K9S3208V0A-SSB0
文档标题
4M ×8位的SmartMedia
TM
卡
SmartMedia卡
TM
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
创刊号
1.修订的实时绘制出算法（参见技术说明）
2.更改电压密度模型SmartMedia卡上的标记方法
更改的设备名称
- SMFV004A -> K9S3208V0A ， SSB0
1.变更无效块（ S）发货之前标记的方法
- 物理格式标准规定，块状态被定义
第六字节中的备用区。
三星可以确保第一页
每一个无效块具有517列地址（ 4MB 00H数据
SmartMedia卡和高密度）或261 （ 2MB SmartMedia卡） 。
-->由SSFDC论坛物理格式标准规定的
无效块的备用区中的第6字节（列地址517为
4MB的SmartMedia和更高的密度， 261 2MB SmartMedia卡，
分别）含有两个或多个"0"的比特来表示一个无效块。
草案日期
1999年4月10日
1999年7月23日
备注
最终科幻
最终科幻
0.2
1999年9月15日
最终科幻
0.3
2000年7月17日
最终科幻
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
s
http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
1
K9S3208V0A-SSB0
4M ×8位的SmartMedia
TM
卡
特点
单3.3伏电源
组织
- 存储单元阵列： （ 400 + 128K ）位x 8位
- 数据寄存器
： （ 512 + 16 ）位x8bit
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除： （ 8K + 256 ）字节
- 状态寄存器
528字节页读操作
- 随机存取
：为10μs （最大值）
- 串行页面访问：为50ns （最小值）
快速写周期时间
- 计划时间
：为250μs （典型值）。
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100万编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
22 PAD SmartMedia卡
TM
（ SSFDC ）
SmartMedia卡
TM
概述
该K9S3208V0A是4M （ 4,194,304 ） x8bit NAND闪存存储器
储器与备用128K （ 131,072 ） x8bit 。它的NAND单元提供
为固态大容量存储器的最具成本效益的解决方案
市场。程序运行的程序在528字节页
通常为250μs和擦除操作可在执行
通常为2ms的8K字节的块。
在页面的数据可以在每字节50ns的周期时间被读出。
在I / O引脚作为地址和数据输入/输出端口
把以及命令的输入。片上写入控制器
所有的自动编程和擦除系统功能，包括
脉冲重复，在必要时，和内部验证和margin-
荷兰国际集团的数据。即使是写密集型系统可以利用研华
百万的K9S3208V0A扩展可靠性踏歌
方案/提供ECC擦除周期（纠错码）
与实时映射出的算法。
该K9S3208V0A是大的非易失性的最佳解决方案
存储的应用程序，例如固态存储器，数字语音
记录器，数字照相机等便携式应用
需要非易失性。
SmartMedia卡
TM
CARD （ SSFDC ）
引脚说明
引脚名称
22 V
CC
21 CE
20 RE
19 R / B方
18 GND
17 V
CC
16 I / O
7
15 I / O
6
14 I / O
5
13 I / O
4
12 V
CC
11
1
12
22
引脚功能
数据输入/输出
命令锁存使能
地址锁存使能
芯片使能
读使能
写使能
写保护
Graund
READY / BUSY输出
动力
地
无连接
I / O
0
- I / O
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
SS
CLE
ALE
WE
WP
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
GND
R / B
V
CC
3V 4MB
10 V
SS
11 V
SS
22 PAD SmartMedia卡
TM
V
SS
N.C
记
：将所有V
CC
和V
SS
每个器件的引脚供电电源输出。
不要让V
CC
或V
SS
断开。
2
K9S3208V0A-SSB0
图1.功能框图
V
CC
V
SS
A
9
- A
21
X -缓冲器
锁存器
&解码器
Y型缓冲器
锁存器
&解码器
Y型GATING
SmartMedia卡
TM
下半场页面注册& S / A
32M + 1M位
NAND闪存
ARRAY
（ 512 + 16 ）字节x 8192
上半场页面注册& S / A
A
0
- A
7
A
8
命令
命令
注册
Y型GATING
I / O缓冲器&锁存器
V
CC
V
SS
I/0
0
I/0
7
CE
RE
WE
控制逻辑
&高压
发电机
全球缓冲区
产量
司机
CLE ALE WP
图2.阵列组织
1块= 16页
= （ 8K + 256 ）字节
32M ： 8K页面
