KBMF
EMI滤波器和线路终端
适用于PS / 2鼠标或键盘PORTS
IPAD
主要应用
EMI滤波器和线路终端的鼠标和键盘
船上的端口：
■
■
■
■
台式电脑
笔记本电脑
工作站
服务器
SOT23-6L
（塑胶）
表1 ：订购代码
产品型号
KBMF01SC6
图1 ：功能框图
+ Vcc的
Rp
Rs
特点
■
集成了低通滤波器的数据和时钟
线
■
集成ESD保护
■
集成的上拉电阻
■
小尺寸封装
■
击穿电压： V
BR
= 6V分钟。
描述
在计算机系统的实施，
辐射和传导EMI应保持在
由FCC的规定所要求的水平
的规定。除了要求
EMC兼容性，所述计算设备是
承受ESD事件，并保持所需
操作，而无需用户干预。
该KBMF实现了一个低通滤波器来限制电磁干扰
平并提供ESD保护超过
IEC 61000-4-2第4级标准。该设备还
实现所需的偏压的上拉电阻
数据线和时钟线。该软件包是
SOT23-6L这是理想的情况下，
电路板空间非常珍贵。
好处
■
■
■
记号
KM1
DAT在
C
C
DAT OUT
GND
+ Vcc的
Rp
Rs
+ Vcc的
CLK IN
C
C
CLK出
Rs
代码01
公差
39
±10%
Rp
4.7k
±10%
C
120pF
±20%
EMI / RFI噪声抑制
ESD保护超过IEC61000-4-2第4级
在高密度的设计高灵活性
板
符合以下ESD
标准：
IEC 61000-4-2 （ R = 330Ω C = 150pF的）
4级
± 15千伏（空气放电）
± 8千伏（接触放电）
MIL STD 883C ，方法3015-6
3类
C = 100pF的R = 1500Ω
3积极罢工和
3负罢工（ F = 1赫兹）
TM ：
IPAD是意法半导体公司的商标。
2004年10月
第2版
1/8
KBMF
表2 ：绝对最大额定值
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
PP
T
j
T
英镑
T
L
T
op
P
r
参数
ESD放电R = 330W C = 150pF的接触放电
静电放电 - MIL STD 883 - 方法3015-6
结温
存储温度范围
无铅焊锡温度（10秒持续时间）
工作温度范围
每个电阻额定功率
价值
±12
±25
150
- 55 + 150
260
0到70
100
单位
kV
°C
°C
°C
°C
mW
表3 ：电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
I
R
V
BR
V
F
参数
二极管的泄漏电流
二极管的击穿电压
二极管的正向压降
测试条件
V
RM
= 5.0V
I
R
= 1毫安
I
F
= 50毫安
6
0.9
民
典型值
最大
10
单位
A
V
V
技术信息
1. EMI滤波
该KBMFxxSC6确保过滤保护，防止电磁和射频干扰
由于它的低通滤波器结构。此过滤器的特征在于如下参数：
- 截止频率
- 插入损耗
- 高频抑制
图2：测量配置
图3 ： KBMF衰减曲线
插入损耗（dB ）
0
50
TEST BOARD
-10
在RF
TG OUT
KM1
Vg
50
-20
-30
-40
1
10
F（兆赫）
100
1000
2/8
KBMF
2. ESD保护
该KBMFxxSC6特别优化，以执行ESD保护。 ESD保护是基于使用
：装置夹在
V
产量
= V
BR
+ R
d
.I
PP
这种保护功能被分裂在两个阶段。如图4所示，静电放电是由夹紧
第一级台S1 ，然后剩余的过电压是通过电阻R施加到第二阶段
这样的结构使输出电压非常低在V
产量
的水平。
图4 ： ESD钳位性能
Rg
S1
Rs
VINPUT
Voutput成为
S2
Rd
Rd
V
PP
RLOAD
V
BR
V
BR
设备
要
保护
ESD浪涌
KBMFxxSC6
有剩余的电压的一个很好的近似，在两个V
输入
和V
产量
阶段，我们给
典型的动态电阻值路。通过考虑这些以下假说：v
t
>R
d
, R
g
>R
d
和R
负载
>R
d
，它给这些公式：
R G
V BR + R
V G
V输入= ----------------------------------------------- ------
-
Rg
R 5
V BR + R
V输入
V输出= ----------------------------------------------- -----------------
-
Rt
该计算的结果做了V
PP
= 8千伏，R
g
= 330Ω （ IEC 61000-4-2标准） ，V
BR
= 7V （典型值）和
R
d
（典型值） = 1Ω给出：
V
输入
= 31.2 V
V
产量
= 7.8 V
这证实了在整个装置中的非常低的残留电压进行保护。同样重要的是要注意
在这种近似的寄生电感的影响是不考虑的。这可能是几
伏在几个毫微秒在输入侧十分之一。这种寄生效应是不存在由于在输出侧
低电流的电阻R后参与
S
.
