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首字符K的型号第185页
> KDR729
半导体
技术参数
低电压高开关速度。
特点
低正向电压: V
F(4)
=0.43V(Typ.)
I
O
= 200毫安整改可能的。
小型封装: USC 。
阴极标记
B
1
KDR729
肖特基型二极管
G
K
A
H
E
2
D
J
C
I
最大额定值( TA = 25
特征
最大(峰值)反向电压
反向电压
最大(峰值)正向电流
平均正向电流
浪涌电流( 10毫秒)
功耗
结温
存储温度范围
4 4毫米垫的尺寸。
)
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
D
T
j
T
英镑
等级
30
30
300
200
1
200*
125
-55 125
单位
V
V
mA
mA
A
mW
M
M
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
MILLIMETERS
_
2.50 + 0.1
_ 0.05
1.25 +
_
0.90 + 0.05
0.30+0.06/-0.04
_
1.70 + 0.05
MIN 0.17
_
0.126 + 0.03
0~0.1
1.0 MAX
_
0.15 + 0.05
_
0.4 + 0.05
2 +4/-2
4~6
1.阳极
2.阴极
南加州大学
* :安装在20 20mm的玻璃环氧电路板,
记号
型号名称
UM
电气特性( TA = 25 )
特征
符号
V
F(1)
正向电压
V
F(2)
V
F(3)
V
F(4)
反向电流
总电容
I
R
C
T
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
=200mA
V
R
=30V
V
R
= 0V , F = 1MHz的
测试条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
0.22
0.29
0.38
0.43
-
50
马克斯。
-
-
-
0.55
50
-
A
pF
V
单位
2003. 2. 25
版本号: 4
F
L
1/2
KDR729
I
F
正向电流I
F
(MA )
10
10
1
10
-1
10
-2
10
-3
2
- V
F
10
反向电流I
R
(A)
TA = 25℃
I
R
- V
R
TA = 25℃
5
1
0.5
10
-4
0
100
200
300
400
500
0
5
10
15
20
25
30
正向电压V
F
(毫伏)
反向电压V
R
(V)
C
T
100
总电容C
T
(PF )
- V
R
TA = 25℃
f=1MHz
50
10
5
0
5
10
15
20
25
30
反向电压V
R
(V)
2003. 2. 25
版本号: 4
2/2
半导体
标识特定网络阳离子
KDR729
USC包装
1.标记方法
激光打标
2.标记
2
UM
1
号
项
马克设备
级的hFE
*批号
注)*批号标注方法
记号
UM
-
01
0 1
描述
KDR729
-
2006年第1周
[ 0 :第1个字符, 1 :第2个字符]
5
(E)
E
(5)
6
(F)
F
(6)
Periode (年)
性格
安排
YEAR
1个字符
第2个字符
1
(A)
A
(1)
2
(B)
B
(2)
3
(C)
C
(3)
4
(D)
D
(4)
7
(G)
G
(7)
8
(H)
H
(8)
9
(I)
I
(9)
备注
0
(J)
J
(0)
标记(周)
01
0A
J1
JA
02
0B
J2
JB
51
5A
E1
EA
52
5B
E2
EB
第1年( 2006年)
第二年( 2007年)
4届年度( 2008年)
第4年( 2009年)
2006-2010-2014...
2007-2011-2015...
旋转4年
2008-2012-2016...
2009-2013-2017...
2008. 9. 11
版本号: 1
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型号
厂家
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操作
深圳市壹芯创科技有限公司
QQ:
QQ:2880707522
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电话:0755-82780082
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地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
KDR729
-
-
-
-
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