K9D1G08V0M/A-SSB0
K9S1208V0M/A-SSB0
文档标题
64MB & 128MB的SmartMedia
TM
卡
修订历史
版本号
0.0
0.1
SmartMedia卡
TM
历史
创刊号
1.改变直流特性
参数
操作
当前
顺序读取
节目
抹去
民
-
-
-
典型值
10
10
10
最大
20->30
20->30
20->30
mA
单位
草案日期
2001年3月30日
2001年4月7日
备注
初步
2.加入叔
DBSY
参数
3.删除复制回程序命令
4.更改的交流特性
参数
ALE到RE延迟
（ ID读）
符号
t
AR1
民
100->10
最大
-
单位
ns
0.2
1.Powerup序列添加
内部电路得到之前需要1μs的最小恢复时间
准备好所有的命令序列
~ 2.5V
2001年9月7日
≈
~ 2.5V
V
CC
高
WP
1
s
WE
2.交流参数TCLR （ CLE到RE延迟，最小为50ns ）加入。
3.改变AC特性
（前）
参数
ALE到RE延迟（ ID读）
ALE到RE延迟（读
RE低到状态输出
CE低到状态输出
RE存取时间（读取ID ）
符号
t
AR1
t
AR2
t
RSTO
t
集体安全条约组织
t
READID
民
100
100
-
-
-
最大
-
-
35
45
35
ns
单位
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
s
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets 。
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
≈
1
K9D1G08V0M/A-SSB0
K9S1208V0M/A-SSB0
修订历史
版本号
历史
- AC特性（后）
。删除吨
RSTO ，
t
集体安全条约组织
和T
READID
/加入叔
CLR ，
t
CEA
参数
ALE到RE延迟（ ID读）
ALE到RE延迟（读周期）
CLE到RE延迟
CE访问时间
符号
t
AR1
t
AR2
t
CLR
t
CEA
民
50
50
10
-
45
最大
-
-
ns
单位
SmartMedia卡
TM
草案日期
2001年9月7日
备注
最终科幻
CLE
TCR
CE
WE
TAR
ALE
RE
TREA
I / O
0
~
7
90h
00h
地址。回循环
ECH
制造商代码
CLE
TCEA
CE
WE
TAR
ALE
RE
I / O
0
~
7
tWHR
TREA
90h
00h
地址。回循环
ECH
制造商代码
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
2
K9D1G08V0M/A-SSB0
K9S1208V0M/A-SSB0
修订历史
修订历史不
TCLS
CLE
SmartMedia卡
TM
草案日期
TCLS
tclh
TCS
备注
CE
TWP
WE
总胆固醇
tCSTO
tWHR
TCHZ
RE
TDS
TDH
TIR
tRSTO
tRHZ
状态输出
I / O
0
~
7
70h
TCLS
CLE
TCLS
tclh
TCS
CE
TWP
WE
总胆固醇
TCEA
tWHR
TCHZ
RE
TDH
TDS
I / O
0
~
7
70h
TIR
TREA
tRHZ
状态输出
0.3
1.消除了重复的AC参数。
- AC特性（前）
。置换后的t
AR1,
t
AR2
以T
AR
参数
ALE到RE延迟（ ID读）
ALE到RE延迟（读周期）
CLE到RE延迟
CE访问时间
- AC特性（后）
参数
ALE到RE延迟
CLE到RE延迟
CE访问时间
符号
t
AR
t
CLR
t
CEA
民
10
10
-
45
最大
-
ns
单位
符号
t
AR1
t
AR2
t
CLR
t
CEA
民
50
50
10
-
45
最大
-
-
ns
单位
2002年2月9日
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
3
K9D1G08V0M/A-SSB0
K9S1208V0M/A-SSB0
64MB & 128MB的SmartMedia
TM
卡
特点
单2.7V 3.6V电源
组织
- 存储单元阵列：
- K9S1208V0X ： （ 64M + 2,048K ）位x 8位
- K9D1G08V0X ： （ 128M + 4,096K ）位x 8位
- 数据寄存器： （ 512 + 16 ）位x8bit
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）字节
*多页编程： 2K字节
- 块擦除： （ 16K + 512 ）字节
528字节页读操作
- 随机存取： 12μs （最大）
- 串行页面访问：为50ns （最小值）
快速写周期时间
- 计划时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
22pad SmartMedia卡
TM
（ SSFDC ）
独特的ID为版权保护
SmartMedia卡
TM
概述
使用NAND闪存， SmartMedia卡提供了最具成本
有效的解决方案为固态大容量存储市场。亲
克操作是由528个字节的单页执行
在典型为200ps和擦除操作是由单完成
16K块典型2ms的字节。在页面的数据可以被读
出每字节为50ns周期时间。在I / O引脚作为端口
