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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第219页 > KF10N60P
半导体
技术参数
概述
这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良
雪崩特性。它主要适用于有源功率因数
校正和开关式电源。
特点
V
DSS
= 600V ，我
D
=10A
·漏源
导通电阻：
R
DS （ ON）
（ MAX）= 0.73Ω @V
GS
=10V
·QG （典型值） =
29.5nC
D
N
N
A
KF10N60P/F
N沟道MOS场
场效应晶体管
KF10N60P
O
C
F
E
G
B
Q
I
K
M
L
J
H
P
DIM毫米
_
9.9 + 0.2
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
15.95 MAX
1.3+0.1/-0.05
_
0.8 + 0.1
_
3.6 + 0.2
_
2.8 + 0.1
3.7
0.5+0.1/-0.05
1.5
_
13.08 + 0.3
1.46
_
1.4 + 0.1
_
1.27 + 0.1
_
2.54 + 0.2
_
4.5 + 0.2
_
2.4 + 0.2
_
9.2 + 0.2
最大额定值
(Tc=25℃)
等级
特征
漏源电压
栅源电压
@T
C
=25℃
漏电流
@T
C
=100℃
脉冲（注1）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt
（注3）
耗电
耗散
Tc=25℃
减免上述25 °
T
j
T
英镑
符号
KF10N60P
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
178
1.43
150
-55½150
10
6
25
400
16.5
4.5
46
0.37
600
±30
10*
6*
25*
A
F
单位
KF10N60F
V
V
O
1
2
3
1.门
2.漏
3.源
P
Q
TO-220AB
A
KF10N60F
C
mJ
mJ
V / ns的
W
W/℃
℃
℃
K
O
B
E
G
暗淡
MILLIMETERS
最高结温
存储温度范围
热特性
L
M
J
R
D
N
N
H
热阻，结到外壳
热阻，
结到环境
R
thJC
R
thJA
0.7
62.5
2.7
62.5
℃/W
℃/W
1
2
3
Q
*：漏电流受最高结温。
1.门
2.漏
3.源
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
Q
R
_
10.16
+
0.2
_
15.87
+
0.2
_
2.54
+
0.2
_
0.8
+
0.1
_
3.18
+
0.1
_
3.3
+
0.1
_
12.57
+
0.2
_
0.1
0.5
+
_
13.0
+
0.5
_
3.23
+
0.1
1.47 MAX
1.47 MAX
_
2.54
+
0.2
_
6.68
+
0.2
_
4.7
+
0.2
_
2.76
+
0.2
引脚连接
（ KF10N60P ， KF10N60F ）
D
TO- 220IS （1）
G
S
2010. 8. 16
版本号： 0
1/7
KF10N60P/F
电气特性
(Tc=25℃)
特征
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
STATIC
漏源击穿电压
BV
DSS
I
D
=250μ V
GS
=0V
A,
I
D
= 250μ参考25 ℃
A,
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μ
A
V
GS
=±30V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=5A
600
-
-
2.5
-
-
-
0.6
-
-
-
0.59
-
-
10
4.5
±100
0.73
V
V/℃
μ
A
V
nA
击穿电压温度系数
ΔBV
DSS
/ΔT
j
排水截止电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
I
DSS
V
th
I
GSS
R
DS （ ON）
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管评级
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
I
SP
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
＆ LT ; V
th
I
S
= 10A ，V
GS
=0V
I
S
= 10A ，V
GS
=0V,
s
dIs/dt=100A/μ
-
-
-
-
-
-
-
-
350
4.2
10
A
40
1.4
-
-
V
ns
μ
C
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
=300V
I
D
=10A
R
G
=25
(Note4,5)
V
DS
= 480V ，我
D
=10A
V
GS
=10V
(Note4,5)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
26
6
10
32
35
88
30
1350
140
13
-
-
-
-
-
ns
-
-
-
-
-
pF
nC
注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。
注2 ） L = 5.5mH ，我
S
= 10A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
j
=25℃.
注3 ）I
S
≤10A,
DI / dt≤200A / ，V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
j
=25℃.
注4 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300 ，占空比
≤
2%.
