KB3301
升压型DC / DC转换器
概述
该KB3301是一种小型，高效率，低电压
升压型DC / DC转换器的自适应电流模式
PWM控制环路，包括误差放大器，斜
发生器，比较器，开关导通元件和驱动
在其中提供一个稳定的和高效率的运作
在很宽的负载电流范围内。它工作在稳定
波形无需外部补偿。
低于0.8V的低启动输入电压使KB3301
适于提供14的电池单元的应用程序
高达300mA的输出电流。在500KHz的高开关
率最小化的外部元件的尺寸。此外，
高effic- 14μA的低静态电流在一起
iency保持较长的电池寿命。
该KB3301是小封装SOT- 26和
SOT89-5
特点
90 ％ EF网络效率
高供电能力，提供5.0V 500毫安
与输入3.6V - 4.2V
14μA静态（关机）电源电流
500kHz的固定开关频率
零关断模式下电源电流
提供灵活的使用内部和
外部电源开关
1.0V低启动输入电压
小型SOT- 26 & SOT89-5封装
订购信息
项
KB3301MR
KB3301PR
包
SOT-26
SOT-89-5
航运
3000pcs/Reel&Tape
3000pcs/Reel&Tape
应用
LCD面板
DSC
MP3
无线设备
便携式仪器
PDA
包装信息
典型应用电路
L1
VIN
+
C3
100uF
C2
1uF
VDD
CE
EXT
LX
3.3~10uH
1N5819
D1
SOT89-5
销刀豆网络gurations
SOT-26
1
2
3
4
5
6
SOT-26
VOUT
R1
3.3V/5V
1.6M/100K
+
KB3301
FB
GND
R2
C1
100uF
980k/33K
SOT- 89-5引脚NamePin功能
1
CE
芯片使能
EXT输出
5
GND接地
4
LX
开关
2
VDD输入
3
FB
反馈输入1.25V
注： VIN = 3.6 4.2V ，输出电压= 5.0V 500毫安（ USB主机应用程序）
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绝对最大额定值
N指标
电源电压
LX引脚电压开关
其他I / O引脚电压
LX引脚开关电流
EXT引脚驱动电流
封装热阻
工作结温
存储温度范围
(Ta=25
单位
V
V
V
A
mA
/W
/W
SOT-26
SOT-89-5
符号等级
VIN
- 0.3V
7V
- 0.3
（VDD + 0.8V ）
- 0.3V
（ VDD + 0.3V ）
2.5
200
Pd
145
45
Tj
125
- 65 ~ +150
电气特性
（ VIN = 1.5V ， VDD = 3.3V ， I = 0 ，TA = 25
参数
启动电压
工作电压VDD范围
空载电流I （V
IN
)
开断电流I（ VDD ）
关断电流I（ V
IN
)
反馈参考电压
开关频率
最大占空比
LX抗性
电流限制设定
EXT导通电阻连接到VDD
EXT导通电阻到GND
线路调整
负载调整率
CE引脚触发电平
温度稳定性Vout的
热关断
热关断Hysterises
符号
V
ST
V
DD
I
空载
I
关闭
I
关闭
V
REF
F
S
D
最大
I
极限
除非另有规格
测试条件
I
L
= 1毫安
VDD引脚电压
V
IN
= 1.5V, V
OUT
= 3.3V
V
IN
= 6V
CE引脚= 0V ，V
IN
= 4.5V
闭环， VDD = 3.3V
VDD = 3.3V
VDD = 3.3V
VDD = 3.3V
VDD = 3.3V
VDD = 3.3V
VDD = 3.3V
V
IN
= 1.5 2.5V ，我
L
= 1毫安
V
IN
= 2.5V ，我
L
= 1 100毫安
VDD = 3.3V
民
--
2
--
--
--
1.225
--
--
--
--
--
--
--
--
0.4
--
--
--
典型值
0.80
--
75
14
0.01
1.25
500
95
0.3
2
5
5
10
0.25
0.8
50
165
10
最大
0.85
6.5
--
--
1
1.275
--
--
--
--
--
--
--
--
1.2
--
--
--
单位
V
V
A
A
A
V
千赫
%
A
mV / V的
毫伏/毫安
V
PPM /
V
LINE
V
负载
T
S
T
SD
T
SD
*注： CE引脚应连接到VDD引脚和抑制行动的ON / OFF状态时的VDD引脚电压
可以达到5.5V以上。
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应用
高电流的应用
L1
3.3--10uH
+ C5
100uF
C2
1uF
VDD
CE
EXT
LX
FB
R2
980k/33K
VOUT
3.3V/5V
VIN
D1
1N5819
应用说明
输出电压设定
参照应用电路中，所述输出电压
开关稳压器（V
OUT
）可以被设置
V
OUT1
= (1 +
R1
R2
) × 1.25V
反馈回路设计
R1
1.6M/100K
Q1
NMOS
+
C1
100uF
谈到应用电路， R 1和R的选择
R2的基于静态电流之间的折衷
消费和抗干扰性的陈述如下：
按照公式A
较高的R降低了静态电流（电流路径
= 1.25V / R2 ） ，不过电阻超过5MΩ不
推荐使用。
较低的r可得出更好的抗噪声能力，并且是少
对干扰敏感，布局寄生效应， FB节点
泄漏和不当探测到FB引脚。
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GND
高电压应用
VIN = 3.1V 6.5V输出电压= 12V
VIN = 2.8V 6.5V输出电压= 9V
VIN = 4.0V 6.5V输出电压= 8V
+
C4
47uF
NMOS = XP161A1355PR FDN337N
C1=47uF
C2=10uF
C3=NC
R1=860K/620K/210K
R2=100K/100K/39K
RM=0.2
CVDD=1uF
12V / 9V / 8V
1000mA
R1
R2
C2
+
C1
L1
器4.7uH 2.5A D1
1N5819
CVDD
Q1
NMOS
EXT
LX
FB
C3
RVDD
47
VDD
CE
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GND
的前馈电容器并联一个适当的值
R1可提高反馈的抗噪能力
环，特别是在一个不正确的布局。实证
建议是在0 33pF的反馈电阻
MΩ ，和10nF 0.1μF的几十反馈电阻
到几百千欧。
对于没有备份应用程序中或暂停模式下，
是优选的R1和R2的值越低。对于应用程序
有关的电流消耗在待机或
暂停模式中， R1和R2的值越大
反馈需要。这样的"high阻抗loops"是
任何干扰，这需要仔细的敏感
布局和避免任何干扰，例如探测到FB引脚。
多路输出的应用
R1=620K
R2=100
C6=0.1uF
D1
VIN
3.3V/5V
R3
100
C1
1uF
L1
3.3--10uH
C2
10uF
Q1
NMOS
C7
1uF
VDD
CE
EXT
LX
FB
R2
C6
R1
C5
10uF
1N5819
Vout2
+ 18V 10毫安
C8
1uF
C3
10uF
Vout1
+ 9V 100毫安
C4
10uF
Vout3
-9V 10毫安
KB3301
GND
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