【半导体技术参数恒压调节应用。特点小包→正常电压容差公司±2%.阴极标记B1KDZ9.3V稳压二极管硅】,IC型号KDZ9.3V,KDZ9.3V PDF资料,KDZ9.3V经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

技术参数

恒压调节应用。

特点

小

包

→正常

电压容差公司

±2%.

阴极标记

B

1

KDZ9.3V

稳压二极管

硅外延平面二极管

G

K

E

A

H

F

2

D

J

C

I

最大额定值（ TA = 25

特征

功耗

结温

存储温度范围

)

符号

P

D

*

T

j

T

英镑

等级

200*

150

-55 150

,

1.阳极

2.阴极

暗淡

A

单位

mW

M

M

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

MILLIMETERS

_

2.50 + 0.1

_

+ 0.05

1.25

_

0.90 + 0.05

0.30+0.06/-0.04

_

1.70 + 0.05

MIN 0.17

_

0.126 + 0.03

0~0.1

1.0 MAX

_

0.15 + 0.05

_

0.4 + 0.05

2 +4/-2

4~6

*安装在20 20的玻璃环氧电路板

4 4盘尺寸。

南加州大学

记号

型号名称

93

电气特性（Ta = 25℃）

特征

齐纳电压

动态阻抗

膝关节动态阻抗

反向电流

符号

V

Z

Z

Z

Z

ZK

I

R

I

Z

=5mA

I

Z

=5mA

I

Z

=0.5mA

V

R

=7V

测试条件

分钟。

9.1

-

-

-

典型值。

-

-

-

-

马克斯。

9.5

18

120

0.5

单位

V

μ

A

2008. 3. 26

版本号： 0

L

1/1

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