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二极管模块
DD55F/KD55F
UL ; E76102 M)
功率二极管模块
DD55F
系列设计用于各种整流电路。
DD55F
具有串联连接的25mm以内( 1英寸) 2二极管芯片宽度封装和安装
基地elctrically从简单的散热片结构元素分离出来。宽电压
等级达, 1,600V缴费是各种输入电压。
安装底座
简单的(单相和三相)桥一包两个元素
连接
高度可靠的玻璃钝化芯片
高浪涌电流能力
(应用程序)
各种整流器,电池充电器,直流马达驱动器
2- 6
20
20
92
20
隔离
25
12.5
12
M5X10
31max
19.5
4.0
DD
80±0.2
KD
单位:A
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
符号
I
F AV)
I
F( RMS )
I
FSM
It
2
(Tj=25℃
除非另有规定编)
评级
DD55F40
400
480
DD55F80
800
960
条件
单相半波, 180 °
传导,TC : 89 ℃
单相半波, 180 °
传导,TC : 89 ℃
1
周期,
2
6.5
DD55F120
1200
1300
DD55F160
1600
1700
评级
55
86
1600/1750
12800
2500
40
to
+125
40
to
+125
单位
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
V
N½m
(㎏f½B)
g
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
平均正向电流
均方根正向电流
正向电流浪涌
It
2
50/60H
Z
,峰值,非重复性
用于浪涌电流的一个周期的值
V
ISO
Tj
TSTG
绝缘击穿电压
(均方根)
A.C.1minute
结温
储存温度
MOUNTING
力矩
MOUNTING
(M5)
终奌站
(M5)
推荐值1.5-2.5 ( 15-25 )
推荐值1.5-2.5 ( 15-25 )
2.7(28)
2.7(28)
170
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
RRM
V
FM
重复峰值反向电流,最大。
正向压降,最大。
条件
在V
DRM
单相半波。 TJ = 125 ℃
正向电流170A , TJ = 25 ℃ ,研究所。测量
结到外壳
评级
15
1.40
0.50
单位
mA
V
℃/W
RTH J- C)热阻抗,最大。
三社电机
50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH ( 516 ) 625-1313传真( 516 ) 625-8845电邮: semi@sanrex.com
DD55F/KD55F
3
最大正向特性
10
平均正向电流与
功耗
每一个元素
功耗帕乌W)
正向电流
(A)
10
特区
2
单相
三相
马克斯。
1
0 3
9 10
0 0
正向电压降
(V)
平均正向电流A)
允许外壳温度Tc
(℃)
10
10
10
10
平均正向电流与
允许外壳温度
每一个元素
20
00
周期正向电流浪涌额定值
(不重复)
每一个元素
T = 5开始
½2 ℃
正向电流浪涌
(A)
10
50
三相
单相
特区
10
00
60Hz
50Hz
50
1
2
平均正向电流A)
瞬态热阻抗
θ
(℃/W)
J-
时间
(周期)
10
09
08
07
06
05
04
03
02
01
瞬态热阻抗
每一个元素
结到外壳
-3
-2
-1
时间
t
秒)
允许外壳温度
(℃)
ID AV)
40
30
20
RTH : 1.0 ℃ / W
RTH : 0.8 ℃ / W
RTH : 0.6 ℃ / W
RTH : 0.4 ℃ / W
RTH : 0.2 ℃ / W
RTH : 0.1 ℃ / W
40
30
B6
ID( AV )
10
10
10
15
B2
RTH : 0.6 ℃ / W
RTH : 0.4 ℃ / W
RTH : 0.2 ℃ / W
RTH : 0.8 ℃ / W
RTH : 0.1 ℃ / W
10
10
20
10
10
10
10
15
10
10
10
输出电流
(A)
环境温度
(℃)
输出电流
( a)环境温度
(℃)
三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH ( 516 ) 625-1313传真( 516 ) 625-8845电邮: semi@sanrex.com
允许外壳温度
(℃)
50
输出电流
B;
2两个时脉桥
连接
总功耗
(W)
50
输出电流
B ,脉波桥
6六
连接
总功耗
(W)
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