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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第53页 > KBP02M
KBP005M THRU KBP10M
3N246 THRU 3N252
玻璃钝化单相整流桥
反向电压 -
50到1000伏特
机箱样式KBPM
0.600 (15.24)
0.125 x 45
o
(3.2)
0.560 (14.22)
正向电流 -
1.5安培
特点
0.460 (11.68)
0.420 (10.67)
0.500 (12.70)
0.460 (11.68)
60
(15.2)
分钟。
0.060
(1.52)
0.160 (4.1)
0.140 (3.6)
0.50
(12.7)
分钟。
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类科幻阳离子94V- 0
该系列产品是UL列在认可组件索引，
文件编号E54214
玻璃钝化芯片路口
高浪涌电流能力
理想的印刷电路板
高温焊接保证：
260℃ / 10秒5磅。 （ 2.3千克）张力
0.034 (8.6)
0.028 (7.6)
DIA 。
机械数据
0.105 (2.67)
0.085 (2.16)
0.200 (5.08)
0.180 (4.57)
极性的情况下，前侧所示：积极带头切角
案例：
模压塑料车身超过钝化路口
终端：
每MIL -STD- 750镀铅焊，
方法2026
极性：
标在外壳的极性符号
安装位置：
任何
重量：
0.06盎司， 1.7克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
KBP
KBP
005M
01M
符号3N246 3N247
KBP
02M
3N248
KBP
04M
3N249
KBP
06M
3N250
KBP
08M
3N251
KBP
10M
3N252
单位
*最大重复峰值反向电压
*最大电压有效值
*最大阻断电压DC
在T最大正向平均整流输出电流
A
=40°C
*峰值正向浪涌电流单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
额定值融合（T < 8.3ms的）
*最大瞬时正向压降
*最大直流反向电流
每腿额定阻断电压DC
每腿典型结电容
（注1 ）
每腿典型热阻
（注2 ）
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
I
2
t
每腿1.0A
每腿1.57A
T
A
=25°C
T
A
=125°C
V
F
I
R
C
J
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.5
50.0
30.0
10.0
1.0
1.3
5.0
500.0
15.0
40.0
13.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
伏
伏
伏
安培
安培
A
2
美国证券交易委员会
伏
A
pF
° C / W
°C
T
J
=150°C
*工作结温和存储温度范围
-55到+150
注意事项：
（ 1 ）测得1.0 MHz和应用4.0伏特的反向电压
（ 2 ）从结点到环境的热阻结点到铅安装在PCB与， 0.47 X 0.47" （ 12 x12mm ）铜垫
* JEDEC注册的价值观
4/98
额定值和特性曲线KBP005M THRU KBP10M / 3N246 THRU 3N252
图1 - 降额曲线输出
整流电流
峰值正向浪涌电流，
安培
电桥输出
全波整流电流，
平均安培
图。 2 - 最大非重复峰值正向
浪涌电流
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
20
容性负载
IPK / I
AV
=5.0
IPK / I
AV
=10
IPK / I
AV
=20
（每站）
60赫兹电阻或
感性负载
P.C.B.
安装有
0.47 x 0.47”
（ 12× 12毫米）
铜垫
60
50
40
T
A
=25°C
30
20
10
1.0循环
T
J
=150°C
单正弦波
（ JEDEC的方法）
0
40
60
80
100
120
140 150
1
10
周期数的AT 60 H
Z
100
环境温度， ℃，
图。 3 - 典型正向特性
每腿
T
J
=25°C
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
图。 4 - 典型的反向漏
特性每支架
10
瞬时正向电流，
安培
瞬时反向电流，
微安
20
10
T
J
=125°C
1
T
J
=100°C
1
0.1
T
J
=25°C
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压％
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
正向电压，伏
图。 5 - 典型结电容
每腿
100
结电容， pF的
T
J
=25°C
F = 1.0 MHz的
Vsig=50mVp-p
10
1
0.1
1
10
100
反向电压，伏
W TE
PO WE R SEM IC ND UC TO R 5
KBP005M - KBP10M
1.5A玻璃钝化整流桥
特点
!
!
!
!
!
!
