【K9W8G08U1MK9K4G08Q0MK9K4G08U0MK9K4G16Q0MK9K4G16U0M】,IC型号K9K4G16U0M,K9K4G16U0M PDF资料,K9K4G16U0M经销商,ic,电子元器件-51电子网

K9W8G08U1M

K9K4G08Q0M

K9K4G08U0M

K9K4G16Q0M

K9K4G16U0M

FL灰内存

文档标题

512M ×8位/ 256M ×16位

NAND闪存

修订历史

版本号

0.0

0.1

0.2

历史

1.初始发行

1.添加两个K9K4GXXU0M - YCB0 / YIB0堆叠封装

1.后90H号第3字节ID读命令是别在乎。

90H ID读命令之后第五个字节ID将被删除。

1. K9W8G16U1M - YCB0 ， YIB0 ， PCB0 ， PIB0在排队删除。

2.注意添加。

（ VIL可以下冲至-0.4V和VIH可以过冲至VCC + 0.4V的

20 ns以下的持续时间。）

3.无铅封装添加。

K9K4G08Q0M-PCB0,PIB0

K9K4G08U0M-PCB0,PIB0

K9K4G16U0M-PCB0,PIB0

K9K4G16Q0M-PCB0,PIB0

K9W8G08U1M-PCB0,PIB0

1.增加了解决方法，程序操作。

1. tADL （地址为数据加载时间）被添加。

- tADL最小为100ns

tADL是从最后的地址周期的WE的上升沿的时间

第一循环的数据在程序运行在WE的上升沿。

2.增加了解决方案操作方法

3. PKG （ TSOP1 ）尺寸变化

草案日期

2月19日2003

三月31， 2003

四月9， 2003

备注

ADVANCE

初步

0.3

四月30， 2003

初步

0.4

0.5

1月27日2004年

May.31 。 2004年

初步

所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留

右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您

有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。

K9W8G08U1M

K9K4G08Q0M

K9K4G08U0M

K9K4G16Q0M

K9K4G16U0M

FL灰内存

512M ×8位/ 256M x 16位NAND闪存

产品列表

产品型号

K9K4G08Q0M-Y

K9K4G16Q0M-Y

K9XXG08UXM-Y

K9K4G16U0M-Y

2.7 ~ 3.6V

VCC范围

1.70 ~ 1.95V

组织

X16

TSOP1

PKG型

特点

电源

-1.8V设备（ K9K4GXXQ0M ）： 1.70V 1.95V

-3.3V设备（ K9XXGXXUXM ）： 2.7 V 3.6 V

组织

- 存储单元阵列

-X8设备（ K9XXG08XXM ）：（ 512M + 16,384K ）位x 8位

-X16设备（ K9XXG16XXM ）：（ 256M + 8,192K ）位x 16位

- 数据寄存器

-X8装置（ K9XXG08XXM ）：（ 2K + 64 ）比特x8bit

-X16装置（ K9XXG16XXM ）：（ 1K + 32）比特x16bit

- 缓存注册

-X8装置（ K9XXG08XXM ）：（ 2K + 64 ）比特x8bit

-X16装置（ K9XXG16XXM ）：（ 1K + 32）比特x16bit

自动编程和擦除

- 页编程

-X8装置（ K9XXG08XXM ）：（ 2K + 64 ）字节

-X16设备（ K9XXG16XXM ）：（ 1K + 32 ）字

- 块擦除

-X8设备（ K9XXG08XXM ）：（ 128K + 4K ）字节

-X16设备（ K9XXG16XXM ）：（ 64K + 2K ）字

页面读取操作

- 页面大小

- X8设备（ K9XXG08XXM ）： 2K字节

- X16设备（ K9XXG16XXM ）： 1K字

- 随机读取：在25μs （最大值）

- 串行访问：为50ns （最小值）

30ns的（最小， K9XXG08UXM只）

快速写周期时间

- 计划时间： 300μS （典型值）

- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。

命令/地址/数据多路复用I / O端口

硬件数据保护

- 编程/擦除锁定在电源转换

可靠的CMOS浮栅技术

- 耐力： 100K编程/擦除周期

- 数据保存： 10年

命令寄存器操作

缓存的程序运行高性能程序

上电自动读取操作

智能复制回操作

独特的ID为版权保护

包装：

- K9XXGXXXXM - YCB0 / YIB0

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

- K9W8G08U1M - YCB0 / YIB0 ： K9K4G08U0M两叠。

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

- K9XXGXXXXM - PCB0 / PIB0

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

- K9W8G08U1M - PCB0 / PIB0 ： K9K4G08U0M两叠。

