二极管模块
DD(KD)100HB120/160
UL ; E76102 M）
（
功率二极管模块
DD100HB
系列设计用于各种整流电路。
DD100HB
具有串联连接的两个二极管芯片和所述安装基座是elctrically
分离出简单的散热片结构元素。宽电压等级最高，
1,600V是缴费的各种输入电压。
安装底座
●
简单的（单相和三相）桥一包两个元素
连接
●
高度可靠的玻璃钝化芯片
●
高浪涌电流能力
（应用程序）
各种整流器，电池充电器，直流马达驱动器
３
93.5MAX
80
26MAX
3
2
+
–
1
2- 6.5
●
隔离
13
~
16.5
23
23
3M5
30MAX
DD
２
２
３
１
１
KD
21
单位：A
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
符号
I
F AV）
（
I
F（ RMS ）
I
FSM
It
2
（Tj＝25℃
除非另有规定编）
项
评级
DF100HB120
1200
1350
条件
单相半波， 180 °
传导，TC ： 111 ℃
单相半波， 180 °
传导，TC ： 111 ℃
1
周期，
／
2
DD100HB160
1600
1700
评级
100
155
1800/2000
16500
40
to
＋150
40
to
＋125
单位
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
℃
℃
V
N½m
（㎏f½B）
g
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
项
平均正向电流
均方根正向电流
正向电流浪涌
It
2
50/60H
Z
，峰值，非重复性
用于浪涌电流的一个周期的值
Tj
TSTG
V
ISO
结温
储存温度
隔离电压
MOUNTING
力矩
块
MOUNTING
（M6）
终奌站
（M5）
A.C.1minute
推荐值2.5-3.9 （ 25-40 ）
推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
2500
4.7（48)
2.7（28)
170
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
RRM
V
FM
项
重复峰值反向电流，最大。
正向压降，最大。
条件
在V
DRM
单相半波。 TJ = 150 ℃
FOWARD电流320A ， TJ = 25 ℃ ，研究所。测量
结到外壳
评级
30
1.35
0.30
单位
mA
V
℃/W
RTH J- C）热阻抗，最大。
（
三社电机
50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
DD(KD)100HB120/160
１
3
０
最大正向特性
２０
０
平均正向电流与
功耗
每一个元素
正向电流I（A ）
F
５
２
１
2
０
５
２
１
1
０
５
０６
．
０８
．
１０
．
１２
．
１４
．
１６
．
１８
．
２０
．
２２
．
功耗帕乌W）
（
特区
１０
５
单相
三相
１０
０
马克斯。
５
０
０
０
２
０
４
０
６
０
８
０
１０
０
１０
２
１０
４
１０
６
正向电压降
（V）
平均正向电流
（A）
允许外壳温度Tc
（℃）
１０
６
１０
５
１０
４
１０
３
１０
２
平均正向电流与
允许外壳温度
每一个元素
２０
００
周期正向电流浪涌额定值
（不重复）
每一个元素
Ｔ= ５
½２ ℃start
正向电流浪涌
（A）
１０
５０
60Hz
１０
００
50Hz
单相
三相
１０
１
１０
０
９
０
８
０
０
２
０
４
０
６
０
８
０
特区
５０
０
１０
０
１０
２
１０
４
１０
６
０
１
２
５
１
０
２
０
５
０
１０
０
平均正向电流
（A）
瞬态热阻抗
θ
（℃/W）
J-
时间
（周期）
瞬态热阻抗
０４
．
１
０
２
０
５ １
１
０
每一个元素
结到外壳
０３
．
０２
．
最大
０１
．
０
０
５ １
-３
２
５ １
-２
２
０
时间
t
秒）
（
５ １
-１
２
０
５ １
０
０
允许外壳温度
（℃）
总功耗
（W）
总功耗
（W）
B6
B6
ID AAV ）。
（
RTH ： 0.8C / W
RTH ： 0.4C / W
RTH ： 0.3C / W
RTH ： 0.2C / W
RTH ： 0.1C / W
７０
０
６０
０
５０
０
４０
０
３０
０
２０
０
１０
０
０
５ １０ １０ ２０
０ ０ ５ ０
０
２
５
B2
ID AAV ）。
（
RTH ： 0.8C / W
RTH ： 0.4C / W
RTH ： 0.3C / W
RTH ： 0.2C / W
RTH ： 0.1C / W
７０
０
６０
０
５０
０
４０
０
３０
０
２０
０
１０
０
０
０
１０
５
１０
２
１1０
１０
２
１3０
１4０
１０
３
１０
４
１5０
５ ７ １０ １５ １０
０ ５ ０
２ ５
３０
０
０
２ ５
５ ０
１０
５
７ １０ １５ １０
５ ０ ２ ５
输出电流
（A）
环境温度
（℃）
输出电流
（A）
环境温度
（℃）
三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
允许外壳温度
（℃）
８０
０
输出电流
B；
2两个时脉桥
连接
８０
０
输出电流
B ，脉波桥
6六
连接
二极管模块
