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KA5M0765RQC
飞兆功率开关( FPS )
特点
精密固定工作频率( 70kHz的)
低启动电流(典型值100μA )
逐个脉冲电流限制
过载保护
过电流保护
过电压保护(最小25V )
内部热关断功能
欠压锁定
内部高压感FET
自动重启动模式
描述
飞兆半导体的功率开关(FPS )产品系列是专
设计用于离线开关电源用最少的外部
组件。飞兆半导体的功率开关(FPS )由高
电源电压值SenseFET和电流模式PWM IC 。包括
PWM控制器功能集成的固定频率振荡器,
欠压锁定,前沿消隐,优化的栅极
导通/关断驱动器,热关断保护,过
电压保护,温度补偿精密
电流源回路补偿和故障保护
电路。相比分立式MOSFET和PWM控制器
或R
CC
解决方案中,飞兆功率开关( FPS )可以减少
总元件数量,设计的尺寸,重量,并在同一时间
提高效率,生产率和系统的可靠性。
它有一个基本平台非常适用于成本效益的设计中
无论是反激式转换器或转发器。
TO-220-5L
1
1.漏2. GND 3. V
CC
4. 5. FB的S / S
内部框图
VCC
3
+
27V
1
UVLO
国内
BIAS
GOOD LOGIC
CLK
OVP
OVP出
V
CC
V
REF
5uA
15V/9V
1mA
-
VREF
Voltag ê
SENSE
极限
电路
FET
OSC
4反馈
软启动5
+
7.5V
5V
OLP
2.5R
14V
S
-
+
LEB
V
华氏度F小号(E T)
Q
R
R
-
TSD
(T
J
=150
)
OVP出
(V
CC
=27V)
OCL
(V
S
=1.4V)
V
S
RSENSE
Q
LEB :前沿消隐
OCL :在币种耳鼻喉科限制
S
上电复位
/自动重启动
R
2 GND
关闭
LAT CH
Rev.1.0.5
2004仙童半导体公司
KA5M0765RQC
绝对最大额定值
参数
漏,栅极电压(R
GS
=1M)
门源( GND )电压
漏电流脉冲
(2)
单脉冲雪崩能量
(3)
连续漏电流(T
C
=25°C)
连续漏电流(T
C
=100°C)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作环境温度
储存温度
符号
V
DGR
V
GS
I
DM
E
AS
I
D
I
D
V
CC ,最大
V
FB
P
D
疾飞
T
A
T
英镑
价值
650
±30
28.0
570
7.0
5.6
30
-0.3到V
SD
140
1.11
-25至+85
-55到+150
单位
V
V
A
DC
mJ
A
DC
A
DC
V
V
W
W / ℃,
°C
°C
注意:
1. T
j
= 25 ℃至150 ℃的
2.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 24mH ,起始物为
j
= 25°C
2
KA5M0765RQC
电气特性( SFET部分)
( TA = 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
(注)
正向跨导
(注)
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
(栅极 - 源+栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极(米勒)电荷
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=50A
V
DS
=最大,等级,
V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。 ,评级,
V
GS
= 0V ,T
C
=125°C
V
GS
= 10V ,我
D
=3.5A
V
DS
= 50V ,我
D
=3.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=7.0A
( MOSFET开关
时间的本质
独立
工作温度)
V
GS
= 10V ,我
D
=7.0A,
V
DS
=0.8BV
DSS
分钟。
650
-
-
-
3.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
1.25
-
1120
125
25
25
70
105
65
38
6.5
18
马克斯。
-
50
200
1.6
-
-
-
-
60
150
220
140
50
-
-
nC
nS
pF
单位
V
A
A
S
注意:
1.脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%
2.
1
S
= ---
-
R
3
KA5M0765RQC
电气特性(控制部分)
(续)
( TA = 25 ° C除非另有说明)
参数
UVLO节
启动阈值电压
停止阈值电压
振荡器部分
初始精度
频率随温度变化
(2)
最大占空比
反馈部分
反馈源电流
关机反馈电压
关机延迟电流
软启动第
软启动电压
软启动电流
参考科
输出电压
(1)
温度稳定性
(1)(2)
峰值电流限制
保护科
热关断温(Tj )
(1)
过电压保护
设备总段
启动电流
工作电源电流
(控制部分只)
I
开始
I
OP
V
CC
=14V
V
CC
28
-
-
0.1
7
0.17
12
mA
mA
T
SD
V
OVP
-
-
140
25
160
27
-
29
°C
V
VREF
VREF / ΔT
I
过度
Ta=25°C
-25°C
Ta
+85°C
马克斯。电感电流
4.80
-
4.40
5.00
0.3
5.00
5.20
0.6
5.60
V
毫伏/°C的
A
V
SS
I
SS
V
FB
=2V
同步& S / S = GND
4.7
0.8
5.0
1.0
5.3
1.2
V
mA
I
FB
V
SD
IDELAY
TA = 25° C, 0V
VFB
3V
VFB
6.5V
TA = 25℃ , 5V
VFB
V
SD
0.7
6.9
4
0.9
7.5
5
1.1
8.1
6
mA
V
A
F
OSC
ΔF /ΔT
DMAX
Ta=25°C
-25°C
Ta
+85°C
-
61
-
74
67
±5
77
73
±10
80
千赫
%
%
V
开始
V
停止
-
打开后
14
8.4
15
9
16
9.6
V
V
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
电流限制(自我保护)第
注意:
1.这些参数,虽然保证的,是不是100%在生产测试
2.这些参数,虽然保证,在EDS测试(晶圆测试)过程
4
KA5M0765RQC
典型性能特性( SFET部分)
10
1
10
0
I
D
,漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部: 5.5 V
上图:
10
1
150
10
0
25
-55
10
-1
注意:
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25
注意事项:
1. V
DS
= 50V
2. 250μ s脉冲测试
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
V
DS
,漏源电压[V]
V
GS
,栅源电压[V]
图1.输出特性
图2.传输特性
R
DS ( ON)
, [
]
漏源导通电阻
3.0
V
GS
= 10V
2.5
V
GS
= 20V
10
1
2.0
I
DR
,反向漏电流[ A]
10
0
1.5
150
25
注意事项:
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
1.0
0
3
6
9
12
15
18
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
D
,漏电流[ A]
V
SD
,源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻与漏电流
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
2500
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路)
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
12
V
DS
= 130V
V
GS
,栅源电压[V]
2000
10
V
DS
= 325V
V
DS
= 520V
电容[ pF的]
C
国际空间站
1500
8
C
OSS
1000
6
C
RSS
500
注意;
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
4
2
注:我
D
= 6.5 A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
V
DS
,漏源电压[V]
Q
G
,总栅极电荷[ NC ]
图5.电容与漏源电压
图6.栅极电荷与栅源电压
5
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    -
    -
    -
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