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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第52页 > KBU600
TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。
KBU600 - KBU610
6.0A桥式整流器
特点
!
!
!
!
!
!
!
扩散结
低正向压降
高电流能力
高可靠性
高浪涌电流能力
理想的印刷电路板
UL认证文件号E157705
A
B
C
D
K
L
-
~ ~ +
E
KBU
暗淡
最大
A
22.70
23.70
B
3.80
4.10
C
4.20
4.70
D
1.70
2.20
E
10.30
11.30
G
4.50
6.80
H
4.60
5.60
J
25.40
K
19.30
L
16.80
17.80
M
6.60
7.10
N
4.70
5.20
P
1.20
1.30
尺寸:mm
J
G
H
M
机械数据
!
!
!
!
!
!
案例:模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:对人体标示
重量:8.0克数(大约)
安装位置:任意
标记:型号数量
N
P
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
KBU
600
50
35
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@T
C
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
R
I
2
t
R
θJC
T
j,
T
英镑
KBU
601
100
70
KBU
602
200
140
KBU
604
400
280
6.0
250
1.0
10
1.0
166
4.2
-65到+150
KBU
606
600
420
KBU
608
800
560
KBU
610
1000
700
单位
V
V
A
A
V
A
mA
A
2
s
K / W
°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
正向电压(每件)
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
额定值融合(T < 8.3ms的) (注1 )
典型热阻(注2 )
工作和存储温度范围
@I
F
= 3.0A
@T
C
= 25°C
@T
C
= 100°C
注: 1。非重复性对于T >毫秒和< 8.3ms的。
2.热阻结每个单元安装在PC板13.0x13.0x0.03mm厚的土地面积来区分。
KBU600 - KBU610
1第3
2002韩元鼎好电子
6
5
100
I
F
瞬时正向电流(A)
I
(AV)
,平均输出电流( A)
4
3
10
2
1.0
1
单相半波
60赫兹电阻或电感性负载
T
j
= 25C
脉冲宽度= 300毫秒
0
20
40
60
80
100 120 140
T
C
,外壳温度( ℃)
图。 1正向电流降额曲线
0.1
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
1.1 1.2 1.3
V
F
瞬时正向电压( V)
图。 2典型正向特性,每个元素
250
I
FSM
峰值正向浪涌电流( A)
400
200
C
j
,电容(pF )
150
100
100
50
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
T
j
= 25C
F = 1MHz的
0
10
100
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
I
R
,瞬时反向电流(mA)
10
10
1
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容每元
1
T
j
= 100C
1.0
0.1
T
j
= 25C
0.01
0
20
40
60
80
100 120 140
峰值反向额定电压的百分比(% )
图。 5典型的反向特性
KBU600 - KBU610
2 3
2002韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
KBU600
KBU601
KBU602
KBU604
KBU606
KBU608
KBU610
套餐类型
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
送货数量
400单位/箱
400单位/箱
400单位/箱
400单位/箱
400单位/箱
400单位/箱
400单位/箱
鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单
量,请咨询售楼部。
KBU600 - KBU610
3 3
2002韩元鼎好电子
数据表
6.0安培
单相硅桥
机械尺寸
KBU600 。 。 。 610系列
描述
机械数据:
重量 - 0.3盎司。安装扭矩 -
5.1磅。安装位置 - 任何。
特点
n
紧凑的尺寸
n
低漏电流
n
250 AMP浪涌过载额定值
n
符合UL规格94V- 0
电气特性@ 25
o
C.
最大额定值
峰值重复反向电压... V
RRM
RMS反向电压... V
R( RMS )
DC阻断电压... V
DC
平均正向整流电流... I
F( AV )
T
A
= 25°C
非重复性峰值正向浪涌电流... I
FSM
8.3 mS Single ½ Sine Wave Imposed on Rated Load
正向电压... V
F
桥元@ 6.0安培
DC反向电流... I
R
@额定阻断电压DC
典型热阻...
θJC
工作温度范围牛逼...
J
存储温度范围牛逼...
STRG
T
A
= 25°C
T
A
=100°C
KBU600 。 。 。 610系列
KBU600
50
35
50
KBU601
100
70
100
KBU602
200
140
200
KBU604
400
280
400
KBU606
600
420
600
KBU608
800
560
800
KBU610
1000
700
1000
单位
............................................. 6.0 .... ...........................................安培
............................................. 250 .... ...........................................安培
............................................. 1.0 ...............................................
............................................. 10 ...............................................
μAMPS
............................................. 1.0 .... ...........................................毫安
............................................. 10 ...............................................
......................................... -55至125 ..... .....................................
......................................... -55至150 ..... .....................................
