【半导体技术参数对于高速切换。KDR582S肖特基型二极管特点ULOW反向电流，低电容。LEBL2AG】,IC型号KDR582S,KDR582S PDF资料,KDR582S经销商,ic,电子元器件-51电子网

半导体

技术参数

对于高速切换。

KDR582S

肖特基型二极管

特点

ULOW

反向电流，低电容。

最大额定值（ TA = 25 ℃ ）

特征

反向重复峰值电压

反向电压

正向电流

结温

存储温度范围

符号

英镑

等级

130

150

-55½150

单位

℃

暗淡

MILLIMETERS

2.93 + 0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30最大

0.40+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

SOT-23

记号

LOT号

型号名称

电气特性（Ta = 25℃）

特征

符号

测试条件

=0.1mA

正向电压

=1mA

=10mA

反向电流

总电容

串联电阻

=3V

= 3V ，T

=60℃

= 0V ， F = 1MHz的

= 5毫安中，f = 10kHz的

分钟。

0.2

0.25

0.35

0.4

典型值。

马克斯。

0.35

0.45

0.6

0.25

1.25

0.75

单位

2009. 12. 9

版本号： 0

1/2

KDR582S

- V

1.0

f=1MHz

- V

总电容C

（PF ）

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

反向电流I

(A)

TA = 25℃

反向电压V

(V)

反向电流V

(V)

- I

f=1MHz

正向电流I

（MA ）

-1

-2

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

正向电压V

(V)

2009. 12. 9

版本号： 0

2/2

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21+

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