KBE00S009M-D411
MCP内存
MCP规格
1GB NAND * 2 + 256Mb的移动SDRAM * 2
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修订版1.0
2005年5月
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KBE00S009M-D411
文档标题
MCP内存
多芯片封装存储器
1G位（ 128Mx8 ）的Nand Flash * 2 / 256M位（ 4Mx16x4Banks ）移动SDRAM * 2
修订历史号
0.0
首次发行。
- 2Gb的NAND DDP M- Die_版0.0
- 512MB的M- SDR DDP F- Die_Ver 1.0
<Common>
- 更改工作电压： 3页
<NAND Flash> ....版本0.2
- 改变了技术说明： 15,16页
- 敲定
草案日期
2005年3月27日
备注
初步
1.0
2005年5月27日
最终科幻
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的网站。
http://samsungelectronics.com/semiconductors/products/products_index.html
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
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修订版1.0
2005年5月
KBE00S009M-D411
MCP内存
多芯片封装存储器
1G位（ 128Mx8 ）的Nand Flash * 2 / 256M位（ 4Mx16x4Banks ）移动SDRAM * 2
特点
<Common>
工作温度： -25 ° C 85°C
包装： 137球FBGA类型 - 12x14mm ， 0.8mm间距
<NAND>
电源电压： 2.5 2.9V
组织
- 存储单元阵列： （ 256M + 8,192K ）位× 8位
- 数据寄存器： （ 512 + 16 ）位× 8位
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）位× 8位
- 块擦除： （ 16K + 512 ）字节
页面读取操作
- 页面尺寸： （ 512 + 16 ）字节
- 随机存取
：为15μs （最大值）
- 串行页面访问：为50ns （最小值）
快速写周期时间
- 计划时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力
： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
智能拷贝回
独特的ID为版权保护
<Mobile SDRAM>
电源电压： 1.7 1.95V
LVCMOS与复用地址兼容。
四家银行的操作。
MRS循环地址重点项目。
- 。 CAS延迟（1,2 & 3）。
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）。
- 。突发类型（顺序&交错） 。
EMRS周期地址重点项目。
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作。
特殊功能的支持。
- 。 PASR （部分阵列自刷新） 。
- 。内部TCSR （温度补偿自刷新）
- 。 DS （驱动力）
DQM用于屏蔽。
自动刷新。
64ms的刷新周期（ 8K循环） 。
地址配置
组织
16Mx32
银行
BA0,BA1
ROW
A0 - A12
列地址
A0 - A8
概述
该KBE00S009M是一个多芯片封装存储器结合了2Gb的NAND快闪记忆体（组织了两片1G位
NAND闪存）和512Mbit的同步高数据速率动态RAM （组织了两片的256Mbit移动SDRAM ）
2Gb的NAND闪存存储器分为256M ×8位， 512Mbit的SDRAM组织为4M ×32位×4银行。
在2Gb的NAND闪存，它的NAND单元提供了最具成本效益的解决方案，为固态大容量存储市场。程序
操作可以在典型为200ps进行对528字节和擦除操作可在典型2ms的上一个16K-进行
字节块。在页面的数据可以在每字节50ns的周期时间被读出。在I / O引脚作为地址和数据输入端口/
输出以及命令输入。片上写控制自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，
如有需要，以及内部验证和数据的裕度。即使是写密集型系统可以利用的
通过提供ECC （纠错码）与实时映射出算法的100K计划扩展可靠性/擦除周期。
该装置是用于大的非易失性存储器的应用，如固态的文件存储和其他便携式应用程序的最佳解决方案
阳离子需要非易失性。
在512Mbit的SDRAM ，同步设计，使配合使用系统时钟的精确控制器件和I / O交易
可能在每一个时钟周期。工作频率范围，可编程突发长度和可编程延迟允许
相同的设备，以针对各种不同的高带宽，高性能存储系统的应用是有用的。
该KBE00S009M适用于移动通信系统的数据存储器的使用，以减少不仅安装面积，而且功率
消费。该器件是137球FBGA类型可用。
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KBE00S009M-D411
引脚说明
引脚名称
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
世界环境日
A0 ~ A12
BA0 BA1
DQM0 DQM3
DQ0 DQ31
VDD
VDDQ
VSS
VSSQ
引脚功能（移动SDRAM ）
系统时钟
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
地址输入
银行地址输入
输入/输出数据面膜
数据输入/输出
电源
数据输出功率
地
DQ地面
引脚名称
NC
DNU
不要使用
引脚名称
CE
RE
WP
文
ALE
CLE
R / B
IO0 IO7
VCC
VSS
MCP内存
引脚功能（ NAND闪存）
芯片使能
读使能
写保护
写使能
地址锁存使能
命令锁存使能
READY / BUSY输出
数据输入/输出
电源
地
引脚功能
无连接
订购信息
KB ê
三星
MCP存储器（ 4chips ）
设备类型
NAND + NAND + SDRAM + SDRAM
NOR闪存的密度，电压，
组织，银行规模，引导块
00 - 无
00 S 0 0 9米 - 411
存取时间
411 ： NAND闪存为50ns
NAND闪存为50ns
移动SDRAM 9ns
移动SDRAM 9ns
包
D = FBGA （无铅）
NAND闪存的密度，电压，组织
S = 1G + 1G ， 2.7V / 2.7V ， X8
UtRAM密度，电压，组织
0 =无
SRAM密度，电压，组织
0 =无
VERSION
M =第1代
SDRAM接口，密度，
电压，组织，选项
9
= M- SDR ， 256M + 256M ， 1.8V / 1.8V ， X32
注意：
1.三星没有设计或制造用于在设备或系统，该系统是根据情况使用在人的生命是可能处于危险中。
请在三星电子考虑产品所包含的任何特定目的使用时，接触到存储器的营销团队，
如医疗，航空航天，核能，军工，汽车或海底中继器的使用。
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