演出后，非常明确地在这里完成的测量（图6） ESD保护的高效率：
- 寄生电感对输出级无影响
- V
产量
钳位电压非常接近V
BR
（正走向）和-V
F
（负一击）
3/8
KBMF
图5：测量条件
ESD
浪涌
16kV
空气
放电
TEST BOARD
KM1
VIN
VOUT
图6 ：剩余电压在这两个阶段S1 （V
输入
）和S2 （Ⅴ
产量
）在ESD浪涌
正浪涌
负浪涌
请注意， KBMF01SC6不只是代表正ESD浪涌也为负的。
对于这些类型的干扰它夹住接近地电压，如图中的负浪涌图。
3，闩锁现象
IC的早期老化和破坏往往是由于闭锁，主要诱导现象
的dV / dt 。由于它的结构， KBMF01SC6提供高的抗闩锁现象，由
平滑非常快的边缘。
4/8
KBMF
4.串扰性能
图7 ：串扰现象
R
G1
1号线
V
G1
R
G2
2号线
R
L1
α
1
V
G1
+
β
12
V
G2
V
G2
R
L2
α
2
V
G2
+
β
21
V
G1
DRIVERS
接收机
串扰现象是由于2条线之间的耦合。耦合因子（
β12
or
β21
)
增加时，整个线路的间隙减小，这就是为什么我们提供了串扰的原因
测量单片器件，以保证线路之间negligeable串扰。在该示例
上负载R上的预期信号以上
L2
is
α
2
V
G2
其实在这一点上真正的电压得到了一个额外的价值
β
21
V
G1
。在V的这部分
G1
信号表示的第1行的串音现象的效果
线2这一现象被考虑到当司机施加快速的数字数据或高
频率的模拟信号中的干扰线。受扰线将更加受到影响，如果它的工作原理与低
电压信号或高负载阻抗（几kΩ的） 。
图8 ：模拟串扰测量
CON组fi guration
图9 ：典型的模拟串扰meas-
UREMENT
串扰（ dB）的
0
-20
50
TEST BOARD
TG OUT
KM1
在RF
-40
50
-60
-80
-100
-120
1
10
F（兆赫）
100
1,000
Vg
图8给出了用于模拟串扰应用的测量电路。在图9中，曲线示出了
在CLK线的数据线的效果。在模拟信号的通常的频率范围（高达100MHz ）的
在忐忑线效应小于-37dB 。
5/8
KBMFxxSC6
EMI滤波器和线路终端
适用于PS / 2鼠标或键盘PORTS
A.S.D.
主要应用
EMI滤波器和线路终端的鼠标和键盘
船上的端口：
- 台式电脑
- 笔记本电脑
- 工作站
- 服务器
描述
对计算机系统的实施，
的辐射和传导EMI应保持
在由FCC的规定所要求的水平
的规定。除了要求
EMC兼容性，所述计算设备是
承受ESD事件，并保持所需
操作，而无需用户干预。
该KBMF实现了一个低通滤波器来限制电磁干扰
平并提供ESD保护超过
IEC 61000-4-2第4级标准。该设备还
实现所需的偏压的上拉电阻器
数据和时钟线。该软件包是
SOT23-6L这是理想的情况下，
电路板空间非常珍贵。
特点
集成了低通滤波器的数据和时钟
线
集成ESD保护
集成的上拉电阻
小尺寸封装
击穿电压： V
BR
= 6V分钟
s
s
s
s
s
SOT23-6L
工作原理图
+ Vcc的
Rp
Rs
DAT在
C
C
DAT OUT
GND
+ Vcc的
Rp
Rs
+ Vcc的
CLK IN
C
C
CLK出
好处
s
s
s
EMI / RFI噪声抑制
ESD保护超过IEC61000-4-2第4级
在高密度的设计高灵活性
板
Rs
代码01
公差
39
±10%
Rp
4.7k
±10%
C
120pF
±20%
TM ：房间隔缺损和TRANSIL是意法半导体公司的商标。
2002年2月 - 埃德： 1D
1/8
KBMFxxSC6
符合以下ESD
标准：
IEC 61000-4-2 （ R = 330Ω C = 150pF的） ， 4级
± 15千伏（空气放电）
± 8千伏（接触放电）
MIL STD 883C ，方法3015-6
3级C = 100 pF的R = 1500
3积极罢工和3负罢工（ F = 1赫兹）
绝对最大额定值（T
AMB
= 25°C)
符号
V
PP
T
j
T
英镑
T
L
T
op
P
r
参数
ESD放电R = 330Ω C = 150pF的接触放电
静电放电 - MIL STD 883 - 方法3015-6
结温
存储温度范围
无铅焊锡温度（10秒持续时间）
工作温度范围
每个电阻额定功率
价值
±12
±25
150
- 55 + 150
260
0到70
100
单位
kV
kV
°C
°C
°C
°C
mW
电气特性（T
AMB
= 25°C)
符号
I
R
V
BR
V
F
参数
二极管的泄漏电流
二极管的击穿电压
二极管的正向压降
测试条件
V
RM
= 5.0V
I
R
= 1毫安
I
F
= 50毫安
6
0.9
民
典型值
最大
10
单位
A
V
V
2/8
KBMFxxSC6
技术信息
EMI滤波
该KBMFxxSC6确保过滤保护，防止电磁和射频干扰
由于它的低通滤波器结构。此过滤器的特征在于如下参数：
- 截止频率
- 插入损耗
- 高频抑制
图。 A1 ：
测量配置
图。 A2 ：
KBMFxxSC6衰减曲线
插入损耗（dB ）
0
-10
50
TEST BOARD
TG OUT
KM1
在RF
Vg
50
-20
-30
-40
1
10
F（兆赫）
100
1000
ESD保护
该KBMFxxSC6特别优化，以执行ESD保护。 ESD保护是基于使用
：装置夹在
Vouput
=
V
BR
+
R
d
.