DD(KD)100HB120/160
UL ; E76102 M）
（
功率二极管模块
DD100HB
系列设计用于各种整流电路。
DD100HB
具有串联连接的两个二极管芯片和所述安装基座是elctrically
分离出简单的散热片结构元素。宽电压等级最高，
1,600V是缴费的各种输入电压。
安装底座
●
简单的（单相和三相）桥一包两个元素
连接
●
高度可靠的玻璃钝化芯片
●
高浪涌电流能力
（应用程序）
各种整流器，电池充电器，直流马达驱动器
３
93.5MAX
80
26MAX
3
2
+
–
1
2- 6.5
●
隔离
13
~
16.5
23
23
3M5
30MAX
DD
２
２
３
１
１
KD
21
单位：A
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
符号
I
F AV）
（
I
F（ RMS ）
I
FSM
It
2
（Tj＝25℃
除非另有规定编）
项
评级
DF100HB120
1200
1350
条件
单相半波， 180 °
传导，TC ： 111 ℃
单相半波， 180 °
传导，TC ： 111 ℃
1
周期，
／
2
DD100HB160
1600
1700
评级
100
155
1800/2000
16500
40
to
＋150
40
to
＋125
单位
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
℃
℃
V
N½m
（㎏f½B）
g
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
项
平均正向电流
均方根正向电流
正向电流浪涌
It
2
50/60H
Z
，峰值，非重复性
用于浪涌电流的一个周期的值
Tj
TSTG
V
ISO
结温
储存温度
隔离电压
MOUNTING
力矩
块
MOUNTING
（M6）
终奌站
（M5）
A.C.1minute
推荐值2.5-3.9 （ 25-40 ）
推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
2500
4.7（48)
2.7（28)
170
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
RRM
V
FM
项
重复峰值反向电流，最大。
正向压降，最大。
条件
在V
DRM
单相半波。 TJ = 150 ℃
FOWARD电流320A ， TJ = 25 ℃ ，研究所。测量
结到外壳
评级
30
1.35
0.30
单位
mA
V
℃/W
RTH J- C）热阻抗，最大。
（
三社电机
50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
DD(KD)100HB120/160
１
3
０
最大正向特性
２０
０
平均正向电流与
功耗
每一个元素
正向电流I（A ）
F
５
２
１
2
０
５
２
１
1
０
５
０６
．
０８
．
１０
．
１２
．
１４
．
１６
．
１８
．
２０
．
２２
．
功耗帕乌W）
（
特区
１０
５
单相
三相
１０
０
马克斯。
５
０
０
０
２
０
４
０
６
０
８
０
１０
０
１０
２
１０
４
１０
６
正向电压降
（V）
平均正向电流
（A）
允许外壳温度Tc
（℃）
１０
６
１０
５
１０
４
１０
３
１０
２
平均正向电流与
允许外壳温度
每一个元素
２０
００
周期正向电流浪涌额定值
（不重复）
每一个元素
Ｔ= ５
½２ ℃start
正向电流浪涌
（A）
１０
５０
60Hz
１０
００
50Hz
单相
三相
１０
１
１０
０
９
０
８
０
０
２
０
４
０
６
０
８
０
特区
５０
０
１０
０
１０
２
１０
４
１０
６
０
１
２
５
１
０
２
０
５
０
１０
０
平均正向电流
（A）
瞬态热阻抗
θ
（℃/W）
J-
时间
（周期）
瞬态热阻抗
０４
．
１
０
２
０
５ １
１
０
每一个元素
结到外壳
０３
．
０２
．
最大
０１
．
０
０
５ １
-３
２
５ １
-２
２
０
时间
t
秒）
（
５ １
-１
２
０
５ １
０
０
允许外壳温度
（℃）
总功耗
（W）
总功耗
（W）
B6
B6
ID AAV ）。
（
RTH ： 0.8C / W
RTH ： 0.4C / W
RTH ： 0.3C / W
RTH ： 0.2C / W
RTH ： 0.1C / W
７０
０
６０
０
５０
０
４０
０
３０
０
２０
０
１０
０
０
５ １０ １０ ２０
０ ０ ５ ０
０
２
５
B2
ID AAV ）。
（
RTH ： 0.8C / W
RTH ： 0.4C / W
RTH ： 0.3C / W
RTH ： 0.2C / W
RTH ： 0.1C / W
７０
０
６０
０
５０
０
４０
０
３０
０
２０
０
１０
０
０
０
１０
５
１０
２
１1０
１０
２
１3０
１4０
１０
３
１０
４
１5０
５ ７ １０ １５ １０
０ ５ ０
２ ５
３０
０
０
２ ５
５ ０
１０
５
７ １０ １５ １０
５ ０ ２ ５
输出电流
（A）
环境温度
（℃）
输出电流
（A）
环境温度
（℃）
三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
允许外壳温度
（℃）
８０
０
输出电流
B；
2两个时脉桥
连接
８０
０
输出电流
B ，脉波桥
6六
连接
QQ：2880707522 复制
