www.fairchildsemi.com
KA5x03xx-SERIES
KA5H0365R ， KA5M0365R ， KA5L0365R ， KA5M0365RN ，
KA5L0365RN ， KA5H0380R ， KA5M0380R ， KA5L0380R
飞兆功率开关（ FPS ）
特点
精密固定工作频率（100 /67 / 50kHz的）
低启动电流（典型为100uA ）
逐个脉冲电流限制
过电流保护
过电压保护（最小25V ）
内部热关断功能
欠压锁定
内部高压感FET
自动重启动模式
描述
飞兆半导体的功率开关（FPS ）产品系列是专
专为离线SMPS具有最少的外部
组件。飞兆半导体的功率开关（FPS ）由一个
高电压功率值SenseFET和一个电流模式的PWM集成电路。
包括PWM控制器集成了固定频率
振荡器，欠压锁定，前沿
消隐，优化的栅极导通/关断驱动，所述
热关断保护，过电压保护，
和温度补偿精密电流源
为环路补偿和故障保护电路。
相比分立MOSFET和PWM控制器或
一个RCCsolution ，一飞兆功率开关（ FPS ）可以减少
总元件数量，设计的尺寸和重量，并在
同时提高效率，生产率和系统
可靠性。它有一个基本的平台适合于成本
有效的设计在任何一个回扫转换器，或正向
变流器
TO-220F-4L
8-DIP
应用
SMPS的VCR ， SVR ， STB ， DVD & DVCD
SMPS的打印机，传真机&扫描仪
适配器为摄像机
1
1. GND 2.排水3. V
CC
4. FB
1.6.7.8排水
2. GND
3. V
CC
4. FB 5. NC
内部框图
#3 V
CC
32V
5V
VREF
良好
逻辑
OSC
9V
5A
1mA
2.5R
1R
+
7.5V
+
27V
热S / D
过电压S / D
+
S
R
L.E.B
0.1V
S
R
Q
Q
国内
BIAS
＃ 2漏极
SFET
(*#3 V
CC
)
（ * ＃ 1.6.7.8漏）
＃ 4 FB
（ * ＃ 4 FB ）
＃ 1 GND
上电复位
（ * ＃ 2 GND ）
*星号 - KA5M0365RN ， KA5L0365RN
Rev.1.0.5
2002仙童半导体公司
KA5X03XX-SERIES
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
特征
KA5H0365R ， KA5M0365R ， KA5L0365R
最大漏极电压
漏，栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流（T
C
=25°C)
连续漏电流（T
C
=100°C)
单脉冲雪崩能量
最大电源电压
模拟输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
KA5H0380R ， KA5M0380R ， KA5L0380R
最大漏极电压
漏，栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(1)
(2)
符号
V
D， MAX
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
E
AS
V
CC ，最大
V
FB
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
V
D， MAX
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
E
AS
V
CC ，最大
V
FB
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
价值
650
650
±30
12.0
3.0
2.4
358
30
-0.3到V
SD
75
0.6
+160
-25至+85
-55到+150
800
800
±30
12.0
3.0
2.1
95
30
-0.3到V
SD
75
0.6
+160
-25至+85
-55到+150
单位
V
V
V
A
DC
A
DC
A
DC
mJ
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
°C
V
V
V
A
DC
A
DC
A
DC
mJ
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
°C
连续漏电流（T
C
=25°C)
连续漏电流（T
C
=100°C)
单脉冲雪崩能量
(2)
最大电源电压
模拟输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
注意：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 51mH ，开始TJ = 25°C
3， L = 13μH ，开始TJ = 25°C
2
KA5X03XX-SERIES
电气特性（值SenseFET部分）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
参数
KA5H0365R ， KA5M0365R ， KA5L0365R
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
（注）
正向跨导
（注）
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
KA5H0380R ， KA5M0380R ， KA5L0380R
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
（注）
正向跨导
（注）
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
注意：
1.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
2.