注5 ）基本上是独立的工作温度。
记号
1
1
KF10N60
801
P
2
KF10N60
813
F
2
1
产品名称
2
批号
2010. 8. 16
版本号： 0
2/7
KF10N60P/F
Fig1 。我
D
- V
DS
100
V
DS
=30V
Fig2 。我
D
- V
GS
漏电流I
D
(A)
10
V
GS
=7V
V
GS
=5V
漏电流I
D
(A)
V
GS
=10V
10
1
10
0
100
C
25
C
1
0.1
0.1
1
10
100
10
-1
2
4
6
8
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
栅 - 源电压V
GS
(V)
Fig3 。 BV
DSS
- TJ
归一化的击穿电压BV
DSS
1.2
V
GS
= 0V
I
DS
= 250
图四。
DS （ ON）
- I
D
2.4
ON - 电阻r
DS （ ON）
()
2.0
1.6
1.2
0.8
V
GS
=10V
1.1
1.0
V
GS
=6V
0.9
0.4
0
0
0.8
-100
-50
0
50
100
150
5
10
15
20
结温Tj （ C）
漏电流I
D
(A)
Fig5 。我
S
- V
SD
10
2
Fig6 。
DS （ ON）
- TJ
3.0
25
C
V
GS
=10V
I
DS
= 5A
反向漏电流I
S
(A)
10
1
归一化导通电阻
100
C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
10
0
10
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.8
0.0
-100
-50
0
50
100
150
源 - 漏极电压V
SD
(V)
结温Tj （ C）
2010. 8. 16
版本号： 0
3/7
KF10N60P/F
图7. - V
DS
10
4
12
I
D
=10A
Fig8 。 Qg- V
GS
栅 - 源电压V
GS
(V)
V
DS
= 480V
V
DS
= 300V
V
DS
= 120V
10
8
6
4
2
0
0
5
10
电容（pF）
西塞
10
3
科斯
10
2
CRSS
10
1
0
10
20
30
40
15
20
25
30
35
40
漏 - 源极电压V
DS
(V)
门 - 电荷Qg （ NC）
Fig9 。安全工作区
10
2
Fig10 。安全工作区
10
2
(KF10N60P)
10s
(KF10N60F)
漏极电流ID （ A）
10
1
漏极电流ID （ A）
100s
1ms
10
1
10s
100s
10
0
10ms
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
10
0
DC
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
1ms
10ms
DC
10
-1
TC = 25℃
TJ = 150℃
单脉冲
10
-1
TC = 25℃
TJ = 150℃
单脉冲
10
10
0
2
10
1
10
2
10
3
10
10
0
2
10
1
10
2
10
3
漏 - 源极电压V
DS
(V)
漏 - 源极电压V
DS
(V)
Fig11 。我
D
- T
j
14
12
漏电流I
D
(A)
10
8
6
4
2
0
25
50
125
150
75
100
结温Tj （
C
)
2010. 8. 16
版本号： 0
4/7
KF10N60P/F
Fig12 。瞬态热响应曲线
(KF10N60P)
10
0
瞬态热阻
Duty=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
P
DM
t
1
0.02
0.01
t
2
单脉冲
- 占空比，D = T
1
/t
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-5
10
-4
时间（秒）
Fig13 。瞬态热响应曲线
(KF10N60F)
10
1
瞬态热阻
Duty=0.5
10
0
0.2
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
10
-1
0.02
0.01
- 占空比，D = T
1
/t
2
10
-2
10
-5
单脉冲
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
时间（秒）
2010. 8. 16
版本号： 0
5/7
半导体
技术参数
概述
这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良
雪崩特性。它主要适用于有源功率因数
校正和开关式电源。
特点
V
DSS
= 600V ，我
D
=10A
漏极 - 源极导通电阻：
R
DS （ ON）
(Max)=0.69
QG （典型值）= 29.5nC
@V
GS
=10V
D
N
N
A
KF10N60P/F
N沟道MOS场
场效应晶体管
KF10N60P
O
C
F
E
G
B
Q
I
K
M
L
J
H
P
DIM毫米
_
9.9 + 0.2
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
15.95 MAX
1.3+0.1/-0.05
_
0.8 + 0.1
_
3.6 + 0.2
_
2.8 + 0.1
3.7
0.5+0.1/-0.05
1.5
_
13.08 + 0.3
1.46
_
1.4 + 0.1
_
1.27 + 0.1
_
2.54 + 0.2
_
4.5 + 0.2
_
2.4 + 0.2
_
9.2 + 0.2
最大额定值（TC = 25
特征
漏源电压
栅源电压
@T
C
=25
漏电流
@T
C
=100
脉冲（注1）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt
（注3）
耗电
耗散
Tc=25
减免上述25
)
等级
符号
KF10N60P
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
j
T
英镑
190
1.52
150
-55 150
D
N
N
H
单位
KF10N60F
600
30
10
6
25
400
16.5
4.5
50
0.4
10*
6*
25*
A
V
V
O
1
2
3
1.门
2.漏
3.源
P
Q
TO-220AB
KF10N60F
A
F
C
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
K
O
B
E
G
暗淡
MILLIMETERS
最高结温
存储温度范围
热特性
热阻，结到外壳
热阻，
结到环境
L
M
J
R
R
thJC
R
thJA
0.65
62.5
2.5
62.5
/W
/W
1
2
3
Q
*：漏电流受最高结温。
1.门
2.漏
3.源
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
Q
R
_
10.16
+
0.2
_
15.87
+
0.2
_
2.54
+
0.2
_
0.8
+
0.1
_
3.18
+
0.1
_
3.3
+
0.1
_
12.57
+
0.2
_
0.1
0.5
+
_
13.0
+
0.5
_
3.23
+
0.1
1.47 MAX
1.47 MAX
_
2.54
+
0.2
_
6.68
+
0.2
_
4.7
+
0.2
_
2.76
+
0.2
引脚连接
TO- 220IS （1）
（ KF10N60P ， KF10N60F ）
D
G
S
2008. 11. 12
版本号： 0
1/7
KF10N60P/F
电气特性（ TC = 25
特征
)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
符号
STATIC
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
排水截止电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
BV
DSS
BV
DSS
/ T
j
I
DSS
V
th
I
GSS
R
DS （ ON）
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
I
D
= 250 A，参考25
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 30V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=5A
600
-
-
2
-
-
-
0.6
-
-
-
0.59
-
-
10
4
100
0.69
V
V/
A
V
nA
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管评级
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
I
SP
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
＆ LT ; V
th
I
S
= 10A ，V
GS
=0V
I
S
= 10A ，V
GS
=0V,
DIS / DT = 100A / S
-
-
-
-
-
-
-
-
350
4.2
10
A
40
1.4
-
-
V
ns
C
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
=300V
I
D
=10A
R
G
=25
(Note4,5)
V
DS
= 480V ，我
D
=10A
V
GS
=10V
(Note4,5)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
29.5
6.5
12.5
32
35
88
30.5
1255
160
16.5
-
-
-
-
-
ns
-
-
-
-
-
pF
nC
注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。
注2 ） L = 5.5mH ，我
S
= 10A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25 ，起始物为
j
=25
注3 ）I
S
图10A中， di / dt的
200A/
, V
DD
300
注4 ）脉冲测试：脉冲宽度
，占空比
2%.
