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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第95页 > KBJ4A
BL
特点
银河电子
KBJ4A - - - KBJ4M
电压范围: 50 --- 1000 V
CURRENT : 4.0
硅桥RECT IFIERS
等级达到1000V PRV
浪涌过载额定值
150
我佩雷斯峰值
理想的印刷电路板
可靠的低CoS的T利弊truction利用米olded
在inexpens IVE产品PLAS抽动技巧水库ULTS
铅每olderable s MIL- STD- 202米ethod 208
KBJ4
MECHANCAL数据
极性:符号波士米olded的身体
重量: 0.16
盎司, 4.45克
安装POS机银行足球比赛:任何
最大额定值和电气特性
25评分
上午bient tem温度unles s otherwis ES pecified 。
单PHAS E,半波, 60赫兹, RES是略去或电感性负载。对于容性负载, 20%减免。
KBJ
4A
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均F ORW ARD
输出电流
@T
A
=100
KBJ
4B
100
70
100
KBJ
4D
200
140
200
KBJ
4G
400
280
400
4.0
KBJ
4J
600
420
600
KBJ
4K
800
560
800
KBJ
4M
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
V
RR米
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
50
35
50
山顶FORW ARD浪涌电流
8.3ms单半正弦波-W AVE
叠加在额定负荷
最大瞬时F ORW ARD电压
在2.0 A
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@T
A
=25
@T
A
=100
I
FSM
150.0
A
V
F
I
R
C
J
R
θJC
T
J
T
英镑
1.0
10.0
1.0
45
2.2
- 55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
V
μA
mA
pF
/W
典型结电容每元
典型热阻
工作结温范围
存储温度范围
注: 1.Measured在1.0MH
Z
和4.0V DC应用转ERSE V oltage
2.Dev冰装300毫米毫米x 300毫米X 1.6毫米铜板散热片。
www.galaxycn.com
文档编号0287066
BL
银河电子
1.
收视率和特性曲线
图1 - 峰值正向浪涌电流
平均正向输出电流,
安培
KBJ4A- - - KBJ4M
图2 - 前降额曲线
峰值正向浪涌电流,
5
250
4
200
安培
8.3ms单半正弦波
T
J
=150
3
150
2
100
1
50
0
0
50
100
150
0
1
10
100
循环次数的AT 60H的
Z
环境温度下,
图3 - 典型正向特性
图4 - 典型结电容
100
200
瞬时正向电流,
安培
结电容, pF的
160
140
10
2
1.0
120
100
50
40
20
1
.1
0.1
T
J
=25
F = 1M
H
.2
.4
1.0
2
4
10
20
40
10
.01
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4 1.6
正向电压,伏
反向电压,伏
www.galaxycn.com
文档编号0287066
BL
银河电子
2.
KBJ4A THRU KBJ4M
特点
·玻璃钝化片建设
·高案1500V的介电强度
RMS
低反向漏电流
·浪涌过载额定值为120A峰值
·理想的印刷电路板的应用
·塑料材料 - UL可燃性分类94V- 0
当前4.0安培
电压50到1000伏特
A
H
C
B
L
P
N
_
E
K
J
D
M
R
G
机械数据
·案例:模压塑料
·端子:镀信息,每焊
MIL- STD- 202方法208
·极性:模压身体上
·安装:通孔为# 6螺丝
·安装扭矩: 5.0 -IBS最大
·约。重量: 4.6克
·标记:型号数量
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
24.80
14.70
17.20
0.90
7.30
