【半导体技术参数VCO超高频波段收音机。KDV240E变容二极管硅外延平面二极管高电容比：C1V/C4】,IC型号KDV240E,KDV240E PDF资料,KDV240E经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

技术参数

VCO超高频波段收音机。

KDV240E

变容二极管

硅外延平面二极管

高电容比：C

1V

/C

4V

=2.1(Typ.)

低串联电阻值：R

s

=0.28

有用的小尺寸调谐器。

（典型值）。

阴极标记

特点

C

1

E

2

D

F

最大额定值（ TA = 25

特征

反向电压

结温

存储温度范围

)

符号

V

R

T

j

T

英镑

等级

10

150

-55 150

单位

V

1.阳极

2.阴极

B

A

暗淡

A

B

C

D

E

F

MILLIMETERS

_

1.60 + 0.10

_

1.20 + 0.10

_ 0.10

0.80 +

_

0.30 + 0.05

_

+ 0.10

0.60

_

0.13 + 0.05

Esc键

电气特性（ TA = 25 ）

特征

反向电压

反向电流

电容

电容比

串联电阻

符号

V

R

I

R

C

1V

C

4V

K

r

S

I

R

=1 A

V

R

=10V

V

R

= 1V ， F = 1MHz的

V

R

= 4V ， F = 1MHz的

C

1V

/C

4V

， F = 1MHz的

V

R

= 1V ， F = 470MHz的

测试条件

分钟。

10

-

9.7

4.45

1.8

-

典型值。

-

-

-

-

2.1

0.28

马克斯。

-

3

11.1

5.45

-

0.4

单位

V

nA

pF

记号

型号名称

EC

2003. 1. 27

版本号： 0

1/2

KDV240E

C

T

- V

R

100

电容C

T

（PF ）

50

30

串联电阻r

s

()

f=1MHz

TA = 25℃

r

s

- V

R

0.4

f=470MHz

TA = 25℃

0.3

10

5

3

0.2

0.1

1

0

1

2

3

4

5

6

0

0.1

0.3 0.5

1

3

5

10

反向电压V

R

(V)

反向电压V

R

(V)

2003. 1. 27

版本号： 0

2/2

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