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KBJ20005通KBJ2010
硅桥式整流器
反向电压
正向电流
KBJ
? .134(3.4)
? .122(3.1)
1.193(30.3)
1.169(29.7)
.213(5.4)
.197(5.0)
.173(4.4)
.157(4.0)
? .134(3.4)
? .122(3.1)
- 50
to
1000Volts
- 20
安培
特点
等级达到1000V PRV
理想的印刷电路板
低正向压降,高电流能力
可靠的低造价,利用模压塑料
技术导致廉价的产品
塑料材料具有UL阻燃
.198
(5.1)
.800(20.3)
.776(19.7)
.165(4.2)
.142(3.6)
.708(18.0)
.669(17.0)
分类科幻阳离子94V- 0
.106(2.7)
.096(2.3)
.094(2.4)
.075(1.9)
.043(1.1)
.035(0.9)
+
_
~ ~
.441(11.2)
.425(10.8)
.114(2.9)
.098(2.5)
.402(10.2) .303(7.7).303(7.7)
间距
.386(9.8) .287(7.3).287(7.3)
.031(0.8)
.023(0.6)
尺寸以英寸(地壳板块)
最大额定值和电气特性
评分在25℃环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
特征
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流
峰值正向电流Surage
8.3ms单半正弦波
超级强加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在10.0A DC
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
I
2
T级的融合( t<8.3ms )
典型结电容每元(注1)
典型热阻(注2 )
工作温度范围
存储温度范围
@ T
J
=25℃
@ T
J
=125℃
(带散热器注2 )
@ T
C
= 100 ℃ (无散热器)
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
KBJ
20005
50
30
50
KBJ
2001
100
70
100
KBJ
2002
200
140
200
KBJ
2004
400
280
400
20.0
3.6
300
1.1
10
500
240
60
0.8
-55到+125
-55到+150
KBJ
2006
600
420
600
KBJ
2008
800
560
800
KBJ
2010
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
I
2
t
C
J
R
θJC
T
J
T
英镑
A
V
uA
A
2
s
pF
℃/W
注: 1.Measured得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
2.Device装300毫米* 300毫米* 1.6毫米铜板散热片。
~ 265 ~
额定值和CHARACTERTIC曲线
KBJ20005通KBJ2010
图2 -最大似不重复
浪涌电流
峰值正向浪涌电流,
安培
350
300
250
200
150
100
50
0
1
单半正弦波
( JEDEC的方法)
T
J
=150
单-SINE- WAVE
( JEDEC的方法)
图1 -FORWARD电流降额曲线
平均正向电流
安培
15
带散热器
12
9
6
无需散热器
单相半波60HZ
负载电阻或电感
3
0
0
20
40
60
80
100
120
140
外壳温度
°C
2
5
10
20
50
100
循环次数在60Hz
图3 - 典型结电容
100
瞬时正向电流,
(A)
100
图4 - 典型正向特性
电容(PF )
10
10
1.0
T
J
= 25℃
脉宽300US
0.1
T
J
=25
,f=1MH
Z
1.0
1.0
10.0
反向电压(伏)
100
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
正向电压,伏
图5 - 典型的反向特性
1000
瞬时反向电流, ( UA)
100
T
J
=125
T
J
=100
10
T
J
=50
1.0
T
J
=25
0.1
0
20
40
60
80
100
百分之额定峰值反向电压( % )
~ 266 ~
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