1
-
S
= ---
R
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大。评级，V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。评级
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=0.5A
V
DS
= 50V ，我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=1.0A
（ MOSFET开关
时间基本上是
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=1.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
（ MOSFET
切换时间是基本上
独立
工作温度）
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大。评级，V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。评级
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=0.5A
V
DS
= 50V ，我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=1.0A
（ MOSFET开关
时间基本上是
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=1.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
（ MOSFET
切换时间是
基本上是独立的
工作温度）
分钟。
650
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
3.6
-
720
40
40
150
100
150
42
-
7.3
13.3
马克斯。
-
50
200
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
34
-
-
单位
V
A
A
S
pF
nS
nC
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
800
-
-
-
1.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
2.5
779
75.6
24.9
40
95
150
60
-
7.2
12.1
-
250
1000
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
34
-
-
V
A
A
S
pF
nS
nC
4
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KA5x03xx-SERIES
KA5H0365R ， KA5M0365R ， KA5L0365R
KA5H0380R ， KA5M0380R ， KA5L0380R
飞兆功率开关（ FPS ）
特点
精密固定工作频率（100 /67 / 50kHz的）
低启动电流（典型为100uA ）
逐个脉冲电流限制
过电流保护
过电压保护（最小25V ）
内部热关断功能
欠压锁定
内部高压感FET
自动重启动模式
描述
飞兆半导体的功率开关（FPS ）产品系列是专
专为离线SMPS具有最少的外部
组件。飞兆半导体的功率开关（FPS ）由一个
高电压功率值SenseFET和一个电流模式的PWM集成电路。
包括PWM控制器集成了固定频率
振荡器，欠压锁定，前沿
消隐，优化的栅极导通/关断驱动，所述
热关断保护，过电压保护，
和温度补偿精密电流源
为环路补偿和故障保护电路。
相比分立MOSFET和PWM控制器或
一个RCCsolution ，一飞兆功率开关（ FPS ）可以减少
总元件数量，设计的尺寸和重量，并在
同时提高效率，生产率和系统
可靠性。它有一个基本的平台适合于成本
有效的设计在任何一个回扫转换器，或正向
变流器
TO-220F-4L
应用
SMPS的VCR ， SVR ， STB ， DVD & DVCD
SMPS的打印机，传真机&扫描仪
适配器为摄像机
1
1. GND 2.排水3. V
CC
4. FB
内部框图
#3 V
CC
32V
5V
VREF
良好
逻辑
OSC
9V
5A
1mA
2.5R
1R
+
7.5V
+
27V
热S / D
过电压S / D
+
S
R
L.E.B
0.1V
S
R
Q
Q
国内
BIAS
＃ 2漏极
SFET
＃ 4 FB
＃ 1 GND
上电复位
Rev.1.0.6
2003仙童半导体公司
KA5X03XX-SERIES
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
特征
KA5H0365R ， KA5M0365R ， KA5L0365R
漏，栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流（T
C
=25°C)
连续漏电流（T
C
=100°C)
单脉冲雪崩能量
(2)
最大电源电压
模拟输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
KA5H0380R ， KA5M0380R ， KA5L0380R
漏，栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流（T
C
=25°C)
连续漏电流（T
C
=100°C)
单脉冲雪崩能量
(2)
最大电源电压
模拟输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
E
AS
V
CC ，最大
V
FB
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
800
±30
12.0
3.0
2.1
95
30
-0.3到V
SD
75
0.6
+160
-25至+85
-55到+150
V
V
A
DC
A
DC
A
DC
mJ
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
°C
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
E
AS
V
CC ，最大
V
FB
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
650
±30
12.0
3.0
2.4
358
30
-0.3到V
SD
75
0.6
+160
-25至+85
-55到+150
V
V
A
DC
A
DC
A
DC
mJ
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
°C
符号
价值
单位
注意：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 51mH ，开始TJ = 25°C
3， L = 13μH ，开始TJ = 25°C
2
KA5X03XX-SERIES
电气特性（值SenseFET部分）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
参数
KA5H0365R ， KA5M0365R ， KA5L0365R
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
（注）
正向跨导
（注）
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
KA5H0380R ， KA5M0380R ， KA5L0380R
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
（注）
正向跨导
（注）
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
注意：
1.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
2.