（ = 512块）
上半场页寄存器
（ = 256字节）
下半场页寄存器
（ = 256字节）
第1页= 528字节
1块= 528字节× 16页
= （ 8K + 256 ）字节
1设备= 528Bytes X 16Pages ×512块
= 33兆位
8位
16Bytes
512Bytes
页寄存器
512Bytes
I / O
0
-I / O
7
16Bytes
I / O
0
第一个周期
第二个周期
第三轮
A
0
A
9
A
17
I / O
1
A
1
A
10
A
18
I / O
2
A
2
A
11
A
19
I / O
3
A
3
A
12
A
20
I / O
4
A
4
A
13
A
21
I / O
5
A
5
A
14
*X
I / O
6
A
6
A
15
*X
I / O
7
A
7
A
16
*X
列地址
行地址
（页面地址）
记
：列地址：启动注册的地址。
00H命令（读） ：定义寄存器上半年的起始地址。
01H命令（读） ：定义了寄存器的下半年的sarting地址。
* A
8
由00H或01H命令设置为"Low"或"High" 。
* X可以是高还是低。
3
K9S3208V0A-SSB0
产品介绍
SmartMedia卡
TM
该K9S3208V0A是由528列组织为8192行（页）一个33Mbit （ 34603008位）内存。备件16列
位于从列地址为512 527阿528字节的数据寄存器连接到存储器单元阵列容纳数据传输
在页面读取和页编程操作的I / O缓冲区和内存之间的FER 。存储器阵列由16个单元的
被串联连接以形成NAND结构。每16个单元的驻留在不同的页面。一个块由16
一个NAND结构形成页，共16个单元的4224 NAND结构。阵列组织示于图2中。
程序和读操作都在一个页面基础上执行的，而擦除操作以块为基础执行。在存储器阵列
由512个单独或分组擦除8K字节的块。它表明，逐位擦除操作被禁止的
K9S3208V0A.
该K9S3208V0A已地址复用为8个I / O的。该方案极大地减少引脚数量，并允许系统
升级到未来的密度维持在主板设计的一致性。命令，地址和数据都是通过写入
I / O的通过将WE低，而CE为低。数据锁定在WE的上升沿。命令锁存使能（ CLE ）和地址
锁存使能（ ALE ）用于复分别命令和地址，通过I / O引脚。所有命令都需要一个总线周期
除了块擦除命令，它需要两个周期：一个周期擦除设置和另一个块擦除后，执行
地址加载。在4M字节的物理空间要求22的地址，因此需要三个周期的字节级寻址：列
地址，低行地址和高的行地址，按照该顺序。页面读取和页编程所需要的相同的三个地址周期
以下所需的指令输入。在块擦除操作中，但是，仅在两个行地址周期被使用。
设备操作都通过写入特定的命令到命令寄存器选择。表1定义的特定命令
该K9S3208V0A 。
表1.命令集
功能
阅读1
阅读2
读取ID
RESET
页编程
块擦除
阅读状态
1日。周期
00h/01h
(1)
50h
90h
FFH
80h
60h
70h
第2位。周期
-
-
-
-
10h
D0h
-
O
O
在繁忙接受命令
记
1. 00H命令定义启动寄存器上半年的地址。
该01H命令定义启动寄存器下半年的地址。
之后，由01H命令对寄存器的下半年数据存取，状态指针
自动移动到下一个周期的前半寄存器（ 00H ） 。
4
K9S3208V0A-SSB0
引脚说明
命令锁存使能（ CLE ）
SmartMedia卡
TM
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的路径激活。当高电平有效，命令锁存
入命令寄存器通过上WE信号的上升沿，在I / O端口。
地址锁存使能（ ALE ）
在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址被锁存的上升沿
我们与ALE高。
芯片使能（ CE ）
行政长官输入设备选择控制。当CE变高的读出操作期间，设备将返回到待机模式。
然而，当设备处于忙状态期间的编程或擦除，CE高将被忽略，并且不返回该设备到待机
模式。
写使能（ WE）
在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存，在WE脉冲的上升沿。
读使能（ RE ）
对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的吨
REA
下降沿之后
RE的这也加一内部列地址计数器。
I / O端口： I / O
0
-I / O
7
在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I / O引脚浮到高阻
当芯片被释放或当输出被禁止。
写保护（ WP ）
WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内置高压发生器复位时，
WP引脚为低电平有效。
就绪/忙（ R / B）
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或随机读操作是
在过程中和完成后返回高电平状态。这是一个开漏输出，不浮到高阻状态时，芯片
被取消或输出被禁止。
5
K9S3208V0A-SSB0
文档标题
4M ×8位的SmartMedia