玻璃钝化片建设
低正向压降
高电流能力
高可靠性
高浪涌电流能力
理想的印刷电路板
L
A
KBP
暗淡
民
最大
A
14.22
15.24
B
10.67
11.68
C
15.2
—
D
4.57
5.08
E
3.60
4.10
G
2.16
2.67
H
0.76
0.86
I
1.52
—
J
11.68
12.7
K
12.7
—
L
3.2× 45 °的典型
尺寸：mm
B
+
~
~
-
J
C
K
H
E
G
I
机械数据
!
!
!
!
!
!
案例：模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：对人体标示
重量：2.7克数（大约）
安装位置：任意
标记：型号数量
D
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
KBP
005M
50
35
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
KBP
01M
100
70
KBP
02M
200
140
KBP
04M
400
280
1.5
KBP
06M
600
420
KBP
08M
800
560
KBP
10M
1000
700
单位
V
V
A
@T
A
= 50°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
正向电压（每件）
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
额定值融合（ t<8.3ms ）
每个元素典型结电容（注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作和存储温度范围
@I
F
= 1.5A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
I
2
t
C
j
R
θJA
T
j,
T
英镑
50
1.1
10
500
10
15
28
-55到+150
A
V
A
A
2
s
pF
K / W
°C
注意：保持在环境温度下1信息，在从所述壳体的距离9.5毫米。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
