KBU8A - KBU8M
KBU8A - KBU8M
特点
高浪涌电流能力。
可靠的施工技术。
理想的印刷电路板。
- ~~
+
KBU
桥式整流器器
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
8A
最高重复反向电压
最大RMS桥输入电压
采用直流反接电压
（额定V
R
)
平均正向电流整流， @ T
A
= 50°C
非重复峰值正向浪涌电流
存储温度范围
工作结温
50
35
50
8B
100
70
100
8D
200
140
200
价值
8G
400
280
400
8.0
300
-55到+150
-55到+150
8J
600
420
600
8K
800
560
800
8M
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
功耗
热阻，结到环境， *每腿
热阻，结到铅， *每腿
参数
价值
6.9
18
3.0
单位
W
° C / W
° C / W
*
设备安装在PCB与0.375 " （9.5 mm）引线长度和0.5× 0.5" （ 13× 13mm）的铜焊盘。
电气特性
符号
V
F
I
R
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
正向电压，每桥@ 8.0 A
反向电流，总桥@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
设备
1.0
10
500
单位
V
A
A
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
KBU8A - KBU8M ，版本C
KBU8A - KBU8M
桥式整流器器
（续）
典型特征
平均正向电流整流，我
F
[A]
8
100
6
正向电流I
F
[A]
10
4
2
单相
半波
60Hz
电阻或
感性负载
长度
0
50
100
150
1
T
J
= 25
C
A
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0
0.1
0.6
0.7
环境温度[摄氏度]
0.8
0.9
1
1.1
正向电压，V
F
[V]
1.2
1.3
图1.正向电流降额曲线
图2.正向电压特性
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
300
250
200
150
100
50
0
反向电流，I
R
[马]
100
T
A
= 100
C
10
1
T
A
= 25
C
0.1
1
2
5
10
20
循环次数在60Hz
50
100
0
20
40
60
80
100
120
140
额定峰值反向电压（％）百分比
图3.不重复浪涌电流
图4.反向电流与反向电压
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
KBU8A - KBU8M ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
QQ：2880707522 复制