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

概述

提供在512Mx8bit或256Mx16bit ，该K9XXGXXXXM是4G位有备用128M比特容量。它的NAND单元提供了最

为固态大容量存储市场成本效益的解决方案。一个程序可以运行在典型的300μS在2112-进行

字节（X8设备）或1056字（ X16设备）页和擦除操作可在典型2ms的一个128K字节（X8设备）上执行

或64K字（ X16器件）模块。在数据页的数据可以被读出，在每一个字节50ns的周期时间（ 30ns的，只有X8 3.3V的设备）或

字（ X16装置）。在I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。片上写

控制器自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和margin-

荷兰国际集团的数据。即使是写密集型系统可以利用K9XXGXXXXM的扩展的100K计划的可靠性/擦除

周期提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法。该K9XXGXXXXM是一最佳的解决方案

大的非易失性存储器的应用，如固态的文件存储和其他需要的非挥发性的便携式应用。超

高密度的解决方案具有两个4Gb的堆叠两个芯片的选择也是标准TSOPI封装。

K9W8G08U1M

K9K4G08Q0M

K9K4G08U0M

K9K4G16Q0M

K9K4G16U0M

FL灰内存

引脚配置（ TSOP1 ）

K9K4GXXXXM-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0

X16

N.C

R / B

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

R / B

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

N.C

PRE

VCC

VSS

N.C

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

N.C

X16

VSS

I/O15

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

N.C

PRE

VCC

N.C

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

VSS

48引脚TSOP1

标准型

12毫米X 20毫米

包装尺寸

48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）

48 - TSOP1 - 1220AF

单位：毫米/英寸

0.10

最大

0.004

#48

( 0.25 )

0.010

12.40

0.488 MAX

#24

#25

1.00

±0.05

0.039

±0.002

0.25

0.010 TYP

18.40

±0.10

0.724

±0.004

+0.075

20.00

±0.20

0.787

±0.008

0.20

-0.03

+0.07

0.008

-0.001

0.16

-0.03

+0.07

+0.003

0.50

0.0197

12.00

0.472

0.05

0.002 MIN

0.125

0.035

0~8°

0.45~0.75

0.018~0.030

( 0.50 )

0.020

0.005

-0.001

+0.003

1.20

0.047MAX

K9W8G08U1M

K9K4G08Q0M

K9K4G08U0M

K9K4G16Q0M

K9K4G16U0M

FL灰内存

引脚配置（ TSOP1 ）

K9W8G08U1M-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0

N.C

R/B2

R/B1

CE1

CE2

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

N.C

PRE

VCC

VSS

N.C

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

N.C

48引脚TSOP1

标准型

12毫米X 20毫米

包装尺寸

48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）

48 - TSOP1 - 1220AF

单位：毫米/英寸

0.10

最大

0.004

#48

( 0.25 )

0.010

12.40

0.488 MAX

#24

#25

1.00

±0.05

0.039

±0.002

0.25

0.010 TYP

18.40

±0.10

0.724

±0.004

+0.075

20.00

±0.20

0.787

±0.008

0.20

-0.03

+0.07

0.008

-0.001

0.16

-0.03

+0.07

+0.003

0.50

0.0197

12.00

0.472

0.02

0.002 MIN

0.125

0.035

0~8°

0.45~0.75

0.018~0.030

( 0.50 )

