【半导体技术参数对于移动应用的天线开关。特点低电容：CT= 0.30 [ pF的] （最大）低串联电阻】,IC型号KDV144EL,KDV144EL PDF资料,KDV144EL经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

技术参数

对于移动应用的天线开关。

特点

低电容：C

T

= 0.30 [ pF的] （最大）

低串联电阻值：R

S

=1.3[

小包装。

J

2

B

I

1

KDV144EL

硅外延PIN型二极管

2

E

A

F

H

] （最大）

1

G

D

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

G

最大额定值（ TA = 25

特征

反向电压

正向电流

结温

存储温度范围

)

符号

V

R

I

F

T

j

T

英镑

等级

30

100

150

-55 150

单位

V

mA

C

H

I

MILLIMETERS

_

0.6 + 0.05

_

0.3 + 0.05

_

0.28 + 0.05

_

0.25 + 0.05

_ 0.05

0.18 +

典型值0.36

_

0.025 + 0.02

_ 0.05

0.2 +

最大0.3

典型值0.1

1.阳极

2. CATHCDE

J

ELP-2

电气特性（ TA = 25 ）

特征

反向电流

正向电压

总电容

串联电阻

防静电能力*

*失败cirterion ：我

R

>100nA在V

R

=30V.

符号

I

R

V

F

C

T

r

s

-

测试条件

V

R

=30V

I

F

=10mA

V

R

= 1V ， F = 1MHz的

I

F

= 10毫安中，f = 100MHz的

C = 200pF的， R = 0 ，

正向和反向

方向1脉冲

分钟。

-

-

-

-

100

典型值。

-

-

-

-

-

马克斯。

0.1

1.0

0.30

1.3

-

单位

A

V

pF

2008. 12. 16

版本号： 2

1/2

KDV144EL

I

F

- V

F

正向电流I

F

(A)

10

0

10

-1

10

-2

10

-3

10

-4

10

-5

10

-6

TA = 25℃

10

-09

TA = 25℃

I

R

- V

R

反向电流I

R

(A)

10

-10

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

10

-11

0

2

4

6

8

10

正向电压V

F

(V)

反向电压V

R

(V)

C

T

- V

R

总电容C

T

（PF ）

1.0

r

s

100

- I

F

f=100MHz

TA = 25℃

串联电阻r

S

()

2

4

6

8

10

f=1MHz

TA = 25℃

10

1

0.1

0

0

0

2

4

6

8

10

反向电压V

R

(V)

正向电流I

F

（MA ）

2008. 12. 16

版本号： 2

2/2

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