3.热阻结到环境的安装在PC板12毫米
2
铜垫。
KBP005M - KBP10M
1第3
2002韩元鼎好电子
2.0
I
F
瞬时正向电流（A）
10
I
O
，平均整流电流（ A）
1.5
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
1.0
1.0
0.1
0.5
脉冲宽度
= 300 s
0
0
50
100
150
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T，温度（ ° C）
图。 1正向电流降额曲线
V
F
瞬时正向电压（ V）
图。 2典型正向特性
50
100
T
j
= 150°c
单半
正弦波
（ JEDEC的方法）
T
j
= 25°C
F = 1MHz的
I
FSM
峰值正向浪涌电流（ A）
40
30
C
j
，电容（pF ）
10
20
10
0
1
10
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
100
1
1
10
V
R
，反向电压（V）的
图。 4典型结电容
100
I
R
，瞬时反向电流（mA）
10,000
1000
T
j
= 150C
100
T
j
= 125C
T
j
= 100C
10
1.0
T
j
= 25C
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5典型的反向特性
KBP005M - KBP10M
2 3
2002韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
KBP005M
KBP01M
KBP02M
KBP04M
KBP06M
KBP08M
KBP10M
套餐类型
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
送货数量
1000单位/箱
1000单位/箱
1000单位/箱
1000单位/箱
1000单位/箱
1000单位/箱
1000单位/箱
鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单
量，请咨询售楼部。
韩元鼎好电子有限公司（ WTE ）已仔细检查了所有的信息，并认为它是正确的，准确的。然而， WTE不承担任何
责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。
警告：
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。 ，高雄，台湾
电话：
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真：
886-7-822-5417
电子邮件：
sales@wontop.com
互联网：
http://www.wontop.com
我们日常供电。
2002韩元鼎好电子
KBP005M - KBP10M
3 3
KBP005M通KBP10M ， 3N246通3N252
威世通用半导体
玻璃钝化单相桥式整流器
特点
UL认证文件编号E54214
理想的印刷电路板
高浪涌电流能力
~
~
+
机箱样式KBPM
+
~
~
e4
高的情况下电介质强度
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
在交流 - 直流桥式全波一般用途
整流开关电源，家用
家用电器，办公设备，以及电信
应用程序。
机械数据
案例：
KBPM
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
镀银导线，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E4后缀为消费级
极性：
作为标记体
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
T
J
马克斯。
1.5 A
50 V到1000 V.
60 A
5 A
1.0 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向
最大RMS电压
(1)
(1)
符号
电压
(1)
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
2
t
T
J
, T
英镑
KBP
005M
3N246
50
35
50
KBP
01M
3N247
100
70
100
KBP
02M
3N248
200
140
200
KBP
04M
3N249
400
280
400
1.5
60
40
10
- 55至+ 150
KBP
06M
3N250
600
420
600
KBP
08M
3N251
800
560
800
KBP
10M
3N252
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
A
2
s
°C
最大直流阻断电压
最大正向平均整流输出
目前在T
A
= 40 °C
峰值正向浪涌电流
单一正弦半波
(1)
额定值融合（T < 8.3毫秒）
工作结存储温度范围
(1)
注意：
（ 1 ） JEDEC注册的价值观
T
A
= 25 °C
T
J
= 150 °C
文档编号： 88531
修订： 15 -APR- 08
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
KBP005M通KBP10M ， 3N246通3N252
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
TEST
条件
1.0 A
1.57 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
4.0 V， 1 MHz的
符号
KBP
005M
3N246
最大正向
每个二极管的压降
(1)
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
每二极管
(1)
典型结电容
每二极管
注意：
（ 1 ） JEDEC注册的价值观
V
F
KBP
01M
3N247
KBP
02M
3N248
KBP
04M
3N249
1.0
1.3
5.0
500
15
KBP
06M
3N250
KBP
08M
3N251
KBP
10M
3N252
V
单位
I
R
A
C
J
pF
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
KBP
005M
3N246
典型热阻
(1)
R
θJA
R
θJL
KBP
01M
3N247
KBP
02M
3N248
KBP
04M
3N249
40
13
KBP
06M
3N250
KBP
08M
3N251
KBP
10M
3N252
° C / W
单位
注意：
（ 1 ）从结点到环境的热阻结点到铅安装在PCB与， 0.47 X 0.47" （ 12× 12mm）中铜垫
订购信息
（例）
首选的P / N
KBP06M-E4/45
KBP06M-E4/51
3N250-E4/45
3N250-E4/51
单位重量（g ）
1.895
1.895
1.895
1.895
首选包装代码
45
51
45
51
基地数量
30
600
30
600
配送方式
管
防静电PVC托盘
管
防静电PVC托盘
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.6
60
桥输出完整
WAVE
纠正
平均电流（A）
峰值正向浪涌电流（ A）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
20
40
60
80
容性负载
I
pk
5.0
= 10
I
AV
20
（每站）
60赫兹电阻或
感性负载
P.C.B.安装在
0.47 X 0.47" （ 12× 12mm）中
铜垫
单一正弦半波
50
T
A
= 25 °C
40
30
T
J
= 150 °C
20
10
1.0循环
0
100
120
140 150
1
10
100
环境温度（ ℃）
数
环，在60赫兹的
图1.降额曲线输出整流电流
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
文档编号： 88531
修订： 15 -APR- 08
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
KBP005M通KBP10M ， 3N246通3N252
威世通用半导体
100
100
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
= 300
s
1 ％占空比
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
结电容（pF ）
1
10
0.1
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
10
瞬时反向电流（ μA ）
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 100 °C
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图4.典型的反向漏电特性每二极管
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
机箱样式KBPM
0.125 x 45°
(3.2)
0.600 (15.24)
0.560 (14.22)
0.460 (11.68) 0.500 (12.70)
0.420 (10.67) 0.460 (11.68)
0.60
(15.2)
分钟。
0.060
(1.52)
0.160 (4.1)
0.140 (3.6)
0.50 （ 12.7 ）最小。
0.034 (0.86)
0.028 (0.76)
DIA 。
0.200 (5.08)
0.180 (4.57)
0.105 (2.67)
0.085 (2.16)
极性的情况下正面显示：正极
通过斜面
角落
文档编号： 88531
修订： 15 -APR- 08
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PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
3
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日前，Vishay
放弃
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文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
