因数

校正和开关式电源。

特点

V

DSS

= 600V ，我

D

=12A

·漏源

导通电阻：

R

DS （ ON）

= 0.6Ω （最大） @V

GS

=10V

·QG （典型值） =

36nC

D

N

N

A

KF12N60P/F

N沟道MOS场

场效应晶体管

KF12N60P

O

C

F

E

G

B

Q

I

K

M

L

J

H

P

最大额定值（ TC = 25 ℃ ）

等级

特征

漏源电压

栅源电压

@T

C

=25℃

漏电流

@T

C

=100℃

脉冲（注1）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

重复性雪崩能量

（注1 ）

峰值二极管恢复的dv / dt

（注3）

耗电

耗散

Tc=25℃

减免上述25 °

T

j

T

英镑

符号

KF12N60P

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DP

E

AS

E

AR

dv / dt的

P

D

215

1.72

150

-55½150

12

7.4

33

450

17

4.5

49.8

0.4

600

±30

12*

7.4*

33*

mJ

mJ

B

单位

KF12N60F

V

V

1

2

3

DIM毫米

_

9.9 + 0.2

A

15.95 MAX

B

1.3+0.1/-0.05

C

_

D

0.8 + 0.1

_

E

3.6 + 0.2

_

F

2.8 + 0.1

3.7

G

H

0.5+0.1/-0.05

1.5

I

_

13.08 + 0.3

J

K

1.46

_

1.4 + 0.1

L

_

1.27+ 0.1

M

_

2.54 + 0.2

N

_

4.5 + 0.2

O

_ 0.2

2.4 +

P

_

9.2 + 0.2

Q

1.门

2.漏

3.源

TO-220AB

A

KF12N60F

A

F

C

O

E

暗淡

MILLIMETERS

V / ns的

W

W/℃

℃

℃

D

N

N

K

最高结温

存储温度范围

热特性

热阻，结到外壳

热阻，

结到环境

L

M

J

R

R

thJC

R

thJA

0.58

62.5

2.51

62.5

℃/W

℃/W

1

Q

H

2

3

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N

O

Q

R

_

10.16

+

0.2

_

15.87

+

0.2

_

2.54

+

0.2

_

0.8

+

0.1

_

3.18

+

0.1

_

0.1

3.3

+

_

12.57

+

0.2

_

0.5

+

0.1

_

13.0

+

0.5

_

3.23

+

0.1

1.47 MAX

1.47 MAX

_

2.54

+

0.2

_

6.68

+

0.2

_

4.7

+

0.2

_

2.76

+

0.2

G

*：漏电流受最高结温。

1.门

2.漏

3.源

等效电路

D

TO- 220IS （1）

G

S

2008. 10. 29

版本号： 2

1/7

KF12N60P/F

电气特性（TC = 25⊥ ）

特征

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

STATIC

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

排水截止电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏源导通电阻

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

I

DSS

V

th

I

GSS

R

DS （ ON）

I

D

=250μ V

GS

=0V

A,

I

D

= 250μ参考25 ℃

A,

V

DS

=600V, V

GS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

D

=250μ

A

V

GS

=±30V, V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

D

=6A

600

-

-

2.0

-

-

-

0.63

-

-

-

0.51

-

-

10

4.0

±100

0.6

V

V/℃

μ

A

V

nA

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管评级

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

S

I

SP

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

＆ LT ; V

th

I

S

= 12A ，V

GS

=0V

I

S

= 12A ，V

GS

=0V,

s

dIs/dt=100A/μ

-

-

-

-

-

-

-

-

370

4.6

12

A

48

1.4

-

-

V

ns

μ

C

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

DS

=25V, V

GS

= 0V ， F = 1.0MHz的

V

DD

=300V

I

D

=12A

R

G

=25

(Note4,5)

V

DS

= 480V ，我

D

=12A

V

GS

=10V

(Note4,5)

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

36

8.5

13.5

30

40

115

55

1445

185

20

-

-

-

-

-

ns

-

-

-

-

-

pF

nC

注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。

注2 ） L = 5.7mH ，我

S

= 12A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25Ω ，起始物为

j

=25℃.

