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半导体
标识特定网络阳离子
KDS135
USC包装
1.标记方法
激光打标
2.标记
2
JA
1
号
①
②
项
马克设备
级的hFE
*批号
记号
JA
-
01
0 1
描述
KDS135
-
2006年第1周
[ 0 ：第1个字符， 1 ：第2个字符]
5
(E)
E
(5)
6
(F)
F
(6)
Periode （年）
注）*批号标注方法
性格
安排
YEAR
1个字符
第2个字符
1
(A)
A
(1)
2
(B)
B
(2)
3
(C)
C
(3)
4
(D)
D
(4)
7
(G)
G
(7)
8
(H)
H
(8)
9
(I)
I
(9)
备注
0
(J)
J
(0)
标记（周）
01
0A
J1
JA
02
0B
J2
JB
…
…
…
…
51
5A
E1
EA
52
5B
E2
EB
第1年（ 2006年）
第二年（ 2007年）
第三年（2008年）
第4年（ 2009年）
2006-2010-2014...
2007-2011-2015...
旋转4年
2008-2012-2016...
2009-2013-2017...
2008 .9 11
版本号： 1
1/1
半导体
技术参数
高电压开关。
特点
高可靠性。
小型表面安装型（ USC ） 。
阴极标记
B
1
KDS135
硅外延平面二极管
G
K
A
H
F
2
D
E
J
C
I
最大额定值（ TA = 25
特征
最大（峰值）反向电压
反向电压
最大（峰值）正向电流
平均正向电流
浪涌电流（ 10毫秒）
功耗
结温
存储温度范围
4 4毫米垫尺寸
)
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
D
T
j
T
英镑
等级
300
250
300
100
2
150*
150
-55 150
单位
V
V
mA
mA
A
mW
1.阳极
2.阴极
M
M
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
MILLIMETERS
_
2.50 + 0.1
_
1.25 + 0.05
_
0.90 + 0.05
0.30+0.06/-0.04
_
1.70 + 0.05
MIN 0.17
_
0.126 + 0.03
0~0.1
1.0 MAX
_
0.15 + 0.05
_
0.4 + 0.05
2 +4/-2
4~6
南加州大学
*安装在20 20毫米的玻璃环氧树脂cirvuit板
电气特性（ TA = 25 ）
特征
正向电压
反向电流
总电容
反向恢复时间
符号
V
F
I
R(1)
I
R(2)
C
T
t
rr
测试条件
I
F
=100mA
V
R
=250V
V
R
=300V
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
I
R
= 30mA时我
F
=30mA
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
1.0
0.04
-
1.35
30
马克斯。
1.2
0.2
100
3
100
单位
V
A
pF
nS
记号
型号名称
JA
2001. 6. 11
版本号： 0
L
1/2
KDS135
I
F
- V
F
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
200
400
600
800
1000
1200
TA = 25℃
I
R
- V
R
100
反向电流I
R
（ nA的）
TA = 25℃
正向电流I
F
(A)
10
1
0.1
0
50
100
150
200
250
300
正向电压V
F
（毫伏）
反向电压V
R
(V)
C
T
- V
R
终端电容C
T
（PF ）
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
f=1MHz
TA = 25℃
0
10
20
30
反向电压V
R
(V)
2001. 6. 11
版本号： 0
2/2
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操作
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    -
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KEC
22+
24580
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