KBP005M通KBP10M ， 3N246通3N252
威世半导体
玻璃钝化单相桥式整流器
机箱样式KBPM
主要额定值及特点
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
T
j
马克斯。
1.5 A
50 V到1000 V.
50 A
5 A
1.0 V
150 °C
~
~
~
~
特点
UL认证文件编号E54214
理想的印刷电路板
高浪涌电流能力
高的情况下电介质强度
会见MSL等级1 ，符合per J -STD- 020C
机械数据
案例：
KBPM
环氧符合UL - 94V- 0阻燃等级
终端：
镀银（ E4后缀）的线索，焊
按J- STD- 002B和MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：
作为标记体
典型应用
在交流 - 直流桥式全波市盈率一般用途
tification开关电源，主页应用程序
元代，办公设备，通讯
应用
最大额定值
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
符号
KBP
005M
3N246
*最大重复峰值反向电压
*最大电压有效值
*最大阻断电压DC
马克斯。平均正向整流输出电流
在T
A
= 40 °C
*峰值正向浪涌电流单半正弦
叠加在额定负荷
额定值融合（T < 8.3毫秒）
*工作结温和存储温度
范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
2
t
T
J
, T
英镑
50
35
50
KBP
01M
3N247
100
70
100
KBP
02M
3N248
200
140
200
KBP
04M
3N249
400
280
400
1.5
50
30
10
- 55至+ 150
KBP
06M
3N250
600
420
600
KBP
08M
3N251
800
560
800
KBP
10M
3N252
1000
700
1000
V
V
V
A
A
A
2
美国证券交易委员会
°C
单位
文档编号88531
03-Dec-04
www.vishay.com
1
KBP005M通KBP10M ， 3N246通3N252
威世半导体
电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
测试条件
符号
KBP
005M
3N246
*最大瞬时
每腿正向电压降
*最大直流反接
电流在额定DC阻断
每腿压
典型结电容
每腿
在1.0
在1.57
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
在4.0伏，1兆赫
V
F
I
R
KBP
01M
3N247
KBP
02M
3N248
KBP
04M
3N249
1.0
1.3
5.0
500
15
KBP
06M
3N250
KBP
08M
3N251
KBP
10M
3N252
V
A
单位
C
J
pF
热特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
符号
KBP
005M
3N246
每腿典型热阻
(1)
注意事项：
（ 1 ）从结点到环境的热阻结点到铅安装在PCB与， 0.47 X 0.47" （ 12 ×12毫米）铜焊盘。
* JEDEC注册的价值观
R
θJA
R
θJL
KBP
01M
3N247
KBP
02M
3N248
KBP
04M
3N249
40
13
KBP
06M
3N250
KBP
08M
3N251
KBP
10M
3N252
° C / W
单位
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明）
桥输出全波整流电流，
平均安培
1.6
60
单一正弦半波
（ JEDEC的方法）
T
A
= 25 °C
40
30
T
J
= 150 °C
20
峰值正向浪涌电流（ A）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
容性负载
IPK / I
AV
= 5.0
IPK / I
AV
= 10
IPK / I
AV
= 20
（每站）
20
40
60
80
60H
Z
电阻或
感性负载
P.C.B.安装有
0.47 X 0.47" （ 12× 12mm）中
铜垫
50
10
1.0循环
0
100
120
140 150
1
10
100
环境温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图1.降额曲线输出整流电流
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
每腿
www.vishay.com
2
文档编号88531
03-Dec-04
KBP005M通KBP10M ， 3N246通3N252
威世半导体
20
100
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MH
Z
VSIG = 50mVp -P
T
J
= 25 °C
脉冲宽度= 300
s
1 ％占空比
正向电流（A ）
10
1
结电容（pF ）
10
0.1
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
0.1
1
10
100
正向电压（ V）
反向电压（ V）
图3.典型正向特性每支架
图5.典型结电容每支架
10
瞬时反向电流（
A)
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
1
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0
20
40
60
80
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图4.典型的反向漏电特性每支架
（英寸）封装外形尺寸（毫米）
机箱样式KBPM
0.125 X 45°
(3.2)
0.600 (15.24)
0.560 (14.22)
0.460 (11.68) 0.500 (12.70)
0.420 (10.67) 0.460 (11.68)
60
(15.2)
分钟。
0.060
(1.52)
0.160 (4.1)
0.140 (3.6)
0.50 （ 12.7 ）最小。
0.034 (0.86)
0.028 (0.76)
DIA 。
0.200 (5.08)
0.180 (4.57)
0.105 (2.67)
0.085 (2.16)
