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半导体
技术参数
低电压高开关速度。
KDR393
肖特基型二极管
特点
ULOW
正向电压： V
F
=0.60V(Max.)
A
E
M
B
M
ULOW
反向电流：我
R
=5μ
A（最大）
2
D
3
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
1
MILLIMETERS
_
2.00 + 0.20
_
1.25 + 0.15
_
0.90 + 0.10
0.3+0.10/-0.05
_
2.10 + 0.20
0.65
0.15+0.1/-0.06
1.30
0.00-0.10
0.70
_
0.42 + 0.10
0.10敏
J
G
C
L
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
特征
反向重复峰值电压
反向电压
平均正向电流
非重复性峰值浪涌电流
(10mA)
结温
储存温度
符号
V
RRM
V
R
I
O
I
FSM
T
j
T
英镑
等级
40
40
0.1
1
125
-55½125
单位
V
V
A
A
℃
℃
H
N
K
N
L
M
N
3
1.阳极1
2.阳极2
3.阴极
2
1
USM
记号
LOT号
型号名称
R9
电气特性（Ta = 25℃）
特征
正向电压
反向电流
总电容
符号
V
F
I
R
C
T
测试条件
I
F
=10mA
I
F
=100mA
V
R
=10V
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
分钟。
-
-
-
-
典型值。
0.36
0.51
-
20
马克斯。
-
V
0.60
5
25
μ
A
pF
单位
2008. 9. 8
版本号： 3
1/2
KDR393
C
T
- V
R
终端电容C
T
（PF ）
25
20
15
10
5
0
10
3
I
R
- V
R
反向电流I
R
（ nA的）
10
2
0
10
20
30
40
10
0
10
20
30
40
反向电压V
R
(V)
反向电压V
R
(V)
I
F
- V
F
正向电流I
F
（ nA的）
8
10
10
10
10
10
10
10
7
6
5
4
3
2
0
200
400
600
800
正向电压V
F
（毫伏）
2008. 9. 8
版本号： 3
2/2
半导体
技术参数
低电压高开关速度。
KDR393
肖特基型二极管
特点
低正向电压： V
F
=0.60V(Max.)
A
E
M
B
M
D
3
低反向电流：I
R
= 5 A（最大）
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
2
1
MILLIMETERS
_
2.00 + 0.20
_
1.25 + 0.15
_
0.90 + 0.10
0.3+0.10/-0.05
_
2.10 + 0.20
0.65
0.15+0.1/-0.06
1.30
0.00-0.10
0.70
_
0.42 + 0.10
0.10敏
J
G
C
L
最大额定值（ TA = 25
特征
反向重复峰值电压
反向电压
平均正向电流
非重复性峰值浪涌电流
(10mA)
结温
储存温度
)
符号
V
RRM
V
R
I
O
I
FSM
T
j
T
英镑
等级
40
40
0.1
1
125
-55 125
单位
V
V
A
A
H
N
K
N
L
M
N
3
1.阳极1
2.阳极2
3.阴极
2
1
USM
记号
R9
电气特性（ TA = 25 ）
特征
正向电压
反向电流
总电容
符号
V
F
I
R
C
T
测试条件
I
F
=10mA
I
F
=100mA
V
R
=10V
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
分钟。
-
-
-
-
典型值。
0.36
0.51
-
20
马克斯。
-
0.60
5
25
单位
V
A
pF
2003. 2. 25
版本号： 2
1/2
KDR393
C
T
- V
R
终端电容C
T
（PF ）
25
20
15
10
5
0
反向电流I
R
（ nA的）
10
3
I
R
- V
R
10
2
0
10
20
30
40
10
0
10
20
30
40
反向电压V
R
(V)
反向电压V
R
(V)
I
F
- V
F
正向电流IF （ NA）
10
10
10
10
10
10
10
8
7
6
5
4
3
2
0
200
400
600
800
正向电压V F （MV ）
2003. 2. 25
版本号： 2
2/2
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K8D1716UBC-DC09
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