3.10
O
/
最大
KBJ
暗淡
J
K
L
M
N
P
R
3.30
1.50
9.30
2.50
3.40
4.40
0.60
最大
3.70
1.90
9.70
2.90
3.80
4.80
0.80
25.20
15.30
17.80
1.10
7.70
3.40
O
/
4.00标称
一ll梦诗离子毫米
最大额定值和电气特性
(在25℃环境温度,除非另有规定等级,单相半波60赫兹,电阻或电感
负载。对于容性负载, 20%减免)
符号
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流@ T
C
=115
非重复性峰值正向浪涌电流,
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷( JEDEC的方法)
每个元素正向电压
额定峰值反向电流
阻断电压DC
典型结电容
每个元素(注1 )
典型热阻(注2 )
工作和存储温度范围
@ I
F
=2.0 A
@ T
C
=25℃
@ T
C
=125℃
V
RMM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
Io
I
FSM
V
FM
I
R
C
j
JA
T
j
T
英镑
KBJ
4A
50
35
KBJ
4B
100
70
KBJ
4D
200
140
KBJ
4G
400
280
4.0
120
1.0
5.0
500
40
5.5
-65到+150
KBJ
4J
600
420
KBJ
4K
800
560
KBJ
4M
1000
700
单位
安培
安培
μA
pF
℃/W
注意事项:
( 1 )测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反向电压。
( 2 )从结热阻每个元素来区分。单元安装在300 ×300× 1.6毫米铝板散热器。
额定值和特性曲线KBJ4A THRU KBJ4M
(A)
当前
5
4
I
F
, INST ANT FOR ANEOUS当前WARD
(A)
6
10
T
J
= 150°C
1.0
T
J
= 25°C
纠正
I
O
,平均
3
2
1
电阻或
感性负载
0.1
0
25
50
75
100
125
150
脉冲宽度= 300μS
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
1.8
V
F
, INST ANT FOR ANEOUS病房VOL TAGE ( V)
网络克。 2典型正向特性
T
C
, CASE TEMPERA TURE ( ° C)
网络克。 1正向电流Deratin克曲线
180
(A)
160
单半正弦波
( JEDEC的方法)
T
j
= 150°C
1000
C
j
,结CAP ACIT ANCE (PF )
F = 1MHz的
T
j
= 25°C
当前
I
FSM
峰值正向浪涌
120
80
100
40
0
1
10
循环次数在60赫兹
网络克。 3最大不重复苏尔GE电流
100
10
0.1
1.0
10
100
V
R
,反VOL TAGE ( V)
网络克。 4典型结电容
(A)
1000
T
J
= 150°C
当前
100
T
J
= 125°C
I
R
, INST ANT ANEOUS REVERSE
T
J
= 100°C
10
1.0
T
J
= 25°C
0.1
0
20
40
60
80
100
120
140
百分
RA的TED峰值反向VOL TAGE ( % )
网络克。 5典型的反向特性
直流分量CO 。 , LTD 。
R
LCK9B
TIRU
LCK9N
RFDTJGJFR SQFDJBMJSTS
TFDIOJDBM SQFDJGJDBTJPOS PG
SJOHMF2QIBSF SJMJDPO CRJEHF RFDTJGJFR
VPMTBHF RBOHF 2 : 5 LH 6555 Vhelk
DURRFOT 2 935 Bfi_j_k
GFBTURFS
/ J ^ _ [E ` HJ ijcgl_ ^] CJ ] MCL \\ H [ (主)
/ Smja_ hn_jeh [^ [ lcga ? 675 Bfi_j_k I_ [
LCK
NFDIBOJDBM支气管内膜结核
/
/
/
/
/
D [ K_ ? NHE ^ _ ^即[ KLC ]
Fihpq ? UM >9V25 [ L_ ` E [ F_ j_l [J ^ [ GL
T_jfcg [ EK ? NJM2STE2757F1 N_lbh ^ 75 =时许[J [ GL __ ^
