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KA5S-SERIES
KA5S0765C/KA5S0965/KA5S12656/KA5S1265
飞兆功率开关（ FPS ）
特点
宽工作频率范围为150KHz
最低成本SMPS解决方案
最低外部元件
低启动电流（最大值： 170μA ）
低工作电流（最大： 12毫安）
内部高压值SenseFET
过电压保护带锁存模式（ Min23V ）
过负载保护带锁存模式
过电流保护具有锁存模式
内部热保护带锁存模式
逐脉冲过电流限制
欠压锁定滞
外部同步。终奌站
TO-220-5L
1
TO-3P-5L
1
1.漏2. GND 3. V
CC
4.留言5.同步。
内部框图
V
CC
3
V
CC
UVLO
+
-
15/9V
软启动
&同步
5
VREF
4反馈
0.95mA
2.5V
R
VREF
V
CC
4A
OLP
(Vfb=7.5V)
TSD
(Tj=160°C)
OVP
(V
CC
=25V)
1μs的时间窗口
开路
OCP
(V
S
=1.1V)
S
Q
R
关闭锁
-
Vth.sy
+
7V
6V
-
+
VOFFSET
R
S
Q
BIAS
VREF
2.5V
OSC
CLK
+
-
VREF UVLO
漏
1
值SenseFET
V
S
RSENSE
2 GND
上电复位
(VCC=6.5V)
Rev.1.0.5
2003仙童半导体公司
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KA5S-SERIES
KA5S0765C/KA5S09654QT/KA5S0965/
KA5S12656/KA5S1265
飞兆功率开关（ FPS ）
特点
宽工作频率范围为150KHz
最低成本SMPS解决方案
最低外部元件
低启动电流（最大： 170uA ）
低工作电流（最大： 12毫安）
内部高压值SenseFET
过电压保护带锁存模式（ Min23V ）
过负载保护带锁存模式
过电流保护具有锁存模式
内部热保护带锁存模式
逐脉冲过电流限制
欠压锁定滞
外部同步。终奌站
TO-3P-5L
1
TO-220F-5L
TO-220-5L
1
1
1.漏2. GND 3. V
CC
4.留言5.同步。
内部框图
V
CC
3
V
CC
UVLO
+
-
15/9V
软启动
&同步
5
VREF
4反馈
0.95mA
2.5V
R
VREF
V
CC
4A
OLP
(Vfb=7.5V)
TSD
(Tj=160°C)
OVP
(V
CC
=25V)
1μs的时间窗口
开路
OCP
(V
S
=1.1V)
S
Q
R
关闭锁
-
Vth.sy
+
7V
6V
-
+
VOFFSET
R
S
Q
BIAS
VREF
2.5V
OSC
CLK
+
-
VREF UVLO
漏
1
值SenseFET
V
S
RSENSE
2 GND
上电复位
(VCC=6.5V)
Rev.1.0.2
2001仙童半导体公司
KA5S -SERIES KA5S0765C / KA5S09654QT / KA5S0965 / KA5S12656 / KA5S1265
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
特征
符号
V
D， MAX
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
I
AS
(E
AS
)
V
CC ，最大
V
FB
V
SS
P
D
（瓦特H / S）
降额
T
J
T
A
T
英镑
价值
650
650
±30
28
7.0
5.6
20(570)
30
-0.3到V
CC
-0.3 8
135
1.1
+160
-25至+85
-55到+150
单位
V
V
V
ADC
ADC
ADC
A（兆焦耳）
V
V
V
W
W /
°C
°C
°C
°C
KA5S0765C
最大漏极电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流（TC = 25 ° C）
连续漏电流（TC = 100 ° C）
单脉冲电流Avalanch
(3)
（能源
(2)
)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
KA5S09654QT
最大漏极电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流（TC = 25 ° C）
连续漏电流（TC = 100 ° C）
单脉冲电流Avalanch
(3)
（能源
(2)
)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
V
D， MAX
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
I
AS
(E
AS
)
V
CC ，最大
V
FB
V
SS
P
D
（瓦特H / S）
降额
T
J
T
A
T
英镑
650
650
±30
49
9.0
5.7
25(660)
30
-0.3到V
CC
-0.3 8
160
1.28
+160
-25至+85
-55到+150
V
V
V
ADC
ADC
ADC
A（兆焦耳）
V
V
V
W
W /
°C
°C
°C
°C
2
KA5S -SERIES KA5S0765C / KA5S09654QT / KA5S0965 / KA5S12656 /
绝对最大额定值（续）
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
特征
符号
V
D， MAX
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
I
AS
(E
AS
)
V
CC ，最大
V
FB
V
SS
P
D
（瓦特H / S）
降额
T
J
T
A
T
英镑
价值
650
650
±30
36
9.0
5.8
28(950)
30
-0.3到V
CC
-0.3 8
170
1.33
+160
-25至+85
-55到+150
单位
V
V
V
ADC
ADC
ADC
A（兆焦耳）
V
V
V
W
W /
°C
°C
°C
°C
KA5S0965
最大漏极电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流（TC = 25 ° C）
连续漏电流（TC = 100 ° C）
单脉冲电流Avalanch
(3)
（能源
(2)
