E
高电压，照片
D
MOS继电器
KAQV414S
KAQV414S
UL
1577/
UL
508 （文件No.E108430 ）
FI
EN60950 （文件No.FI13698 ）
特点
1常闭，单刀单掷
2.控制400VAC或DC电压
3.切换130毫安负荷
4.控制LED电流， 5毫安
5.低导通电阻
6.的dv / dt ， >500V / MS
7.隔离测试电压， 1500VACrms
单位：mm
公差：
±
0.2mm
绝对最大额定值
发射器（输入）
反向电压5.0V .................................
连续正向电流............... 50毫安
峰值正向电流1A ...........................
功耗100mW的........................
从25℃ ............ 1.3MW / °C减免线性
一般特性
绝缘测试电压............... 1500VACrms
绝缘电阻
VIO = 500V ，TA = 25 ℃， ≥10 ........................
总功率耗散.................. 550MW
从25℃ ............只有2.5mW / °C减免线性
10
(Ta=25°C)
检测器（输出）
输出击穿电压............... ± 400V
连续负载电流............... ± 130毫安
功耗500mW的........................
操作/逆时
储存温度范围... -40 ° C至+ 125°C
工作温度范围... -30 ° C至+ 85°C
结温........................ 100℃
焊接温度，
2毫米的情况下， 10秒..................... 260℃
光电特性
参数
发射器（输入）
正向电压
操作输入电流
恢复输入电流
检测器（输出）
输出电压击穿
输出断态泄漏
I / O容量
A
抗性
反向（ NO ）时间
操作（OFF）的时间
连接
B
C
T
ON
T
关闭
I
F
= 10毫安，V
L
=±20V
T = 10ms时，我
L
=±100mA
R
ON
I
L
= 100mA时我
F
=10mA
V
B
I
花花公子
C
ISO
I
B
=50uA
V
T
= 100V ，我
F
=0mA
I
F
= 0中，f = 1MH
Z
400
0.2
6
40
20
10
0.6
0.3
50
25
2
V
F
I
FOFF
I
丰
I
F
=10mA
V
L
= ± 20V ，我
L
≤5uA
V
L
= ± 20V ，我
L
= 100mA时T = 10毫秒
0.2
1.2
1.5
5
符号
条件
分钟。
典型值。
(Ta=25°C)
马克斯。
单位
V
mA
mA
V
uA
pF
ms
ms
12.5
1.5
1.0
MOS继电器原理图和接线图
TYPE
概要
产量
CON组fi guration
负载
连接
接线图
交流/直流
A
KAQV414S
1a
DC
B
DC
C
88
c
2002
科斯莫
电子公司
http://www.cosmo-ic.com
E
高电压，照片
D
MOS继电器
KAQV414S
KAQV414S
UL
1577/
UL
508 （文件No.E108430 ）
FI
EN60950 （文件No.FI13698 ）
特点
1常闭，单刀单掷
2.控制400VAC或DC电压
3.切换130毫安负荷
4.控制LED电流， 5毫安
5.低导通电阻
6.的dv / dt ， >500V / MS
7.隔离测试电压， 1500VACrms
单位：mm
公差：
±
0.2mm
绝对最大额定值
发射器（输入）
反向电压5.0V .................................
连续正向电流............... 50毫安
峰值正向电流1A ...........................
功耗100mW的........................
从25℃ ............ 1.3MW / °C减免线性
一般特性
绝缘测试电压............... 1500VACrms
绝缘电阻
VIO = 500V ，TA = 25 ℃， ≥10 ........................
总功率耗散.................. 550MW
从25℃ ............只有2.5mW / °C减免线性
10
(Ta=25°C)
检测器（输出）
输出击穿电压............... ± 400V
连续负载电流............... ± 130毫安
功耗500mW的........................
操作/逆时
储存温度范围... -40 ° C至+ 125°C
工作温度范围... -30 ° C至+ 85°C
结温........................ 100℃
焊接温度，
2毫米的情况下， 10秒..................... 260℃
光电特性
参数
发射器（输入）
正向电压
操作输入电流
恢复输入电流
检测器（输出）
输出电压击穿
输出断态泄漏
I / O容量
A
抗性
反向（ NO ）时间
操作（OFF）的时间
连接
B
C
T
ON
T
关闭
I
F
= 10毫安，V
L
=±20V
T = 10ms时，我
L
=±100mA
R
ON
I
L
= 100mA时我
F
=10mA
V
B
I
花花公子
C
ISO
I
B
=50uA
V
T
= 100V ，我
F
=0mA
I
F
= 0中，f = 1MH
Z
400
0.2
6
40
20
10
0.6
0.3
50
25
2
V
F
I
FOFF
I
丰
I
F
=10mA
V
L
= ± 20V ，我
L
≤5uA
V
L
= ± 20V ，我
L
= 100mA时T = 10毫秒
0.2
1.2
1.5
5
符号
条件
分钟。
典型值。
(Ta=25°C)
马克斯。
单位
V
mA
mA
V
uA
pF
ms
ms
12.5
1.5
1.0
MOS继电器原理图和接线图
TYPE
概要
产量
CON组fi guration
负载
连接
接线图
交流/直流
A
KAQV414S
1a
DC
B
DC
C
88
c
2002
科斯莫
电子公司
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