°C
/ W
°C
°C
第3-19页
数据表
6.0安培
单相硅桥
不重复
峰值正向浪涌电流
正向电流降额曲线
6
5
4
安培
300
安培
200
100
1
10
循环次数@ 60 Hz的
100
3
2
1
0
25
5 0 7 5 100 125
°
铅温度( ℃)
典型的正向特性
100
10
典型的反向特性
10
安培
T
J
= 25°C
°
1
安培
1
.1
0
.7
.9
1.1
1.3
1.5
.01
0
4 0 8 0 120 160
额定峰值电压的百分比
电气说明
典型结电容
1000
pF
100
AC IN
在收视率
25℃ 。 C环境
温度
除非另有
指定的。
10
.1
1.0
10
100
反向电压(伏)
DC OUT
单相半
波, 60赫兹
电阻或
感性负载。
对于电容
负载,减免
电流20% 。
第3-20页
KBU600 。 。 。 610系列
WTE
功率半导体
KBU600 - KBU610
Pb
6.0A单相桥式整流器
特点
!
扩散结
A
KBU
暗淡
最大
22.70
23.70
A
3.60
4.10
B
4.20
4.70
C
1.70
2.20
D
10.30
11.30
E
4.50
5.60
G
4.60
5.60
H
25.40
J
19.30
K
16.80
17.80
L
6.60
7.10
M
4.10
4.60
N
1.20
1.30
P
尺寸:mm
!
低正向压降
B
C
!
高电流能力
D
!
高可靠性
!
高浪涌电流能力
K·L
!
理想的印刷电路板
-
~ ~ +
E
!
可识别的文件# E157705

J
机械数据
!
!
!
!
!
!
!
案例: KBU ,模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:对人体标示
重量:8.0克数(大约)
安装位置:任意
安装扭矩10厘米千克(在8.8磅)最大。
无铅:对于符合RoHS /无铅版本,
新增“ -LF ”后缀型号,见第4页
H
M
G
N
P
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
KBU
600
50
35
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
(注1 )
@T
C
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
KBU
601
100
70
KBU
602
200
140
KBU
604
400
280
6.0
KBU
606
600
420
KBU
608
800
560
KBU
610
1000
700
单位
V
V
A
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
每腿正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 3.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 125°C
I
FSM
V
FM
I
R
R
θJA
R
θJC
T
j,
T
英镑
250
1.0
5.0
1.0
8.6
3.1
-65到+150
A
V
A
mA
° C / W
° C / W
°C
每腿典型热阻(注2 )
典型热阻每支架(注1 )
工作和存储温度范围
注: 1。安装在65 ×35× 1.5毫米铝。板。
2.安装在PCB的9.5毫米引线长度与12毫米
2
铜垫。
KBU600 - KBU610
1 4
2006韩元鼎好电子

6
5
100
I
F
瞬时正向电流(A)
I
(AV)
,平均输出电流( A)
4
3
10
2
1.0
1
单相半波
60赫兹电阻或电感性负载
T
j
= 25C
脉冲宽度= 300毫秒
0
20
40
60
80
100 120 140
T
C
,外壳温度( ℃)
图。 1正向电流降额曲线
0.1
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
1.1 1.2 1.3
V
F
瞬时正向电压( V)
图。 2典型正向特性,每个元素
250
I
FSM
峰值正向浪涌电流( A)
400
200
C
j
,电容(pF )
150
100
100
50
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
T
j
= 25C
F = 1MHz的
0
10
100
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
I
R
,瞬时反向电流(mA)
10
10
1
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容每元
1
T
j
= 100C
1.0
0.1
T
j
= 25C
0.01
0
20
40
60
80
100 120 140
峰值反向额定电压的百分比(% )
图。 5典型的反向特性
KBU600 - KBU610
2 4
2006韩元鼎好电子
标识信息
WTE
KBU
6xx
- AC +
WTE
KBU6xx
xx
极性
=制造商的标志
=设备号
= 00 , 01 , 02 , 04 , 06 , 08或10
=对人体标示
包装信息
体积
内箱尺寸
长x宽x高(mm )
268 x 227 x 51
QUANTITY
( PCS)的
400
外箱尺寸
长x宽x高(mm )
463 x 283 x 185
QUANTITY
( PCS)的
2,400
约。总重量
(公斤)
20.5
注意:
1.纸盒,白色或棕褐色。
KBU600 - KBU610
3 4
2006韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
KBU600
KBU601
KBU602
KBU604
KBU606
KBU608
KBU610
1.
2.