)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
KA5S12656
最大漏极电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流（TC = 25 ° C）
连续漏电流（TC = 100 ° C）
单脉冲电流Avalanch
(3)
（能源
(2)
)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
V
D， MAX
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
I
AS
(E
AS
)
V
CC ，最大
V
FB
V
SS
P
D
（瓦特H / S）
降额
T
J
T
A
T
英镑
650
650
±30
48
12
8.4
30(785)
30
-0.3到V
CC
-0.3 8
160
1.28
+160
-25至+85
-55到+150
V
V
V
ADC
ADC
ADC
A（兆焦耳）
V
V
V
W
W /
°C
°C
°C
°C
3
KA5S -SERIES KA5S0765C / KA5S09654QT / KA5S0965 / KA5S12656 / KA5S1265
绝对最大额定值（续）
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
特征
符号
V
D， MAX
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
I
AS
(E
AS
)
V
CC ，最大
V
FB
V
SS
P
D
（瓦特H / S）
降额
T
J
T
A
T
英镑
价值
650
650
±30
48
12
8.4
30(785)
30
-0.3到V
CC
-0.3 8
160
1.28
+160
-25至+85
-55到+150
单位
V
V
V
ADC
ADC
ADC
A（兆焦耳）
V
V
V
W
W /
°C
°C
°C
°C
KA5S1265
最大漏极电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流（TC = 25 ° C）
连续漏电流（TC = 100 ° C）
单脉冲电流Avalanch
(3)
（能源
(2)
)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
注意：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 10MH ，V
DD
= 50V ，R
G
= 27Ω ，开始TJ = 25°C
3， L = 13uH ，开始TJ = 25°C
4
KA5S -SERIES KA5S0765C / KA5S09654QT / KA5S0965 / KA5S12656 /
电气特性（ SFET部分）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS
（上）
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=7.0A
（ MOSFET开关
时间的本质
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=7.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
（ MOSFET
开关时间
基本上是独立的
工作温度）
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
F = 1MHz的
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大，等级，V
GS
=0V
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导
(1)
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
V
DS
= 0.8Max 。 ，评级，
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=4.0A
V
DS
= 15V ，我
D
=4.0A
分钟。
650
-
-
-
3.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
1.25
-
1600
310
120
25
55
80
50
-
9.3
29.3
马克斯。
-
50
200
1.6
-
-
-
-
-
-
-
-
72
-
-
nC
nS
pF
单位
V
A
A
S
KA5S0765C
漏源击穿电压
KA5S09654QT
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导
(1)
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
BV
DSS
I
DSS
R
DS
（上）
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=9.0A
（ MOSFET开关
时间的本质
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=9.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
（ MOSFET
开关时间
基本上是独立的
工作温度）
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大，等级，V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。 ，评级，
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=4.5A
V
DS
= 50V ，我
D
=4.5A
650
-
-
-
3.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.1
-
1300
135
25
25
75
130
70
45
-
-
8
22
-
200
300
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nS
pF
V
A
A
S
5
QQ：2881677436 复制