TM
卡
SmartMedia卡
TM
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
创刊号
1.修订的实时绘制出算法（参见技术说明）
2.更改电压密度模型SmartMedia卡上的标记方法
更改的设备名称
- SMFV004A -> K9S3208V0A ， SSB0
1.变更无效块（ S）发货之前标记的方法
- 物理格式标准规定，块状态被定义
第六字节中的备用区。
三星可以确保第一页
每一个无效块具有517列地址（ 4MB 00H数据
SmartMedia卡和高密度）或261 （ 2MB SmartMedia卡） 。
-->由SSFDC论坛物理格式标准规定的
无效块的备用区中的第6字节（列地址517为
4MB的SmartMedia和更高的密度， 261 2MB SmartMedia卡，
分别）含有两个或多个"0"的比特来表示一个无效块。
草案日期
1999年4月10日
1999年7月23日
备注
最终科幻
最终科幻
0.2
1999年9月15日
最终科幻
0.3
2000年7月17日
最终科幻
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
s
http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
1
K9S3208V0A-SSB0
4M ×8位的SmartMedia
TM
卡
特点
单3.3伏电源
组织
- 存储单元阵列： （ 400 + 128K ）位x 8位
- 数据寄存器
： （ 512 + 16 ）位x8bit
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除： （ 8K + 256 ）字节
- 状态寄存器
528字节页读操作
- 随机存取
：为10μs （最大值）
- 串行页面访问：为50ns （最小值）
快速写周期时间
- 计划时间
：为250μs （典型值）。
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100万编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
22 PAD SmartMedia卡
TM
（ SSFDC ）
SmartMedia卡
TM
概述
该K9S3208V0A是4M （ 4,194,304 ） x8bit NAND闪存存储器
储器与备用128K （ 131,072 ） x8bit 。它的NAND单元提供
为固态大容量存储器的最具成本效益的解决方案
市场。程序运行的程序在528字节页
通常为250μs和擦除操作可在执行
通常为2ms的8K字节的块。
在页面的数据可以在每字节50ns的周期时间被读出。
在I / O引脚作为地址和数据输入/输出端口
把以及命令的输入。片上写入控制器
所有的自动编程和擦除系统功能，包括
脉冲重复，在必要时，和内部验证和margin-
荷兰国际集团的数据。即使是写密集型系统可以利用研华
百万的K9S3208V0A扩展可靠性踏歌
方案/提供ECC擦除周期（纠错码）
与实时映射出的算法。
该K9S3208V0A是大的非易失性的最佳解决方案
存储的应用程序，例如固态存储器，数字语音
记录器，数字照相机等便携式应用
需要非易失性。
SmartMedia卡
TM
CARD （ SSFDC ）
引脚说明
引脚名称
22 V
CC
21 CE
20 RE
19 R / B方
18 GND
17 V
CC
16 I / O
7
15 I / O
6
14 I / O
5
13 I / O
4
12 V
CC
11
1
12
22
引脚功能
数据输入/输出
命令锁存使能
地址锁存使能
芯片使能
读使能
写使能
写保护
Graund
READY / BUSY输出
动力
地
无连接
I / O
0
- I / O
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
SS
CLE
ALE
WE
WP
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
GND
R / B
V
CC
3V 4MB
10 V
SS
11 V
SS
22 PAD SmartMedia卡
TM
V
SS
N.C
记
：将所有V
CC
和V
SS
每个器件的引脚供电电源输出。
不要让V
CC
或V
SS
断开。
2
K9S3208V0A-SSB0
图1.功能框图
V
CC
V
SS
A
9
- A
21
X -缓冲器
锁存器
&解码器
Y型缓冲器
锁存器
&解码器
Y型GATING
SmartMedia卡
TM
下半场页面注册& S / A
32M + 1M位
NAND闪存
ARRAY
（ 512 + 16 ）字节x 8192
上半场页面注册& S / A
A
0
- A
7
A
8
命令
命令
注册
Y型GATING
I / O缓冲器&锁存器
V
CC
V
SS
I/0
0
I/0
7
CE
RE
WE
控制逻辑
&高压
发电机
全球缓冲区
产量
司机
CLE ALE WP
图2.阵列组织
1块= 16页
= （ 8K + 256 ）字节
32M ： 8K页面
（ = 512块）
上半场页寄存器
（ = 256字节）