极性的情况下，前侧所示：积极带头切角
文档编号88531
03-Dec-04
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3
KBP005M通KBP10M ， 3N246通3N252
威世半导体
玻璃钝化单相桥式整流器
机箱样式KBPM
主要额定值及特点
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
T
j
马克斯。
1.5 A
50 V到1000 V.
50 A
5 A
1.0 V
150 °C
~
~
~
~
特点
UL认证文件编号E54214
理想的印刷电路板
高浪涌电流能力
高的情况下电介质强度
会见MSL等级1 ，符合per J -STD- 020C
机械数据
案例：
KBPM
环氧符合UL - 94V- 0阻燃等级
终端：
镀银（ E4后缀）的线索，焊
按J- STD- 002B和MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：
作为标记体
典型应用
在交流 - 直流桥式全波市盈率一般用途
tification开关电源，主页应用程序
元代，办公设备，通讯
应用
最大额定值
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
符号
KBP
005M
3N246
*最大重复峰值反向电压
*最大电压有效值
*最大阻断电压DC
马克斯。平均正向整流输出电流
在T
A
= 40 °C
*峰值正向浪涌电流单半正弦
叠加在额定负荷
额定值融合（T < 8.3毫秒）
*工作结温和存储温度
范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
2
t
T
J
, T
英镑
50
35
50
KBP
01M
3N247
100
70
100
KBP
02M
3N248
200
140
200
KBP
04M
3N249
400
280
400
1.5
50
30
10
- 55至+ 150
KBP
06M
3N250
600
420
600
KBP
08M
3N251
800
560
800
KBP
10M
3N252
1000
700
1000
V
V
V
A
A
A
2
美国证券交易委员会
°C
单位
文档编号88531
03-Dec-04
www.vishay.com
1
KBP005M通KBP10M ， 3N246通3N252
威世半导体
电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
测试条件
符号
KBP
005M
3N246
*最大瞬时
每腿正向电压降
*最大直流反接
电流在额定DC阻断
每腿压
典型结电容
每腿
在1.0
在1.57
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
在4.0伏，1兆赫
V
F
I
R
KBP
01M
3N247
KBP
02M
3N248
KBP
04M
3N249
1.0
1.3
5.0
500
15
KBP
06M
3N250
KBP
08M
3N251
KBP
10M
3N252
V
A
单位
C
J
pF
热特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
符号
KBP
005M
3N246
每腿典型热阻
(1)
注意事项：
（ 1 ）从结点到环境的热阻结点到铅安装在PCB与， 0.47 X 0.47" （ 12 ×12毫米）铜焊盘。
* JEDEC注册的价值观
R
θJA
R
θJL
KBP
01M
3N247
KBP
02M
3N248
KBP
04M
3N249
40
13
KBP
06M
3N250
KBP
08M
3N251
KBP
10M
3N252
° C / W
单位
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明）
桥输出全波整流电流，
平均安培
1.6
60
单一正弦半波
（ JEDEC的方法）
T
A
= 25 °C
40
30
T
J
= 150 °C
20
峰值正向浪涌电流（ A）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
容性负载
IPK / I
AV
= 5.0
IPK / I
AV
= 10
IPK / I
AV
= 20
（每站）
20
40
60
80
60H
Z
电阻或
感性负载
P.C.B.安装有
0.47 X 0.47" （ 12× 12mm）中
铜垫
50
10
1.0循环
0
100
120
140 150
1
10
100
环境温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图1.降额曲线输出整流电流
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
每腿
www.vishay.com
2
文档编号88531
03-Dec-04
KBP005M通KBP10M ， 3N246通3N252
威世半导体
20
100
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MH
Z
VSIG = 50mVp -P
T
J
= 25 °C
脉冲宽度= 300
s
1 ％占空比
正向电流（A ）
10
1
结电容（pF ）
10
0.1
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
0.1
1
10
100
正向电压（ V）
反向电压（ V）
图3.典型正向特性每支架
图5.典型结电容每支架
10
瞬时反向电流（
A)
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
1
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0
20
40
60
80
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图4.典型的反向漏电特性每支架
（英寸）封装外形尺寸（毫米）
机箱样式KBPM
0.125 X 45°
(3.2)
0.600 (15.24)
0.560 (14.22)
0.460 (11.68) 0.500 (12.70)
0.420 (10.67) 0.460 (11.68)
60
(15.2)
分钟。
0.060
(1.52)
0.160 (4.1)
0.140 (3.6)
0.50 （ 12.7 ）最小。
0.034 (0.86)
0.028 (0.76)
DIA 。
0.200 (5.08)
0.180 (4.57)
0.105 (2.67)
0.085 (2.16)