0.020

0.005

-0.001

+0.003

1.20

0.047MAX

K9W8G08U1M

K9K4G08Q0M

K9K4G08U0M

K9K4G16Q0M

K9K4G16U0M

FL灰内存

引脚说明

引脚名称

I / O

- I / O

(K9XXG08XXM)

I / O

- I / O

(K9K4G16X0M)

引脚功能

数据输入/输出

在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I /

O管脚浮到高阻当芯片被取消或当输出被禁止。

的I / O8 I / O15仅用于X16结构的设备。由于命令输入和地址输入均为x8能操作

ATION ，I / O8 I / O15不被用来输入命令&地址。 I / O8 I / O15仅用于数据输入和使用

输出。

命令锁存使能

在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效，

命令被锁存到通过上WE信号的上升沿，在I / O端口的命令寄存器。

地址锁存使能

在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址是

锁存WE与ALE高的上升沿。

芯片使能

在CE / CE1输入设备选择控制。当设备处于繁忙状态， CE / CE1是高

忽略不计，并且该设备不返回到待机模式在编程或擦除操作。关于CE /

读操作期间的CE1控制，参阅'

对设备的操作页面read'section 。

芯片使能

在CE2输入使第二K9K4GXXU0M

读使能

对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的

RE的下降沿也加一内部列地址计数器后TREA 。

写使能

在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存的上升沿

在WE脉冲。

写保护

WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内部高压

发生器复位时， WP引脚为低电平有效。

READY / BUSY输出

中的R / B / R / B 1输出指示设备操作的状态。当低时，表明一个程序，

擦除或随机读操作过程中和完成后返回高电平状态。这是一个漏极开路

输出并不会浮到高阻状态时，芯片是取消或输出被禁止。

上电读使能

预控制开机时自动执行读操作。上电自动读取时启用

PRE引脚连接到VCC。

动力

是用于设备的电源。

地

无连接

铅是没有内部连接。

CLE

ALE

CE / CE1

CE2

的R / B 1 / R / B2

PRE

VCC

VSS

N.C

注意：

将所有V

和V

每个设备共用电源输出的引脚。

不要让V

或V

断开。

K9W8G08U1M

K9K4G08Q0M

K9K4G08U0M

K9K4G16Q0M

K9K4G16U0M

FL灰内存

文档标题

512M ×8位/ 256M ×16位

NAND闪存

修订历史

版本号

0.0

0.1

0.2

历史

1.初始发行

1.添加两个K9K4GXXU0M - YCB0 / YIB0堆叠封装

1.后90H号第3字节ID读命令是别在乎。

90H ID读命令之后第五个字节ID将被删除。

1. K9W8G16U1M - YCB0 ， YIB0 ， PCB0 ， PIB0在排队删除。

2.注意添加。

（ VIL可以下冲至-0.4V和VIH可以过冲至VCC + 0.4V的

20 ns以下的持续时间。）

3.无铅封装添加。

K9K4G08Q0M-PCB0,PIB0

K9K4G08U0M-PCB0,PIB0

K9K4G16U0M-PCB0,PIB0

K9K4G16Q0M-PCB0,PIB0

K9W8G08U1M-PCB0,PIB0

1.增加了解决方法，程序操作。

1. tADL （地址为数据加载时间）被添加。

- tADL最小为100ns

tADL是从最后的地址周期的WE的上升沿的时间

第一循环的数据在程序运行在WE的上升沿。

2.增加了解决方案操作方法

3. PKG （ TSOP1 ）尺寸变化

草案日期

2月19日2003

三月31， 2003

四月9， 2003

备注

ADVANCE

初步

0.3

四月30， 2003

初步

0.4

0.5

1月27日2004年

May.31 。 2004年

初步

所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留

右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您

有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。

K9W8G08U1M

K9K4G08Q0M

K9K4G08U0M

K9K4G16Q0M

K9K4G16U0M

FL灰内存

512M ×8位/ 256M x 16位NAND闪存

产品列表

产品型号

K9K4G08Q0M-Y

K9K4G16Q0M-Y

K9XXG08UXM-Y

K9K4G16U0M-Y

2.7 ~ 3.6V

VCC范围

1.70 ~ 1.95V

组织

X16

TSOP1

PKG型

特点

电源

-1.8V设备（ K9K4GXXQ0M ）： 1.70V 1.95V

-3.3V设备（ K9XXGXXUXM ）： 2.7 V 3.6 V