1
S
= ---
-
R
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大。评级，V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。评级
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=0.5A
V
DS
= 50V ，我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=1.0A
（ MOSFET开关
时间基本上是
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=1.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
（ MOSFET
切换时间是基本上
独立
工作温度）
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大。评级，V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。评级
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=0.5A
V
DS
= 50V ，我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=1.0A
（ MOSFET开关
时间基本上是
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=1.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
（ MOSFET
切换时间是
基本上是独立的
工作温度）
分钟。
650
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
800
-
-
-
1.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
3.6
-
720
40
40
150
100
150
42
-
7.3
13.3
-
-
-
4.0
2.5
779
75.6
24.9
40
95
150
60
-
7.2
12.1
马克斯。
-
50
200
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
34
-
-
-
250
1000
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
34
-
-
单位
V
A
A
S
pF
nS
nC
V
A
A
S
pF
nS
nC
3
KA5X03XX-SERIES
电气特性（控制部分）
（续）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
特征
UVLO节
启动阈值电压
停止阈值电压
振荡器部分
初始精度
初始精度
初始精度
频率随温度变化
(2)
最大占空比
F
OSC
F
OSC
F
OSC
-
DMAX
KA5H0365R
KA5H0380R
KA5M0365R
KA5M0380R
KA5L0365R
KA5L0380R
-25°C≤Ta≤+85°C
KA5H0365R
KA5H0380R
KA5M0365R
KA5M0380R
KA5L0365R
KA5L0380R
TA = 25℃ ， 0V<Vfb<3V
Vfb>6.5V
TA = 25℃ ， 5V≤Vfb≤V
SD
Ta=25°C
-25°C≤Ta≤+85°C
马克斯。电感电流
V
CC
>24V
-
V
CC
=14V
V
CC
<28
90
61
45
-
62
100
67
50
±5
67
110
73
55
±10
72
千赫
千赫
千赫
%
%
V
开始
V
停止
V
FB
= GND
V
FB
= GND
14
8.4
15
9
16
9.6
V
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
最大占空比
反馈部分
反馈源电流
关机反馈电压
关机延迟电流
参考科
输出电压
(1)
温度稳定性
(1)(2)
峰值电流限制
保护科
过电压保护
热关断温（Tj ）
(1)
总待机电流节
启动电流
工作电源电流
（控制部分只）
DMAX
72
77
82
%
I
FB
V
SD
IDELAY
VREF
VREF / ΔT
I
过度
V
OVP
T
SD
I
开始
I
OP
0.7
6.9
4
4.80
-
1.89
25
140
-
-
0.9
7.5
5
5.00
0.3
2.15
27
160
100
7
1.1
8.1
6
5.20
0.6
2.41
29
-
170
12
mA
V
A
V
毫伏/°C的
A
V
°C
A
mA
电流限制（自我保护）第
注意：
1.这些参数，虽然保证的，是不是100％在生产测试
2.这些参数，虽然保证，在EDS测试（水试验）过程
4
KA5X03XX-SERIES
典型性能特性（值SenseFET部分）
（ KA5H0365R ， KA5M0365R ， KA5L0365R ）
10
10
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
上图： 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
下图： 4.5V
1
1
150
o
C
@
注意事项：
1. 300
s脉冲测试
2. T
C
= 25
o
C
0.1
25
o
C
-25
o
C
@
注意事项：
1. V
DS
= 30V
2. 300
s脉冲测试
1
10
0.1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.输出特性
图2.传输特性
7
6
R
DS （ ON）
, [ ]
漏源导通电阻
5
4
V
gs=10V
I
DR
，反向漏电流[ A]
1
V
gs=20V
3
2
1
0
0.1
150
o
C
25
o
C
@
注意事项：
1. VG = 0V
S
2. 300
s PulseTest
@Note ： TJ = 25
℃
0
1
I
D
，漏电流[ A]
2
3
4
5
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻与漏电流
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
700
600
500
V
GS
，栅源电压[V]
C
国际空间站
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
10
V
DS
=130V
8
V
DS
=320V
V
DS
=520V
6
电容[ pF的]
400
300
200
4
C
OSS
100
2
@Note ：我
D
=3.0A
C
RSS
0
10
0
10
1
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容与漏源电压
图6.栅极电荷与栅源电压
5
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