【性能规格KAF-6303EKAF- 6303E3072 （H ）× 2048（ V）像素增强的响应全】,IC型号KAF-6303E,KAF-6303E PDF资料,KAF-6303E经销商,ic,电子元器件-51电子网

性能规格

KAF-6303E

KAF- 6303E

3072 （H ）× 2048（ V）像素

增强的响应

全画幅CCD图像传感器

性能规格

伊士曼柯达公司

图像传感器解决方案

罗切斯特，纽约14650-2010

修订版2

2001年10月15日

伊士曼柯达公司 - 图像传感器解决方案 - 罗彻斯特，纽约州14650-2010

电话（ 716 ） 722-4385

传真：（ 716 ） 477-4947

网址：

www.kodak.com/go/imagers

电子信箱： imagers@kodak.com

性能规格

KAF-6303E

1.1 Features.............................................................................................................................................. 3

1.2 Description......................................................................................................................................... 3

1.3图像Acquisition.............................................................................................................................. 4

1.4电荷传输............................................................................................................................... 4

1.5输出Structure..................................................................................................................................4

1.6暗基准像素.......................................................................................................................4

1.7虚拟像素。 ...................................................................................................................................4

2.1包装图...............................................................................................................................五

2.2引脚说明.................................................................................................................................. 6

3.1绝对最大额定值.............................................................................................................. 7

3.2 DC工作条件.................................................................................................................. 8

3.3交流工作条件.................................................................................................................. 9

3.4 AC时序条件...................................................................................................................... 9

4.1性能规格............................................................................................................. 11

4.2典型性能特征光谱响应............................................ .................... 12

4.3缺陷Classification........................................................................................................................ 13

5.1质量保证和可靠性............................................. .................................................. .... 14

5.2订购信息....................................................................................................................... 14

修订变化................................................................................................................................. 15

科幻居雷什

图1

图2

科幻gure 3

图4

图5

功能框图

包图

封装引脚名称

推荐输出结构载图

时序图

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KAF-6303E

目前不会影响充电容量。该

透明的门会导致光谱响应增加

10倍于400nm的，相对于前侧

照明标准的多晶硅栅极技术。该

灵敏度在可见的其余部分增加50 ％

波长。

总芯片尺寸29.0毫米× 19.1毫米和被容纳在一个

26引脚， 0.88 “宽DIL陶瓷封装与0.1 ”销

间距。

该传感器由3088平行（垂直） CCD

移位寄存器每2056个元素。这些寄存器

充当两个光敏元件和作为

传输电路，其允许图像被依次

读出传感器。这些寄存器中的元素

被布置成3072 ×2048光敏阵列

由光所包围屏蔽16的暗参考

列和8行。平行（垂直）的CCD

寄存器传输图像的一行时成

单3100元（水平） CCD移位寄存器。

水平寄存器中的电荷转移到一个单一的

输出放大器。输出放大器是一个两级

源极跟随器，其将所生成的光

充电到每个像素的电压

4暗线

1.1

特点

600万像素的CCD面积

3072H X 2048V （ 9

M）像素

1.2

透明门真正的两阶段技术

（增强光谱响应）

27.65毫米高x 18.48毫米V感光面积

2 ，相位寄存器时钟

100 ％的填充因子

低暗电流（ <10pA /平方厘米@ 25℃ ）

描述

该KAF - 6303E是一款高性能黑白

区的CCD （电荷耦合器件）图像传感器，具有

设计用于广泛3072H X 2048V相片有源像素

在0.3纳米至1.0图像传感应用范围

波长带。典型的应用包括

军事，科学和工业成像。一个74分贝

动态范围可在室温下操作。

该传感器被构建的一个真实的两相的CCD

技术。该技术简化了支持

电路驱动的传感器，并降低了暗

φ=

V 1

KA的F - 6303E

ü紫貂活动图像区

3072 （H ）× 2048 （ V）

9 x 9

像素

3 ： 2的纵横比

V RD

φ=

V 2

守卫

V DD

V OUT

V SS

子

V OG

4暗线

3072有源像素/线

6黑

10无效

10黑

2无效

图1 - 功能框图

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1.5

输出结构

1.3

图像采集

的图像的电子表示时形成

入射光子落在传感器平面创建

该传感器内的电子 - 空穴对。这些光子

诱导的电子通过的形成本地收集

在每一个光栅或像素站点势阱。数

收集到的电子的线性依赖于光平

和曝光时间和非线性地依赖于

波长。当到达该像素的能力，过剩

电子会泄漏到内相同的相邻像素

柱。这被称为绽放。在积分

期间，该

V1和

V2的寄存器的时钟都保持在一个

常（低）水平。

参见图5 - 时序图。

电荷向浮动扩散（FD ）是

转换为电压和电流放大，以便

驱动芯片外载荷。将得到的电压变化

看出在输出是线性相关的量

充电放在FD 。一旦信号已经被采样

由系统电子元件，复位栅极（

R）的时钟

去除信号和FD复位到电势

通过VRD应用。更多的信号在所述浮动扩散

降低见于输出引脚上的电压。为了

激活的输出结构中，片外负载必须是

添加到设备的Vout的销 - 参见图4 。

1.6

暗基准像素

1.4

电荷传输

再次参照图5 - 时序图，该

从每个光栅集成的电荷被传输到

使用两步骤过程的输出。每行（列）的

电荷首先从垂直CCD的对运

使用水平CCD寄存器

V1和

V2寄存器

时钟。该水平CCD提出一个新行上

的下降沿

而V2

H1保持高电平。该

水平CCD的再运送每行，每个象素，

由交替的时钟输出结构

H1和

H2引脚以互补的方式。在每个掉落

边缘

H 2的新的电荷包被传输到一个

浮动扩散部和感测到的输出放大器

装置周围的周边是一个边界

光屏蔽像素。这包括6领先，并10

每行不包括虚拟像素尾随像素。

还有在每一个开始4个全暗线

帧，并在每个帧的末端4个整体的暗线。

在正常情况下，这些像素不

响应的光。然而，暗参考像素

接近有源像素，或外部边界

芯片（包括前两行出），可

清除取决于信号的光强度和

波长，因此将不代表真实

暗信号。

1.7

虚拟像素

在水平移位寄存器是10前和2

尾随而不是相关的附加相移

以像素为单位的从垂直寄存器中的一列。这些

像素只包含水平移位寄存器暗电流

信号不轻回应。少数领导

虚拟像素可清除因错误信号

操作条件。

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2.1

封装图

图2 - 封装图纸

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