Qhe [ jclq ? SQF \\ HEK FHE ^ _ ^ HJ F [ jd_ ^汞柱\\ H ^ Q
Nhmglcga ihkclchg ? Bgq
/ W_cabl ? 93 ; AJ [ FK
NBXJNUN RBTJOHS京东方FMFDTRJDBM DIBRBDTFRJSTJDS
[ lcgak [ L 7 :D [F \\ c_gl l_fi_j [ lmj_ mge_kk hlb_jock_ ki_ ] c`c_ ^ 3
Scgae_ IB [ K_1 B [ e`的问题o [ N_1 ; 5 IR1 j_kcklcn_ HJ CG ^ M] lcn_诶[ ^ 3
GHJ ] [我[] clcn_诶[^ 1 ^ _J [ L_ ] mjj_gl \\ Q 75.3
h
SQBDJOH
Ecf_gkchgk CG CG ] b_k [G ^ -fceecf_l_jk 。
SYNCPM
N [ pcfmf R_ ] mjj_gl Q_研究[D R_n_jk_ Vhel [ A_
N [ pcfmf RNS CJC ^ A_ Jgiml Vhel [ A_
N [ pcfmf ED CEH ] dcga Vhel [ A_
N [ pcfmf Bn_j [ A_ Ghjo [J ^ Pmliml Dmjj_gl [ L T ] @ 655
Q_并[d Ghjo [J ^ Smja_ Dmjj_gl = 38 FK kcgae_ B [ e` kcg_2o [ N_
kmi_jcfihk_ ^汞 [ L_ ^诶[^ -KFEFD N_lbh ^ 。
N [ pcfmf Ghjo [J ^ Vhel [ A_ Ejhi i_j _e_f_gl [升835B ED
N [ pcfmf ED R_n_jk_ Dmjj_gl [ l研究[ L_ ^
ED CEH ] dcga Vhel [ A_ i_j _e_f_gl
J
7
l研究[ lcga ` HJ Gmkcga -l< = 38fk 。
Tqic ] [E KMG ] lchg D [ I [ ] CL [G ] _ - Ohl_6 。
Tqic ] [E Tb_jf [E R_kckl [G ] _ -Ohl_ 7 。
Pi_j [ lcga T_fi_j [ lmj_ [ ga_
Slhj [ A_ T_fi_j [ lmj_ [ ga_
OPTFS ? 63N_ [ kmj_ ^ [ L 6 NI
Z
[G ^ [ iiec_ ^ j_n_jk_ Nhel位[ A_ h` 935 nhelk
AT
B
@ 7: D
AT
B
@ 655 D
h
h
h
LCK9B
:5
8:
:5
LCK9C
655
<5
655
LCK9E
755
695
755
LCK9H
955
7=5
955
935
675
635
65
:55
>8
95
6>
2 :: LH 0 6 : 5
2 :: LH 0 6 : 5
LCK9K
;55
975
;55
LCK9L
=55
:;5
=55
LCK9N
6555
<55
6555
UOJTS
Vhelk
Vhelk
Vhelk
Bfik
Bfik
Vhelk
mBfik
B
7
S_]
iG
5
V
RRN
V
RNS
V
ED
J
P
J
GSN
V
G
J
R
J
7
l
D
K
RTK B
T
K
T
某事
D4W
D
D
5
5
73Tb_jf [E R_kckl [G] _`建华KMG ] lchg LH D [ K_ i_j _e_f_gl Ugcl fhmgl_ ^汞柱855p855p63 ; FF Bemfcgmf即[ L_ B_ [ l2kcgd3
.-.
出口
EXI
NEXT
出口
NEXT
NEXT
RBTJOH京东方DIBRBDTFRJSTJD DURVFS -LCK9B TIRU LCK9N 。
直流分量CO 。 , LTD 。
R
.-/
出口
EXI
NEXT
出口
NEXT
NEXT
W TE
PO WE R SEM IC ND UC TO R 5
KBJ4A - KBJ4M
4.0A桥式整流器
特点
!
!
!
!
!
!
扩散结
低正向压降
高电流能力
高可靠性
高浪涌电流能力
理想的印刷电路板
A
G
B
C
H
J
K
+
~
~
-
KBJ-4
暗淡
最大
A
24.7
25.3
B
14.7
15.3
C
4.0
D
17.0
18.0
E
3.3
3.7
G
3.1
3.4
H
1.05
1.45
J
1.7
2.1
K
0.9
1.1
L
1.5
1.9
M
4.8
5.16
N
3.8
4.4
P
7.3
7.7
R
9.3
9.7
S
3.4
3.9
T
0.6
0.8
尺寸:mm
L
E
P
M
N
P
P
D
机械数据
!