极性的情况下，前侧所示：积极带头切角
文档编号88531
03-Dec-04
www.vishay.com
3
KBP005M通KBP10M ， 3N246通3N252
威世通用半导体
玻璃钝化单相桥式整流器
特点
UL认证文件编号E54214
理想的印刷电路板
高浪涌电流能力
~
~
+
机箱样式KBPM
+
~
~
e4
高的情况下电介质强度
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
在交流 - 直流桥式全波一般用途
整流开关电源，家用
家用电器，办公设备，以及电信
应用程序。
机械数据
案例：
KBPM
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
镀银导线，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E4后缀为消费级
极性：
作为标记体
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
T
J
马克斯。
1.5 A
50 V到1000 V.
60 A
5 A
1.0 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向
最大RMS电压
(1)
(1)
符号
电压
(1)
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
2
t
T
J
, T
英镑
KBP
005M
3N246
50
35
50
KBP
01M
3N247
100
70
100
KBP
02M
3N248
200
140
200
KBP
04M
3N249
400
280
400
1.5
60
40
10
- 55至+ 150
KBP
06M
3N250
600
420
600
KBP
08M
3N251
800
560
800
KBP
10M
3N252
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
A
2
s
°C
最大直流阻断电压
最大正向平均整流输出
目前在T
A
= 40 °C
峰值正向浪涌电流
单一正弦半波
(1)
额定值融合（T < 8.3毫秒）
工作结存储温度范围
(1)
注意：
（ 1 ） JEDEC注册的价值观
T
A
= 25 °C
T
J
= 150 °C
文档编号： 88531
修订： 15 -APR- 08
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
KBP005M通KBP10M ， 3N246通3N252
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
TEST
条件
1.0 A
1.57 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
4.0 V， 1 MHz的
符号
KBP
005M
3N246
最大正向
每个二极管的压降
(1)
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
每二极管
(1)
典型结电容
每二极管
注意：
（ 1 ） JEDEC注册的价值观
V
F
KBP
01M
3N247
KBP
02M
3N248
KBP
04M
3N249
1.0
1.3
5.0
500
15
KBP
06M
3N250
KBP
08M
3N251
KBP
10M
3N252
V
单位
I
R
A
C
J
pF
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
KBP
005M
3N246
典型热阻
(1)
R
θJA
R
θJL
KBP
01M
3N247
KBP
02M
3N248
KBP
04M
3N249
40
13
KBP
06M
3N250
KBP
08M
3N251
KBP
10M
3N252
° C / W
单位
注意：
（ 1 ）从结点到环境的热阻结点到铅安装在PCB与， 0.47 X 0.47" （ 12× 12mm）中铜垫
订购信息
（例）
首选的P / N
KBP06M-E4/45
KBP06M-E4/51
3N250-E4/45
3N250-E4/51
单位重量（g ）
1.895
1.895
1.895
1.895
首选包装代码
45
51
45
51
基地数量
30
600
30
600
配送方式
管
防静电PVC托盘
管
防静电PVC托盘
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.6
60
桥输出完整
WAVE
纠正
平均电流（A）
峰值正向浪涌电流（ A）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
20
40
60
80
容性负载
I
pk
5.0
= 10
I
AV
20
（每站）
60赫兹电阻或
感性负载
P.C.B.安装在
0.47 X 0.47" （ 12× 12mm）中
铜垫
单一正弦半波
50
T
A
= 25 °C
40
30
T
J
= 150 °C
20
10
1.0循环
0
100
120
140 150
1
10
100
环境温度（ ℃）
数
环，在60赫兹的
图1.降额曲线输出整流电流
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
文档编号： 88531
修订： 15 -APR- 08
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
KBP005M通KBP10M ， 3N246通3N252
威世通用半导体
100
100
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
= 300
s
1 ％占空比
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
结电容（pF ）
1
10
0.1
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
10
瞬时反向电流（ μA ）
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 100 °C
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图4.典型的反向漏电特性每二极管
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
机箱样式KBPM
0.125 x 45°
(3.2)
0.600 (15.24)
0.560 (14.22)
0.460 (11.68) 0.500 (12.70)
0.420 (10.67) 0.460 (11.68)
0.60
(15.2)
分钟。
0.060
(1.52)
0.160 (4.1)
0.140 (3.6)
0.50 （ 12.7 ）最小。
0.034 (0.86)
0.028 (0.76)
DIA 。
0.200 (5.08)
0.180 (4.57)
0.105 (2.67)
0.085 (2.16)
极性的情况下正面显示：正极
通过斜面
角落
文档编号： 88531
修订： 15 -APR- 08
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PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
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3
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日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