下半场页寄存器
（ = 256字节）
第1页= 528字节
1块= 528字节× 16页
= （ 8K + 256 ）字节
1设备= 528Bytes X 16Pages ×512块
= 33兆位
8位
16Bytes
512Bytes
页寄存器
512Bytes
I / O
0
-I / O
7
16Bytes
I / O
0
第一个周期
第二个周期
第三轮
A
0
A
9
A
17
I / O
1
A
1
A
10
A
18
I / O
2
A
2
A
11
A
19
I / O
3
A
3
A
12
A
20
I / O
4
A
4
A
13
A
21
I / O
5
A
5
A
14
*X
I / O
6
A
6
A
15
*X
I / O
7
A
7
A
16
*X
列地址
行地址
（页面地址）
记
：列地址：启动注册的地址。
00H命令（读） ：定义寄存器上半年的起始地址。
01H命令（读） ：定义了寄存器的下半年的sarting地址。
* A
8
由00H或01H命令设置为"Low"或"High" 。
* X可以是高还是低。
3
K9S3208V0A-SSB0
产品介绍
SmartMedia卡
TM
该K9S3208V0A是由528列组织为8192行（页）一个33Mbit （ 34603008位）内存。备件16列
位于从列地址为512 527阿528字节的数据寄存器连接到存储器单元阵列容纳数据传输
在页面读取和页编程操作的I / O缓冲区和内存之间的FER 。存储器阵列由16个单元的
被串联连接以形成NAND结构。每16个单元的驻留在不同的页面。一个块由16
一个NAND结构形成页，共16个单元的4224 NAND结构。阵列组织示于图2中。
程序和读操作都在一个页面基础上执行的，而擦除操作以块为基础执行。在存储器阵列
由512个单独或分组擦除8K字节的块。它表明，逐位擦除操作被禁止的
K9S3208V0A.
该K9S3208V0A已地址复用为8个I / O的。该方案极大地减少引脚数量，并允许系统
升级到未来的密度维持在主板设计的一致性。命令，地址和数据都是通过写入
I / O的通过将WE低，而CE为低。数据锁定在WE的上升沿。命令锁存使能（ CLE ）和地址
锁存使能（ ALE ）用于复分别命令和地址，通过I / O引脚。所有命令都需要一个总线周期
除了块擦除命令，它需要两个周期：一个周期擦除设置和另一个块擦除后，执行
地址加载。在4M字节的物理空间要求22的地址，因此需要三个周期的字节级寻址：列
地址，低行地址和高的行地址，按照该顺序。页面读取和页编程所需要的相同的三个地址周期
以下所需的指令输入。在块擦除操作中，但是，仅在两个行地址周期被使用。
设备操作都通过写入特定的命令到命令寄存器选择。表1定义的特定命令
该K9S3208V0A 。
表1.命令集
功能
阅读1
阅读2
读取ID
RESET
页编程
块擦除
阅读状态
1日。周期
00h/01h
(1)
50h
90h
FFH
80h
60h
70h
第2位。周期
-
-
-
-
10h
D0h
-
O
O
在繁忙接受命令
记
1. 00H命令定义启动寄存器上半年的地址。
该01H命令定义启动寄存器下半年的地址。
之后，由01H命令对寄存器的下半年数据存取，状态指针
自动移动到下一个周期的前半寄存器（ 00H ） 。
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K9S3208V0A-SSB0
引脚说明
命令锁存使能（ CLE ）
SmartMedia卡
TM
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的路径激活。当高电平有效，命令锁存
入命令寄存器通过上WE信号的上升沿，在I / O端口。
地址锁存使能（ ALE ）
在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址被锁存的上升沿
我们与ALE高。
芯片使能（ CE ）
行政长官输入设备选择控制。当CE变高的读出操作期间，设备将返回到待机模式。
然而，当设备处于忙状态期间的编程或擦除，CE高将被忽略，并且不返回该设备到待机
模式。
写使能（ WE）
在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存，在WE脉冲的上升沿。
读使能（ RE ）
对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的吨
REA
下降沿之后
RE的这也加一内部列地址计数器。
I / O端口： I / O
0
-I / O
7
在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I / O引脚浮到高阻
当芯片被释放或当输出被禁止。
写保护（ WP ）
WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内置高压发生器复位时，
WP引脚为低电平有效。
就绪/忙（ R / B）
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或随机读操作是
在过程中和完成后返回高电平状态。这是一个开漏输出，不浮到高阻状态时，芯片
被取消或输出被禁止。
5
QQ：2881677436 复制