组织

- 存储单元阵列

-X8设备（ K9XXG08XXM ）：（ 512M + 16,384K ）位x 8位

-X16设备（ K9XXG16XXM ）：（ 256M + 8,192K ）位x 16位

- 数据寄存器

-X8装置（ K9XXG08XXM ）：（ 2K + 64 ）比特x8bit

-X16装置（ K9XXG16XXM ）：（ 1K + 32）比特x16bit

- 缓存注册

-X8装置（ K9XXG08XXM ）：（ 2K + 64 ）比特x8bit

-X16装置（ K9XXG16XXM ）：（ 1K + 32）比特x16bit

自动编程和擦除

- 页编程

-X8装置（ K9XXG08XXM ）：（ 2K + 64 ）字节

-X16设备（ K9XXG16XXM ）：（ 1K + 32 ）字

- 块擦除

-X8设备（ K9XXG08XXM ）：（ 128K + 4K ）字节

-X16设备（ K9XXG16XXM ）：（ 64K + 2K ）字

页面读取操作

- 页面大小

- X8设备（ K9XXG08XXM ）： 2K字节

- X16设备（ K9XXG16XXM ）： 1K字

- 随机读取：在25μs （最大值）

- 串行访问：为50ns （最小值）

30ns的（最小， K9XXG08UXM只）

快速写周期时间

- 计划时间： 300μS （典型值）

- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。

命令/地址/数据多路复用I / O端口

硬件数据保护

- 编程/擦除锁定在电源转换

可靠的CMOS浮栅技术

- 耐力： 100K编程/擦除周期

- 数据保存： 10年

命令寄存器操作

缓存的程序运行高性能程序

上电自动读取操作

智能复制回操作

独特的ID为版权保护

包装：

- K9XXGXXXXM - YCB0 / YIB0

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

- K9W8G08U1M - YCB0 / YIB0 ： K9K4G08U0M两叠。

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

- K9XXGXXXXM - PCB0 / PIB0

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

- K9W8G08U1M - PCB0 / PIB0 ： K9K4G08U0M两叠。

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

概述

提供在512Mx8bit或256Mx16bit ，该K9XXGXXXXM是4G位有备用128M比特容量。它的NAND单元提供了最

为固态大容量存储市场成本效益的解决方案。一个程序可以运行在典型的300μS在2112-进行

字节（X8设备）或1056字（ X16设备）页和擦除操作可在典型2ms的一个128K字节（X8设备）上执行

或64K字（ X16器件）模块。在数据页的数据可以被读出，在每一个字节50ns的周期时间（ 30ns的，只有X8 3.3V的设备）或

字（ X16装置）。在I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。片上写

控制器自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和margin-

荷兰国际集团的数据。即使是写密集型系统可以利用K9XXGXXXXM的扩展的100K计划的可靠性/擦除

周期提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法。该K9XXGXXXXM是一最佳的解决方案

大的非易失性存储器的应用，如固态的文件存储和其他需要的非挥发性的便携式应用。超

高密度的解决方案具有两个4Gb的堆叠两个芯片的选择也是标准TSOPI封装。

K9W8G08U1M

K9K4G08Q0M

K9K4G08U0M

K9K4G16Q0M

K9K4G16U0M

FL灰内存

引脚配置（ TSOP1 ）

K9K4GXXXXM-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0

X16

N.C

R / B

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

R / B

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

N.C

PRE

VCC

VSS

N.C

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

N.C

X16

VSS

I/O15

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

N.C

PRE

VCC

N.C

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

VSS

48引脚TSOP1

标准型

12毫米X 20毫米

包装尺寸

48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）

48 - TSOP1 - 1220AF

单位：毫米/英寸

0.10

最大

0.004

#48

( 0.25 )