.
BV
DSS
，起始物为
j
=25 .
注5 ）基本上是独立的工作温度。
记号
1
1
KF10N60
801
P
2
KF10N60
813
F
2
1
产品名称
2
批号
2008. 11. 12
版本号： 0
2/7
KF10N60PR/FR
Fig1 。我
D
- V
DS
100
V
DS
=30V
Fig2 。我
D
- V
GS
漏电流I
D
(A)
10
V
GS
=7V
V
GS
=5V
漏电流I
D
(A)
V
GS
=10V
10
1
10
0
100
C
25
C
1
0.1
0.1
1
10
100
10
-1
2
4
6
8
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
栅 - 源电压V
GS
(V)
Fig3 。 BV
DSS
- TJ
归一化的击穿电压BV
DSS
1.2
V
GS
= 0V
I
DS
= 250
图四。
DS （ ON）
- I
D
2.4
ON - 电阻r
DS （ ON）
()
2.0
1.6
1.2
0.8
V
GS
=10V
1.1
1.0
V
GS
=6V
0.9
0.4
0
0
0.8
-100
-50
0
50
100
150
5
10
15
20
结温Tj （ C）
漏电流I
D
(A)
Fig5 。我
S
- V
SD
10
2
Fig6 。
DS （ ON）
- TJ
3.0
25
C
V
GS
=10V
I
DS
= 5A
反向漏电流I
S
(A)
10
1
归一化导通电阻
100
C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
10
0
10
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.8
0.0
-100
-50
0
50
100
150
源 - 漏极电压V
SD
(V)
结温Tj （ C）
2008. 11. 12
版本号： 0
3/7
KF10N60PR/FR
图7. - V
DS
10
4
12
I
D
=10A
Fig8 。 Qg- V
GS
栅 - 源电压V
GS
(V)
V
DS
= 480V
V
DS
= 300V
V
DS
= 120V
10
8
6
4
2
0
0
5
10
电容（pF）
西塞
10
3
科斯
10
2
CRSS
10
1
0
10
20
30
40
15
20
25
30
35
40
漏 - 源极电压V
DS
(V)
门 - 电荷Qg （ NC）
Fig9 。安全工作区
10
2
Fig10 。安全工作区
10
2
(KF10N60P)
100s
(KF10N60F)
漏极电流ID （ A）
10
1
漏极电流ID （ A）
1ms
10ms
10
1
100s
1ms
10
0
100ms
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
10
0
10ms
DC
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
100ms
10
-1
TC = 25℃
TJ = 150℃
单脉冲
10
-1
TC = 25℃
TJ = 150℃
单脉冲
DC
10
10
0
2
10
1
10
2
10
3
10
10
0
2
10
1
10
2
10
3
漏 - 源极电压V
DS
(V)
漏 - 源极电压V
DS
(V)
Fig11 。我
D
- T
j
14
12
漏电流I
D
(A)
10
8
6
4
2
0
25
50
125
150
75
100
结温Tj （
C
)
2008. 11. 12
版本号： 0
4/7
KF10N60PR/FR
Fig12 。瞬态热响应曲线
(KF10N60P)
10
0
瞬态热阻
Duty=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
0.02
0.01
10
-2
- 占空比，D = T
1
/t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
时间（秒）
Fig13 。瞬态热响应曲线
(KF10N60F)
瞬态热阻
10
0
Duty=0.5
0.2
0.1
10
-1
0.05
P
DM
t
1
0.02
0.01
t
2
单脉冲
10
-2
10
-5
- 占空比，D = T
1
/t
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
时间（秒）
2008. 11. 12
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