!
!
!
!
!
案例:模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:对人体标示
重量:5.0克数(大约)
安装位置:任意
标记:型号数量
R
G
S
T
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流@T
C
= 100°C
@T
A
= 25°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
I
2
T级的融合(T < 8.35ms )
正向电压(每二极管)
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 2.0A
@T
A
= 25°C
@T
C
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
KBJ4A KBJ4B KBJ4D KBJ4G KBJ4J KBJ4K KBJ4M
单位
50
35
100
70
200
140
400
280
4.0
2.4
150
93
1.0
5.0
500
30
5.5
-55到+150
600
420
800
560
1000
700
V
V
A
I
FSM
I
2
t
V
FM
I
R
R
θJA
R
θJC
T
j,
T
英镑
A
A
2
s
V
A
K / W
K / W
°C
(每站)典型热阻(注1 )
(每站)典型热阻(注2 )
工作和存储温度范围
注:1,热阻结到环境,安装在PCB的9.5毫米引线长度。
2.热阻结到外壳,装在5.0× 4.0× 0.8厘米厚的铝板散热片。
KBJ4A - KBJ4M
1第3
2002韩元鼎好电子
5
散热器
I
F
,正向电流(A)
6
I
O
,平均整流电流( A)
100
4
TJ = 25
°
C
10
3
PC板
2
1.0
1
电阻或
感性负载
脉冲宽度= 300
s
0
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.0
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
T,温度(
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向特性,每个元素
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
单半正弦波
( JEDEC的方法)
100
160
T
j
= 25
°
C
F = 1.0MHz的
120
C
j
,结电容(pF )
100
T
j
= 25
°
C
10
80
40
0
1
10
循环次数在60赫兹
图。 3最大不重复浪涌电流
1
1
10
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容
100
KBJ4A - KBJ4M
2 3
2002韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
KBJ4A
KBJ4B
KBJ4D
KBJ4G
KBJ4J
KBJ4K
KBJ4M
套餐类型
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
送货数量
25单位/管
25单位/管
25单位/管
25单位/管
25单位/管
25单位/管
25单位/管
鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单
量,请咨询售楼部。
韩元鼎好电子有限公司( WTE )已仔细检查了所有的信息,并认为它是正确的,准确的。然而, WTE不承担任何
责任不准确。此外,这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息,而无需另行通知的权利。
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支持设备或系统未经明确的书面批准。
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44号谷喀嗯北三路,茅根陈DIST。 ,高雄,台湾
电话:
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真:
886-7-822-5417
电子邮件:
sales@wontop.com
互联网:
http://www.wontop.com
我们日常供电。
2002韩元鼎好电子
KBJ4A - KBJ4M
3 3
思雨
R
塑封硅整流桥堆
反向电压
200---1000V
正向电流
4 A
KBJ
.134(3.4)
.122(3.1)
.189(4.8)
.173(4.4)
.150(3.8)
.134(3.4)
¢.134(8.4)
.122(3.1)
KBJ4A ...... KBJ4M
单相硅桥式整流器
反向电压200 1000V
正向电流4 A
特征
特点
·反向漏电流½
低反向漏
高正向浪涌能力
浪涌
超载等级:120安培峰值
.382(9.7)
.366(9.3)
.995(25.3)
.983(24.7)
.602(15.3)
.578(14.7)
.157
(4.0)