0.010

12.40

0.488 MAX

#24

#25

1.00

±0.05

0.039

±0.002

0.25

0.010 TYP

18.40

±0.10

0.724

±0.004

+0.075

20.00

±0.20

0.787

±0.008

0.20

-0.03

+0.07

0.008

-0.001

0.16

-0.03

+0.07

+0.003

0.50

0.0197

12.00

0.472

0.05

0.002 MIN

0.125

0.035

0~8°

0.45~0.75

0.018~0.030

( 0.50 )

0.020

0.005

-0.001

+0.003

1.20

0.047MAX

K9W8G08U1M

K9K4G08Q0M

K9K4G08U0M

K9K4G16Q0M

K9K4G16U0M

FL灰内存

引脚配置（ TSOP1 ）

K9W8G08U1M-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0

N.C

R/B2

R/B1

CE1

CE2

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

N.C

PRE

VCC

VSS

N.C

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

N.C

48引脚TSOP1

标准型

12毫米X 20毫米

包装尺寸

48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）

48 - TSOP1 - 1220AF

单位：毫米/英寸

0.10

最大

0.004

#48

( 0.25 )

0.010

12.40

0.488 MAX

#24

#25

1.00

±0.05

0.039

±0.002

0.25

0.010 TYP

18.40

±0.10

0.724

±0.004

+0.075

20.00

±0.20

0.787

±0.008

0.20

-0.03

+0.07

0.008

-0.001

0.16

-0.03

+0.07

+0.003

0.50

0.0197

12.00

0.472

0.02

0.002 MIN

0.125

0.035

0~8°

0.45~0.75

0.018~0.030

( 0.50 )

0.020

0.005

-0.001

+0.003

1.20

0.047MAX

K9W8G08U1M

K9K4G08Q0M

K9K4G08U0M

K9K4G16Q0M

K9K4G16U0M

FL灰内存

引脚说明

引脚名称

I / O

- I / O

(K9XXG08XXM)

I / O

- I / O

(K9K4G16X0M)

引脚功能

数据输入/输出

在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I /

O管脚浮到高阻当芯片被取消或当输出被禁止。

的I / O8 I / O15仅用于X16结构的设备。由于命令输入和地址输入均为x8能操作

ATION ，I / O8 I / O15不被用来输入命令&地址。 I / O8 I / O15仅用于数据输入和使用

输出。

命令锁存使能

在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效，

命令被锁存到通过上WE信号的上升沿，在I / O端口的命令寄存器。

地址锁存使能

在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址是

锁存WE与ALE高的上升沿。

芯片使能

在CE / CE1输入设备选择控制。当设备处于繁忙状态， CE / CE1是高

忽略不计，并且该设备不返回到待机模式在编程或擦除操作。关于CE /

读操作期间的CE1控制，参阅'

对设备的操作页面read'section 。

芯片使能

在CE2输入使第二K9K4GXXU0M

读使能

对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的

RE的下降沿也加一内部列地址计数器后TREA 。

写使能

在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存的上升沿

在WE脉冲。

写保护

WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内部高压

发生器复位时， WP引脚为低电平有效。

READY / BUSY输出

中的R / B / R / B 1输出指示设备操作的状态。当低时，表明一个程序，

擦除或随机读操作过程中和完成后返回高电平状态。这是一个漏极开路

输出并不会浮到高阻状态时，芯片是取消或输出被禁止。

上电读使能

预控制开机时自动执行读操作。上电自动读取时启用

PRE引脚连接到VCC。

动力

是用于设备的电源。

地

无连接

铅是没有内部连接。

CLE

ALE

CE / CE1

CE2

的R / B 1 / R / B2

PRE

VCC

VSS

N.C

注意：

将所有V

和V

每个设备共用电源输出的引脚。

不要让V

或V

断开。