I
PP
这种保护功能被分裂在两个阶段。如图A3中，所述ESD冲击被夹住
第一级台S1 ，然后剩余的过电压是通过电阻R施加到第二阶段
这样的结构使输出电压非常低的Voutput成为水平。
图。 A3 ：
ESD钳位性能
Rg
S1
Rs
VINPUT
Voutput成为
S2
Rd
Rd
V
PP
RLOAD
V
BR
V
BR
设备
要
保护
ESD浪涌
KBMFxxSC6
3/8
KBMFxxSC6
有在两个V输入和Voutput成为阶段剩余电压的良好近似，我们得到
典型的动态电阻值路。通过考虑到这些假设： Rt>Rd ， Rg>Rd
和Rload>Rd ，它给这些公式：
R
g
.
V
BR
+
R
d
.
V
g
VINPUT
=
R
g
R
S
.
V
BR
+
R
d
.
VINPUT
Voutput成为
=
R
t
该计算的结果做了V
PP
= 8千伏， RG = 330Ω （ IEC 61000-4-2标准） ， VBR = 7V
（典型值）和Rd = 1欧姆（典型值）给出：
V输入= 31.2 V
Voutput成为= 7.8 V
这证实了在整个装置中的非常低的残留电压进行保护。同样重要的是要注意
在这种近似的寄生电感的影响是不考虑的。这可能是几
伏在几个毫微秒在输入侧十分之一。这种寄生效应是不存在由于在输出侧
低电流的电阻R后参与
S
.
演出后的很清楚（图A5 ） ESD保护的高效率在这里完成的测量：
- 寄生电感对输出级无影响
- Voutput成为钳位电压非常接近VBR （正走向）和-Vf （负一击）
图。 A4 ：
测量条件
ESD
浪涌
16kV
空气
放电
TEST BOARD
KM1
VIN
VOUT
4/8
KBMFxxSC6
图。 A5 ：
剩余电压在这两个阶段S 1（ V输入）和S2（ Voutput成为）期间ESD浪涌。
一。积极激增
B 。负浪涌
请注意， KBMFxxSC6不只是代表正ESD浪涌也为负的。为
这类干扰它夹住接近地电压，如图所示。部a5b 。
闩锁现象
IC的早期老化和破坏往往是由于闭锁，主要诱导现象
的dV / dt 。由于它的结构， KBMFxxSC6提供高的抗闩锁现象，由
平滑非常快的边缘。
串扰性能
图。 A6 ：
串扰现象
R
G1
1号线
V
G1
R
G2
2号线
R
L1
α
1
V
G1
+
β
12
V
G2
V
G2
R
L2
α
2
V
G2
+
β
21
V
G1
DRIVERS
接收机
串扰现象是由于2条线之间的耦合。耦合因子（
β
12
or
β
21
）增加
当跨线的间隙减小，这就是为什么我们提供了串扰测量的原因
单片器件，以保证线路之间negligeable串扰。在EX-上面的例子
在负载R pected信号
L2
is
α
2
V
G2
其实在这一点上真正的电压得到了一个额外的价值
β
21
V
G1
。这
在第五部分
G1
信号表示的第1行的串音现象就行2.本phe-效果
nomenon ，必须考虑到，当司机施加快速的数字数据或高频模拟
在令人不安的信号线。如果它与低电压信号或扰动线将受到更多的影响
高负载阻抗（几kΩ的） 。
5/8
QQ：2880707522 复制