套餐类型
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
送货数量
400单位/箱
400单位/箱
400单位/箱
400单位/箱
400单位/箱
400单位/箱
400单位/箱
鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低
订货量,请咨询售楼部。
如需订购无铅版本(与无铅完成) ,加上“ -LF ”后缀部分
上述数字。例如, KBU600 -LF 。
韩元鼎好电子有限公司( WTE )已仔细检查了所有的信息,并认为它是正确的,准确的。然而, WTE不承担任何
责任不准确。此外,这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息,而无需另行通知的权利。
警告:
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路,茅根陈DIST。 ,高雄,台湾
电话:
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真:
886-7-822-5417
电子邮件:
sales@wontop.com
互联网:
http://www.wontop.com
我们日常供电。
KBU600 - KBU610
4 4
2006韩元鼎好电子
硅桥式整流器
COMCHIP
www.comchiptech.com
KBU600直通610
反向电压: 50 - 1000伏
正向电流: 6.0安培
KBU
特点
扩散结
低正向压降
高电流能力
高可靠性
高浪涌电流能力
理想的印刷电路板
机械数据
案例:模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
重量:2.7克数(大约)
安装位置:任意
标记:型号数量
KBU
暗淡
最大
A
23.70
22.7
B
4.10
3.80
C
4.70
4.20
D
2.20
1.70
E
11.30
10.30
G
6.80
4.50
H
5.60
4.60
J
-
25.40
K
19.30
-
L
17.80
16.80
M
7.10
6.60
N
5.20
4.70
P
1.20
1.30
尺寸:mm
最大额定值和电气发育特点
单相半波,60赫兹, resisti已经或INDUCT IVE负荷。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
山顶Repetitiv ê反向电压
工作峰值反向伏年龄
阻断电压DC
RMS反向伏年龄
平均整流田间输出电流@ T
A
= 100°C
非Repetitiv E峰正向浪涌电流8.3米s
单半正弦波叠加对大鼠ED的负载
( JEDEC的方法)
正向电压(每ELEM ENT ) @I
F
= 3.0A
峰值反向电流
@ T
C
= 25°C
在额定DC Blocki吴电压@T
C
= 100°C
额定值融合(T < 8.3ms的) (注1)
典型热阻(注2 )
工作和存储牛逼emperature范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
R
I
2
t
R
JC
TJ ,T
英镑
35
70
140
280
6.0
250
1.0
10
1.0
166
4.2
-65到+150
420
560
700
V
A
A
V
uA
mA
A
2
s
K / W
°C
50
100
200
400
600
800
1000
V
KBU
600
KBU
601
KBU
602
KBU
604
KBU
606
KBU
608
KBU
610
单位
注意:
1.非repetiti已经在t >毫秒和< 8.3米秒。
2.热阻结到环境的安装在PC板13.0 X 13 0 X 0.03毫米厚的土地面积。
MDS0306003A
第1页
硅桥式整流器
评级和特性曲线( KBU600 - KBU610 )
COMCHIP
www.comchiptech.com
MDS0306003A
第2页
硅桥式整流器
评级和特性曲线( KBU600 - KBU610 )
COMCHIP
www.comchiptech.com
MDS0306003A
第3页
W TE
PO WE R SEM IC ND UC TO R 5
KBU600 - KBU610
6.0A桥式整流器
特点
!
!
!
!
!
!
!
扩散结
低正向压降
高电流能力
高可靠性
高浪涌电流能力
理想的印刷电路板
UL认证文件号E157705
A
B
C
D
K
L
-
~ ~ +
E
KBU
暗淡
最大
A
22.70
23.70
B
3.80
4.10
C
4.20
4.70
D
1.70
2.20
E
10.30
11.30
G
4.50
6.80
H
4.60
5.60
J
25.40
K
19.30
L
16.80
17.80
M
6.60
7.10
N
4.70
5.20
P
1.20
1.30
尺寸:mm
J
G
H
M
机械数据
!
!
!
!
!
!
案例:模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:对人体标示
重量:8.0克数(大约)
安装位置:任意
标记:型号数量
N
P
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
KBU
600
50
35
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@T
C
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
R
I
2
t
R
θJC
T
j,
T
英镑
KBU
601
100
70
KBU
602
200
140
KBU
604
400
280
6.0
250
1.0
10
1.0
166
4.2
-65到+150
KBU
606
600
420
KBU
608
800
560
KBU
610
1000
700
单位
V
V
A
A
V
A
mA
A
2
s
K / W
°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
正向电压(每件)
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
额定值融合(T < 8.3ms的) (注1 )
典型热阻(注2 )
工作和存储温度范围
@I
F
= 3.0A
@T
C
= 25°C
@T
C
= 100°C
注: 1。非重复性对于T >毫秒和< 8.3ms的。
2.热阻结每个单元安装在PC板13.0x13.0x0.03mm厚的土地面积来区分。
KBU600 - KBU610
1第3
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6
5
100
I
F
瞬时正向电流(A)
I
(AV)
,平均输出电流( A)
4
3
10
2
1.0
1
单相半波
60赫兹电阻或电感性负载
T
j
= 25C
脉冲宽度= 300毫秒
0
20
40
60
80
100 120 140
T
C
,外壳温度( ℃)
图。 1正向电流降额曲线
0.1
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
1.1 1.2 1.3
V
F
瞬时正向电压( V)
图。 2典型正向特性,每个元素
250
I
FSM
峰值正向浪涌电流( A)
400
200
C
j
,电容(pF )
150
100
100
50
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
T
j
= 25C
F = 1MHz的
0
10
100
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
I
R
,瞬时反向电流(mA)
10
10
1
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容每元
1
T
j
= 100C
1.0
0.1
T
j
= 25C
0.01
0
20
40
60
80
100 120 140
峰值反向额定电压的百分比(% )
图。 5典型的反向特性
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SIL桥
SIL桥
SIL桥
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