注3 ）I

S

≤12A,

DI / dt≤200A / ，V

DD

ΔBV

DSS

，起始物为

j

=25℃.

注4 ）脉冲测试：脉冲宽度

≤

300 ，占空比

≤

2%.

注5 ）基本上是独立的工作温度。

记号

1

1

KF12N60

801

P

KF12N60

801

F

2

2

1

2

产品名称

批号

2008. 10. 29

版本号： 2

2/7

KF12N60P/F

Fig1 。我

D

- V

DS

100

V

GS

=10V

V

DS

=20V

Fig2 。我

D

- V

GS

漏电流I

D

(A)

10

V

GS

=6V

V

GS

=5V

漏电流I

D

(A)

10

1

10

0

100

C

25

C

1

0.1

0.1

1

10

100

10

-1

2

4

6

8

10

漏 - 源极电压V

DS

(V)

栅 - 源电压V

GS

(V)

Fig3 。 BV

DSS

- TJ

归一化的击穿电压BV

DSS

1.2

V

GS

= 0V

I

DS

= 250

图四。

DS （ ON）

- I

D

1.2

1.1

ON - 电阻r

DS （ ON）

()

1.0

1.0

V

GS

=6V

0.6

V

GS

=10V

0.9

0.8

-100

-50

0

50

100

150

0.2

0

5

10

15

20

结温Tj （ C）

漏电流I

D

(A)

Fig5 。我

S

- V

SD

10

2

Fig6 。

DS （ ON）

- TJ

3.0

V

GS

=10V

I

DS

= 6A

反向漏电流I

S

(A)

100

C

25

C

10

1

归一化导通电阻

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

10

0

10

-1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.8

0.0

-100

-50

0

50

100

150

源 - 漏极电压V

SD

(V)

结温Tj （ C）

2008. 10. 29

版本号： 2

3/7

KF12N60P/F

图7. - V

DS

10

4

12

I

D

=12A

Fig8 。 Qg- V

GS

栅 - 源电压V

GS

(V)

V

DS

= 480V

V

DS

= 300V

V

DS

= 120V

10

8

6

4

2

0

0

5

10

电容（pF）

西塞

10

3

科斯

10

2

CRSS

10

1

0

10

20

30

40

15

20

25

30

35

40

漏 - 源极电压V

DS

(V)

门 - 电荷Qg （ NC）

Fig9 。安全工作区

10

2

Fig10 。安全工作区

10

2

(KF12N60P)

100s

(KF12N60F)

10s

漏极电流ID （ A）

10

1

漏极电流ID （ A）

100s

1ms

10ms

10

1

1ms

10ms

10

0

100ms

操作在此

区由R限于

DS （ ON）

10

0

DC

操作在此

区由R限于

DS （ ON）

100ms

10

-1

TC = 25℃

TJ = 150℃

单脉冲

10

-1

TC = 25℃

TJ = 150℃

单脉冲

DC

10

2

10

0

10

1

10

2

10

3

10

2

10

0

10

1

10

2

10

3

漏 - 源极电压V

DS

(V)

漏 - 源极电压V

DS

(V)

Fig11 。我

D

- T

j

14

12

漏电流I

D

(A)

10

8

6

4

2

0

25

50

125

150

75

100

结温Tj （

C

)

2008. 10. 29

版本号： 2

4/7

KF12N60P/F

Fig12 。瞬态热响应曲线

(KF12N60P)

10

0

瞬态热阻

Duty=0.5

0.2

10

-1

0.1

0.05

P

DM

t

1

t

2

单脉冲

0.02

0.01

10

-2

- R

日（J -C ）

= 0.58 ℃/ W（最大值）。

- 占空比，D = T

1

/t

2

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

-5

10

-4

时间（秒）

Fig13 。瞬态热响应曲线

(KF12N60F)

瞬态热阻

10

0

Duty=0.5

0.2

0.1

10

-1

0.05

P

DM

t

1

t

2

0.02

0.01

10

-2

10

-5

单脉冲

- R

日（J -C ）

= 0.51 ℃/ W（最大值）。

- 占空比，D = T

1

/t

2

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

-4

时间（秒）

2008. 10. 29

版本号： 2

5/7

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