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间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
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使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
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获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订： 12 -MAR- 12
1
文档编号： 91000
KBP005M THRU KBP10M
单相玻璃
钝化整流桥
电压： 50
to
1000V
电流： 1.5A
特点
玻璃钝化结
高的情况下电介质强度
高浪涌电流能力
理想的印刷电路板
KBPM
机械数据
终端：镀导致每MIL -STD 202E ，
方法208C
案例： UL - 94 V-0级公认的阻燃环氧树脂
极性：对人体标示
尺寸以英寸（毫米）
最大
额定值及电气
特征
（单相半波， 60HZ，电阻或电感的在25 ° C，除非另有说明，
对于容性负载，减免电流20 ％ ）
符号
*
*
*
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流输出电流
TA = 40 ℃
峰值正向浪涌电流单正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向
每脚的电压降
额定值融合（T < 8.3ms的）
最大DC反向电流在
每腿额定阻断电压DC
TA = 25°
C
TA = 125 ℃
C
在1.0A
在1.57A
VRRM
VRMS
VDC
IF （ AV ）
IFSM
Vf
I
2
t
Ir
KBP
005M
50
35
50
KBP
01M
100
70
100
KBP
02M
200
140
200
KBP
04M
400
280
400
1.5
50
1.0
1.3
10
5.0
500
40
13
15
-55到+150
KBP
06M
600
420
600
KBP
08M
800
560
800
KBP
10M
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
V
A
2
美国证券交易委员会
A
℃/W
pF
℃
*
*
典型热阻
（注1 ）
RTH （ JA ）
RTH （ JL ）
Cj
TJ ， TSTG
每腿典型结电容在4.0V ， 1MHz的
*
工作结存储温度范围
注意：
自结1到环境的热阻和交界处领导安装在PCB 0.47 “× 0.47 ” （ 12 × 12毫米）铜垫
* HEDEC注册值
Rev.A1
www.gulfsemi.com
额定值和特性曲线KBP005M THRU KBP10M
Rev.A2
www.gulfsemi.com
WTE
功率半导体
KBP005M - KBP10M
Pb
1.5A玻璃钝化单相桥式整流器
特点
玻璃钝化片建设
低正向压降
高电流能力
高可靠性
高浪涌电流能力
理想的印刷电路板
可识别的文件＃ E157705
A
L
KBPM
民
J
-
~
~
+
B
K
C
I
E
G
H
机械数据
案例： KBPM ，模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：对人体标示
重量：2.7克数（大约）
D
安装位置：任意
标记：型号数量
无铅：对于符合RoHS /无铅版本，
新增“ -LF ”后缀型号，见第4页
暗淡
最大
A
14.22
15.24
B
10.67
11.68
C
15.20
—
D
4.30
4.70
E
3.60
4.10
G
2.75
3.15
H
0.76
0.86
I
1.52
—
J
11.68
12.70
K
12.7
—
L
3.2× 45 °的典型
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
KBP
005M
50
35
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@T
A
= 50°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
I
2
t
C
j
R
θJA
R
θJL
T
j,
T
英镑
KBP
01M
100
70
KBP
02M
200
140
KBP
04M
400
280
1.5
50
1.3
5.0
500
10
15
40
13
-55到+150
KBP
06M
600
420
KBP
08M
800
560
KBP
10M
1000
700
单位
V
V
A
A
V
A
A
2
s
pF
° C / W
°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
额定值融合（ t<8.3ms ）
每腿典型结电容（注1 ）
每腿典型热阻（注2 ）
工作和存储温度范围
@I
F
= 1.5A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 125°C
注：1，测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
2.安装在PCB板上， 12毫米
2
铜垫。
KBP005M - KBP10M
1 4
2006韩元鼎好电子
2.0
I
F
瞬时正向电流（A）
10
I
O
，平均整流电流（ A）
1.5
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
1.0
1.0
0.1
0.5
脉冲宽度
= 300 s
0
0
50
100
150
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T，温度（ ° C）
图。 1正向电流降额曲线
V
F
瞬时正向电压（ V）
图。 2典型正向特性
50
100
T
j
= 150°c
单半
正弦波
（ JEDEC的方法）
T
j
= 25°C
F = 1MHz的
I
FSM
峰值正向浪涌电流（ A）
40
30
C
j
，电容（pF ）
10
20
10
0
1
10
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
100
1
1
10
V
R
，反向电压（V）的
图。 4典型结电容
100
I
R
，瞬时反向电流（mA）
10,000
1000
T
j
= 150C
100
T
j
= 125C
T
j
= 100C
10
1.0
T
j
= 25C
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5典型的反向特性
KBP005M - KBP10M
2 4
2006韩元鼎好电子
标识信息
WTE
KBPxxM
-
AC
+
WTE
KBPxxM
xx
极性
=制造商的标志
=设备号
= 005 ， 01 ， 02 ， 04 ， 06 ， 08或10
=对人体标示
包装信息
体积
内箱尺寸
长x宽x高（mm ）
200 x 160 x 42
QUANTITY
（ PCS）的
600
外箱尺寸
长x宽x高（mm ）
425 x 215 x 280
QUANTITY
（ PCS）的
7,200
约。总重量
（公斤）
17.0
注意：
1.纸盒，白色或棕褐色。
KBP005M - KBP10M
3 4
2006韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
KBP005M
KBP01M
KBP02M
KBP04M
KBP06M
KBP08M
KBP10M
1.