对地址和数据输入/输出以及命令输入。
芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除
功能包括脉冲重复，在必要时和跨
最终的验证和数据的裕度。即使是写密集型
系统可以利用K9D1G08V0X的优势，
K9S1208V0X的扩展的100K计划的可靠性/擦除
周期提供ECC （纠错码）与实时
映射出的算法。 SmartMedia是一最佳的解决方案
大的非易失性存储器的应用，如固态文件
存储，数码录音笔，数码相机等por-
申请表需要非易失性。
SmartMedia卡
TM
CARD （ SSFDC ）
引脚说明
引脚名称
I / O0 - I / O7
引脚功能
数据输入/输出
命令锁存使能
地址锁存使能
芯片使能
读使能
写使能
写保护
低电压检测
地
READY / BUSY输出
动力
地
无连接
22 V
CC
21 CE
20 RE
19 R / B方
18 GND
17 LVD
16 I / O
7
15 I / O
6
14 I / O
5
13 I / O
4
12 V
CC
12
22
1
2
3
4
5
V
SS
CLE
ALE
WE
WP
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
LVD
GND
R / B
V
CC
11
1
6
7
8
9
ID 128MB
10 V
SS
11 V
SS
22 PAD SmartMedia卡
TM
V
SS
N.C
记
：将所有V
CC
和V
SS
每个设备通用的电源输出管脚，不要将V
CC
或V
SS
断开。
销17 （LVD）是用来检测5V或3.3V产物电。请参阅SmartMedia卡应用说明细节。
4
K9D1G08V0M/A-SSB0
K9S1208V0M/A-SSB0
图1.功能框图
SmartMedia卡
TM
V
CC
V
SS
A
9
- A
26
A
25
： K9S1208V0X
A
26
： K9D1G08V0X
X -缓冲器
锁存器
&解码器
Y型缓冲器
锁存器
&解码器
K9S1208V0X ： 512M + 16M码
K9D1G08V0X ： 1,024M + 32M位
NAND闪存
ARRAY
K9S1208V0X ： （ 512 + 16 ）字节x 131,072
K9D1G08V0X ： （ 512 + 16 ）字节x 262,144
页寄存器& S / A
A
0
- A
7
A
8
命令
命令
注册
Y型GATING
I / O缓冲器&锁存器
V
CC
V
SS
I/0 0
I/0 7
CE
RE
WE
控制逻辑
&高压
发电机
全球缓冲区
产量
司机
CLE ALE WP
5
K9D1G08V0M/A-SSB0
K9S1208V0M/A-SSB0
文档标题
64MB & 128MB的SmartMedia
TM
卡
修订历史
版本号
0.0
0.1
SmartMedia卡
TM
历史
创刊号
1.改变直流特性
参数
操作
当前
顺序读取
节目
抹去
民
-
-
-
典型值
10
10
10
最大
20->30
20->30
20->30
mA
单位
草案日期
2001年3月30日
2001年4月7日
备注
初步
2.加入叔
DBSY
参数
3.删除复制回程序命令
4.更改的交流特性
参数
ALE到RE延迟
（ ID读）
符号
t
AR1
民
100->10
最大
-
单位
ns
0.2
1.Powerup序列添加
内部电路得到之前需要1μs的最小恢复时间
准备好所有的命令序列
~ 2.5V
2001年9月7日
≈
~ 2.5V
V
CC
高
WP
1
s
WE
2.交流参数TCLR （ CLE到RE延迟，最小为50ns ）加入。
3.改变AC特性
（前）
参数
ALE到RE延迟（ ID读）
ALE到RE延迟（读
RE低到状态输出
CE低到状态输出
RE存取时间（读取ID ）
符号
t
AR1
t
AR2
t
RSTO
t
集体安全条约组织
t
READID
民
100
100
-
-
-
最大
-
-
35
45
35
ns
单位
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
s
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets 。
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
≈
1
K9D1G08V0M/A-SSB0
K9S1208V0M/A-SSB0
修订历史
版本号
历史
- AC特性（后）
。删除吨
RSTO ，
t
集体安全条约组织
和T
READID
/加入叔
CLR ，
t
CEA
参数
ALE到RE延迟（ ID读）
ALE到RE延迟（读周期）
CLE到RE延迟
CE访问时间
符号
t
AR1
t
AR2
t
CLR
t
CEA
民
50
50
10
-
45
最大
-
-
ns
单位
SmartMedia卡
TM
草案日期
2001年9月7日
备注
最终科幻
CLE
TCR
CE
WE
TAR
ALE
RE
TREA
I / O
0
~
7
90h
00h
地址。回循环
ECH
制造商代码
CLE
TCEA
CE
WE
TAR
ALE
RE
I / O
0
~
7
tWHR
TREA
90h
00h
地址。回循环
ECH
制造商代码
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