·正向浪涌承受½力较强
·浪涌承受½力:120A
.074(1.9)
.059(1.5)
.708(18.0)
.669(17.0)
.057(1.45)
.041(1.05)
.083(2.1)
.069(1.7)
.043(1.1)
.035(0.9)
+
~
~
-
.146(3.7)
.130(3.3)
·引线和管½皆符合RoHS标准 。
铅和符合RoHS规范体
.114(2.8)
.098(2.5)
机械数据
机械数据
·封装:
塑料封装
案例:模压塑料
·极性:
标记模压或印于本½
极性:符号模压或标记体
·安装½½:
任意
安装位置:任意
·安装扭距:
推荐值
0.3牛*米
安装扭矩:
推荐0.3牛顿米
.031(0.8)
.023(0.6)
.303(7.7)
.287(7.3)
.303(7.7) .303(7.7)
.287(7.3) .287(7.3)
单位:英寸(毫米)
极限值和温度特性
TA = 25°
除非另有规定。
最大额定值&热特性
符号
符号
最大可重复峰值反向电压
最大重复峰值反向电压
最大均方根电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大直流阻断电压
TC = 100 ℃
最大正向平均整流电流
最大正向平均整流电流
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
KBJ
4A
50
35
50
KBJ
4B
100
70
100
KBJ
4D
200
140
200
KBJ
4G
400
280
400
4.0
120
5.5
KBJ
4J
600
420
600
KBJ
4K
800
560
800
KBJ
4M
1000
700
1000
单½
单位
V
V
V
A
A
℃/W
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
R
θJC
TJ , TSTG
峰值正向浪涌电流8.3ms的单一正弦半波
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
典型热阻
典型热阻
工½结温和存储温度
工作结存储温度范围
-55--- +150
电特性
TA = 25°
除非另有规定。
电气特性
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
符号
符号
最大正向电压
最大正向电压
KBJ
4A
KBJ
4B
KBJ
4D
KBJ
4G
1.0
10
500
40
KBJ
4J
KBJ
4K
KBJ
4M
单½
单位
V
μA
I
F
= 2.0A
TA = 25 ℃
TA = 125 ℃
V
F
最大反向电流
最大反向电流
典型结电容
V
R
=
4.0V , F = 1MHz的
典型结电容
I
R
Cj
pF
大昌电子
大昌电子
思雨
R
特性曲线
特性曲线
正向特性曲线(典型值)
典型正向特性
100
KBJ4A ...... KBJ4M
正向电流降额曲线
正向电流降额曲线
8
散热器
I
F( A)
正向平均整流电流( A)
+
~
~
-
正向电流 I
F
(A)
I
F
正向电流(A )
I
F( AV )
(A)
6
Tc
正弦波,研究负载
带散热器
10
平均正向电流
Tl=25℃
4
2
脉冲测量
每二极管
1
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
00
40
80
120
160
正向电压 V
F
(V)
正向电压VF ( V)
管½温度 Tc(°C)
TC 。外壳温度( ° C)
浪涌特性曲线(最大值)
最大不重复
峰值正向浪涌电流
180
I
FSM
I
FSM
峰值正向浪涌电流( A)
150
8.3毫秒8.3ms的
1周
不重复
TJ = 25 ℃之前
峰值正向浪涌电流 I
FSM
(A)
120
90
60
30
0
0
2
5
10
20
50
100
通过电流的周期
在60赫兹的周期数。
大昌电子
大昌电子
KBJ4A-KBJ4M
硅桥式整流器
电压范围: 50 --- 1000 V
CURRENT : 4.0
KBJ4
特点
等级达到1000V PRV
15± 0.3
4.7± 0.2
25± 0.3
3.7± 0.2
φ
3.2±
浪涌过载额定值
150
我佩雷斯峰值
理想的印刷电路板
可靠的低CoS的T利弊truction利用米olded
在inexpens IVE产品PLAS抽动技巧水库ULTS
铅每olderable s MIL- STD- 202米ethod 208
4.6± 0.15
0.15
1.2± 0.2
2.8± 0.2
0.7± 0.1
机械数据
极性:符号波士米olded的身体
重量: 0.16
盎司, 4.45克
安装POS机银行足球比赛:任何
7.5± 0.2
单位:毫米
最大额定值和电气特性
25评分
上午bient tem温度unles s otherwis ES pecified 。
单PHAS E,半波, 60赫兹, RES是略去或电感性负载。对于容性负载, 20%减免。
KBJ
4A
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均F ORW ARD
输出电流
@T
A
=100
KBJ
4B
100
70
