【光电耦合器P / N ： KB847通用高隔离电压单晶体管型光耦合器系列特点输入和输出（维索= 50】,IC型号KB847D,KB847D PDF资料,KB847D经销商,ic,电子元器件-51电子网

光电耦合器

P / N ： KB847

通用

高隔离电压

单晶体管型

光耦合器系列

特点

输入和输出（维索= 5000 V有效值）之间1，高隔离电压。

B整机双列直插式封装

KB847 ：4沟道型

通过UL及CUL ，文件NO.E225308 3.Recognized 。

通过VDE 4.Approved 0884 Teil2 （ NO ： 40006364 ）

（输入和输出之间的爬电距离：7毫米或更大）。

5.RoHS标准。

描述

1. KB847 （ 4通道）是光学上含有一个砷化镓发光二极管耦合隔离器和

一个NPN硅光电晶体管。

2，引脚间距为2.54毫米。

> = 0.6毫米：发光二极管和光电晶体管输出之间3.Solid保温层厚度。

应用

1.Computer终端。

2.Registers ，复印机，自动售货机。

3.系统设备，测量仪器。

4.Programmable逻辑控制器。

不同的潜能和阻抗的电路之间5.Signal传输。

规范编号： DSAD1552

批准： J·卢

REV NO： V.7

检查：邓特雷西

日期：Nov / 212005

得出： Y.W.WANG

页： 1 9

ERP ： 1205000027

光电耦合器

P / N ： KB847

*套餐

外形尺寸（单位：毫米）

DIP型

KB847

顶视图

2.54 [0.1] 0.25

KB817

公差：

0.5[±0

±0.02]

除非另有说明。

±0

内部连接

图

6.5[0.256]

16 15 14 13 12 11 10 9

阳极

标志

0.9 [0.035] 0.2

1.2 [0.047] 0.3

3.5 [0.138]

2.7 [0.106]

0.4[0.015]MIN.

19.82 [0.78]

7.62 [0.3] 0.3

7[0.276]

3.0[0.118]

0.5 [0.02] 0.1

0.25 [0.01] 0.1

= 0至13

1 ， 3，5， 7，阳极

2 ，4，6 ， 8，阴极

9 ， 11 ， 13 ， 15发射

10，12 ，14， 16，集电极

绝对最大额定值（Ta = 25 °

参数

正向电流

输入

反向电压

功耗

集电极 - 发射极电压

发射极 - 集电极电压

产量

集电极电流

集电极耗散功率

总功耗

符号

权证

P合计

VISO

TOPR

TSTG

TSOL

隔离电压

工作温度

储存温度

焊接温度

4060 ％RH下，交流进行1分钟。

为10秒。

规范编号： DSAD1552

批准： J·卢

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检查：邓特雷西

日期：Nov / 212005

得出： Y.W.WANG

等级

150

200

5000

-30~+100

-55~+125

260

单位

VRMS

°C

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光电特性

参数

正向电压

输入

峰值正向电压

反向电流

产量

集电极暗电流

当前

符号

首席执行官

CTR

CE（ SAT

)

条件

=20mA

=0.5A

=4V

=20V,I

=0mA

=5mA,V

=5V

= 20mA时，我

=1mA

= 5V ，我

=2mA

=100,-3dB

= 2V ，我

=2mA

=100

分钟。

___

典型值。

1.2

___

0.1

马克斯。

1.4

3.0

-7

600

0.2

___

单位

千赫

传输比

转让

charact-

ERISTICS

集电极 - 发射极饱和电压

UT -O FF FRE Q UE NCY

上升时间

响应时间

下降时间

的电流传输比分类表如下所示。

CTR = I

X 100%

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图。 1电流传输比主场迎战

正向电流

图。 2正向电流与

正向电压

图。 3集电极电流 -

集电极 - 发射极电压

图。 4相电流传输比

- 环境温度

图。 5集电极 - 发射极饱和

电压与环境温度

图。 6集电极暗电流与

环境温度

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图。 7正向电流与

环境温度

图。 8集电极耗散功率对比

环境温度

图。 9响应时间与

负载电阻

测试电路的响应时间

图。 10频率响应

测试电路的频率响应

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