2.
套餐类型
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
送货数量
600台/箱
600台/箱
600台/箱
600台/箱
600台/箱
600台/箱
600台/箱
鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低
订货量，请咨询售楼部。
如需订购无铅版本（与无铅完成） ，加上“ -LF ”后缀部分
上述数字。例如， KBP005M -LF 。
韩元鼎好电子有限公司（ WTE ）已仔细检查了所有的信息，并认为它是正确的，准确的。然而， WTE不承担任何
责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。
警告：
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。 ，高雄，台湾
电话：
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真：
886-7-822-5417
电子邮件：
sales@wontop.com
互联网：
http://www.wontop.com
我们日常供电。
KBP005M - KBP10M
4 4
2006韩元鼎好电子
KBP005M / 3N246 - KBP10M / 3N252
KBP005M / 3N246 - KBP10M / 3N252
特点
浪涌过载评价： 50安培
高峰期。
可靠的低造价，利用
模压塑料技术。
UL认证， UL ＃ E111753 。
+
~ ~
-
KBPM
桥式整流器器
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
参数
最高重复反向电压
最大RMS桥输入电压
采用直流反接电压
（额定V
R
)
平均正向电流整流，
@ T
A
= 50°C
非重复峰值正向浪涌电流
存储温度范围
工作结温
005M
246
50
35
50
01M
247
100
70
100
02M
248
200
140
200
04M
249
400
280
400
1.5
50
-55 + 165
-55 + 165
06M
250
600
420
600
08M
251
800
560
800
10M
252
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境， *每腿
参数
价值
3.5
40
单位
W
° C / W
*
设备安装在PCB与0.47 X 0.47" （ 12 ×12毫米）。
电气特性
符号
V
F
I
R
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
正向电压，每桥@ 1.0
@ 3.14 A
反向电流，总桥@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
I
2
T级的融合
吨< 8.35毫秒
总电容，每腿
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
设备
1.0
1.3
5.0
500
10
15
单位
V
V
A
A
A
2
s
pF
C
T
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
KBP005M / 3N246 - KBP10M / 3N252 ，版本C
KBP005M / 3N246 - KBP10M / 3N252
桥式整流器器
（续）
典型特征
2.0
5
典型
分配
平均正向电流整流，我
F
[A]
正向电流I
F
[A]
1.5
1
1.0
MEDIAN
0.1
0.5
0.0
0
50
100
150
0.01
环境温度[摄氏度]
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
正向电压，V
F
[V]
1.2
1.4
图1.正向电流降额曲线
图2.正向电压特性
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
100
50
40
反向电流，I
R
[马]
10
30
1
T
A
= 25
C
20
10
0.1
0
20
40
60
80
100
120
140
额定峰值反向电压（％）百分比
0
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
图3.反向电流与反向电压
图4.不重复浪涌电流
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
KBP005M / 3N246 - KBP10M / 3N252 ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
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K4S64323LF-DG75
KRA570E
KB817-B
KB817B
KVR266X64SC25
K37120C1EN1S
KTS250C156M43N0T00
KK25GB40
K621
KHD500E226M76A0T00
KM684000
K1150BAC
KHAU-11A11N-240
KHD250E475M32A0T00
KM68257CLJ-12
K4340Q1EN1S
KMC101E154M31N0T00
K4D263238E-GC45
KP10L06
KF414B
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型号
厂家
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封装
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