100
KBJ
4D
200
140
200
KBJ
4G
400
280
400
4.0
KBJ
4J
600
420
600
KBJ
4K
800
560
800
KBJ
4M
1000
700
1000
17.5± 0.5
1.1± 0.2
9.5± 0.2
单位
V
V
V
A
V
RR米
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
50
35
50
山顶FORW ARD浪涌电流
8.3ms单半正弦波-W AVE
叠加在额定负荷
最大瞬时F ORW ARD电压
在2.0 A
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@T
A
=25
@T
A
=100
I
FSM
150.0
A
V
F
I
R
C
J
R
θJC
T
J
T
英镑
1.0
10.0
1.0
45
2.2
- 55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
V
μA
mA
pF
/W
典型结电容每元
典型热阻
工作结温范围
存储温度范围
注: 1.Measured在1.0MH
Z
和4.0V DC应用转ERSE V oltage
2.Dev冰装300毫米毫米x 300毫米X 1.6毫米铜板散热片。
http://www.luguang.cn
邮箱: lge@luguang.cn
KBJ4A-KBJ4M
硅桥式整流器
评级和Charactieristic曲线
图1 - 峰值正向浪涌电流
平均正向输出电流,
安培
图2 - 前降额曲线
峰值正向浪涌电流,
5
250
4
200
安培
8.3ms单半正弦波
T
J
=150
3
150
2
100
1
50
0
0
50
100
150
0
1
10
100
循环次数的AT 60H的
Z
环境温度下,
图3 - 典型正向特性
图4 - 典型结电容
100
200
瞬时正向电流,
安培
结电容, pF的
160
140
10
2
1.0
120
100
50
40
20
1
.1
TJ=25
f=1MHz
0.1
.2
.4
1.0
2
4
10
20
40
100
.01
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4 1.6
正向电压,伏
反向电压,伏
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邮箱: lge@luguang.cn
KI SEMICONDUCTOR
特点
差异用JUNC缇
低正向伏年龄下降
高币种耳鼻喉科Capabil性
UL认证文件号E165989
KBJ4A
THRU
KBJ4M
4安培
玻璃钝化
桥式整流器器
50到1000伏特
KB
P
A
D
E
B
+
最大额定值
设备
记号
工作结点温度: -5 5 ° C至+ 150
°C
存储温度: -55°C至+ 150°C
目录
BJ4005
KB J401
KB 402
KB J404
KB J406
KB J408
KB J410
KBJ4A
KBJ4B
KBJ4D
KBJ4G
KBJ4J
KBJ4K
KBJ4M
最大
Re
当前
PEAK
反向
电压
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
最大
RMS
电压
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
最大
DC
闭塞
电压
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
O
F
N
~ ~
I
-
C
G
H
J
L
M
K
尺寸
电气特性@ 25
°C
除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
I T额定值融合
2
I
F( AV )
I
FSM
V
F
4.0A
150A
1.0V
T
C
=
100°C
8.3ms的,半正弦
I
FM
每= 2.0A
元;
T
A
= 25°C*
I
R
10μA牛逼
A
= 25°C
500μA牛逼
C
= 100°C
93A
2
S( t<8.35ms )
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
英寸
最大
.976
.992
.579
.602
.154
.161
.173
.189
.134
.150
.122
.134
.130
.146
.035
.043
.059
.075
.677
.700
.287
.303
.098
.114
.024
.031
.366
.381
.118X45
°
.122
.134
MM
最大
24.80
25.20
14.70
15.30
3.90
4.10
4.40
4.80
3.40
3.80
3.10
3.40
3.30
3.70
0.90
1.10
1.50
1.90
17.20
17.80
7.30
7.70
2.50
2.90
0.60
0.80
9.30
9.70
3.0X45
°
3.10
3.40
It
2
KI SEMICONDUCTOR
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