2
K9D1G08V0M/A-SSB0
K9S1208V0M/A-SSB0
修订历史
修订历史不
TCLS
CLE
SmartMedia卡
TM
草案日期
TCLS
tclh
TCS
备注
CE
TWP
WE
总胆固醇
tCSTO
tWHR
TCHZ
RE
TDS
TDH
TIR
tRSTO
tRHZ
状态输出
I / O
0
~
7
70h
TCLS
CLE
TCLS
tclh
TCS
CE
TWP
WE
总胆固醇
TCEA
tWHR
TCHZ
RE
TDH
TDS
I / O
0
~
7
70h
TIR
TREA
tRHZ
状态输出
0.3
1.消除了重复的AC参数。
- AC特性（前）
。置换后的t
AR1,
t
AR2
以T
AR
参数
ALE到RE延迟（ ID读）
ALE到RE延迟（读周期）
CLE到RE延迟
CE访问时间
- AC特性（后）
参数
ALE到RE延迟
CLE到RE延迟
CE访问时间
符号
t
AR
t
CLR
t
CEA
民
10
10
-
45
最大
-
ns
单位
符号
t
AR1
t
AR2
t
CLR
t
CEA
民
50
50
10
-
45
最大
-
-
ns
单位
2002年2月9日
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
3
K9D1G08V0M/A-SSB0
K9S1208V0M/A-SSB0
64MB & 128MB的SmartMedia
TM
卡
特点
单2.7V 3.6V电源
组织
- 存储单元阵列：
- K9S1208V0X ： （ 64M + 2,048K ）位x 8位
- K9D1G08V0X ： （ 128M + 4,096K ）位x 8位
- 数据寄存器： （ 512 + 16 ）位x8bit
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）字节
*多页编程： 2K字节
- 块擦除： （ 16K + 512 ）字节
528字节页读操作
- 随机存取： 12μs （最大）
- 串行页面访问：为50ns （最小值）
快速写周期时间
- 计划时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
22pad SmartMedia卡
TM
（ SSFDC ）
独特的ID为版权保护
SmartMedia卡
TM
概述
使用NAND闪存， SmartMedia卡提供了最具成本
有效的解决方案为固态大容量存储市场。亲
克操作是由528个字节的单页执行
在典型为200ps和擦除操作是由单完成
16K块典型2ms的字节。在页面的数据可以被读
出每字节为50ns周期时间。在I / O引脚作为端口
对地址和数据输入/输出以及命令输入。
芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除
功能包括脉冲重复，在必要时和跨
最终的验证和数据的裕度。即使是写密集型
系统可以利用K9D1G08V0X的优势，
K9S1208V0X的扩展的100K计划的可靠性/擦除
周期提供ECC （纠错码）与实时
映射出的算法。 SmartMedia是一最佳的解决方案
大的非易失性存储器的应用，如固态文件
存储，数码录音笔，数码相机等por-
申请表需要非易失性。
SmartMedia卡
TM
CARD （ SSFDC ）
引脚说明
引脚名称
I / O0 - I / O7
引脚功能
数据输入/输出
命令锁存使能
地址锁存使能
芯片使能
读使能
写使能
写保护
低电压检测
地
READY / BUSY输出
动力
地
无连接
22 V
CC
21 CE
20 RE
19 R / B方
18 GND
17 LVD
16 I / O
7
15 I / O
6
14 I / O
5
13 I / O
4
12 V
CC
12
22
1
2
3
4
5
V
SS
CLE
ALE
WE
WP
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
LVD
GND
R / B
V
CC
11
1
6
7
8
9
ID 128MB
10 V
SS
11 V
SS
22 PAD SmartMedia卡
TM
V
SS
N.C
记
：将所有V
CC
和V
SS
每个设备通用的电源输出管脚，不要将V
CC
或V
SS
断开。
销17 （LVD）是用来检测5V或3.3V产物电。请参阅SmartMedia卡应用说明细节。
4
K9D1G08V0M/A-SSB0
K9S1208V0M/A-SSB0
图1.功能框图
SmartMedia卡
TM
V
CC
V
SS
A
9
- A
26
A
25
： K9S1208V0X
A
26
： K9D1G08V0X
X -缓冲器
锁存器
&解码器
Y型缓冲器
锁存器
&解码器
K9S1208V0X ： 512M + 16M码
K9D1G08V0X ： 1,024M + 32M位
NAND闪存
ARRAY
K9S1208V0X ： （ 512 + 16 ）字节x 131,072
K9D1G08V0X ： （ 512 + 16 ）字节x 262,144
页寄存器& S / A
A
0
- A
7
A
8
命令
命令
注册
Y型GATING
I / O缓冲器&锁存器
V
CC
V
SS
I/0 0
I/0 7
CE
RE
WE
控制逻辑
&高压
发电机
全球缓冲区
产量
司机
CLE ALE WP
5
QQ：2881677436 复制
