K9K2G08U0A
文档标题
初步
FL灰内存
256M ×8位
NAND闪存
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
1.初始发行
1.技术说明改变
交流时序特性2.注意添加
3.拷贝回程序的说明改变
4. TSOP封装被删除
1. CE访问时间： 23ns - >35ns （第9页）
草案日期
五月。 31. 2004年
10月25日2004年
备注
ADVANCE
初步
0.2
2月14日2005年
初步
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分公司附近的办公室。
1
K9K2G08U0A
256M ×8位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9K2G08U0A-V,F
VCC范围
2.7 ~ 3.6V
组织
X8
初步
FL灰内存
PKG型
WSOP1
特点
电源
- 2.7 V ~3.6 V
组织
- 存储单元阵列
- （ 256M + 8,192K ）位x 8位
- 数据寄存器
- （ 2K + 64 ）位x8bit
- 缓存注册
- （ 2K + 64 ）位x8bit
自动编程和擦除
- 页编程
- （ 2K + 64 ）字节
- 块擦除
- （ 128K + 4K ）字节
页面读取操作
- 页面大小
- 2K字节
- 随机读取：在25μs （最大值）
- 串行访问： 30ns的（最小）
快速写周期时间
- 计划时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
缓存的程序运行高性能程序
智能复制回操作
独特的ID为版权保护
包装：
- K9K2G08U0A - VIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）
- K9K2G08U0A - FIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ） - 无铅封装
概述
所提供的256Mx8bit的K9K2G08U0A是2G位有备用64M比特容量。它的NAND单元提供最具成本效益的解决方案
为固态大容量存储市场。一个程序可以运行在典型的为200ps的2112byte页面和擦除的执行
操作可以在一个128K字节的块上典型2ms的执行。在数据页的数据可在每字节30ns的周期时间被读出。
在I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。芯片上的写控制器自动完成所有
编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和数据的裕度。即使是
写密集型系统可以采取K9K2G08U0A的扩展的100K计划的可靠性优势/提供擦除周期
ECC （纠错码）与实时映射出的算法。该K9K2G08U0A是大的非易失性的最佳解决方案
存储应用，例如固态存储文件和其他需要的非挥发性的便携式应用。
2
K9K2G08U0A
引脚配置（ WSOP1 ）
K9K2G08U0A-VIB0,FIB0
N.C
N.C
DNU
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
DNU
N.C
VCC
VSS
N.C
DNU
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
DNU
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
N.C
N.C
DNU
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
DNU
N.C
VCC
VSS
N.C
DNU
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
DNU
N.C
N.C
初步
FL灰内存
包装尺寸
48 -PIN引脚塑料非常非常的轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）
48 - WSOP1 - 1217F
单位：mm
0.70 MAX
15.40
±0.10
0.58
±0.04
#1
+0.07
-0.03
#48
+0.07
-0.03
0.16
12.40MAX
12.00
±0.10
0.50TYP
(0.50
±
0.06)
0.20
#24
#25
(0.01Min)
0.10
+0.075
-0.035
0
°
~
8
°
0.45~0.75
17.00
±0.20
3
K9K2G08U0A
引脚说明
引脚名称
I / O
0
- I / O
7
引脚功能
初步
FL灰内存
数据输入/输出
在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I /
O管脚浮到高阻当芯片被取消或当输出被禁止。
命令锁存使能
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效，
命令被锁存到通过上WE信号的上升沿，在I / O端口的命令寄存器。
地址锁存使能
在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址是
锁存WE与ALE高的上升沿。
芯片使能
行政长官输入设备选择控制。当设备处于忙状态时， CE的高被忽略，并且
该设备不返回到待机模式中编程或擦除opertion 。对于在读CE控制
操作时，指的是设备操作“页面阅读”部分。
读使能
对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的
RE的下降沿也加一内部列地址计数器后TREA 。
写使能
在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存的上升沿
在WE脉冲。
写保护
WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内部高压
发生器复位时， WP引脚为低电平有效。
READY / BUSY输出
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或
随机读取操作过程中和完成后返回高电平状态。这是一个漏极开路输出，
不浮到高阻状态时，芯片是取消或输出被禁止。
动力
V
CC
是用于设备的电源。
地
无连接
铅是没有内部连接。
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
R / B
VCC
VSS
N.C
注意：
将所有V
CC
和V
SS
每个设备共用电源输出的引脚。
不要让V
CC
或V
SS
断开。
4
K9K2G08U0A
图1-1 。功能框图
V
CC
V
SS
A
12
- A
28
X -缓冲器
锁存器
&解码器
Y型缓冲器
锁存器
&解码器
2048M + 64M位
NAND闪存
ARRAY
初步
FL灰内存
A
0
- A
11
（ 2048 + 64 ）字节x 131072
数据寄存器& S / A
缓存寄存器
命令
命令
注册
Y型GATING
I / O缓冲器&锁存器
V
CC
V
SS
产量
司机
I/0 0
CE
RE
WE
控制逻辑
&高压
发电机
全球缓冲区
I/0 7
CLE ALE WP
图2-1 。阵列组织
1块= 64页
（ 128K + 4K ）字节
128K的页面
（ = 2048块）
8位
2K字节
64字节
第1页= （ 2K + 64 ）字节
1块= （ 2K + 64 ） B ×64页
= （ 128K + 4K ）字节
1设备= （ 2K + 64 ） B X 64Pages ×2048块
= 2112兆
页寄存器
2K字节
I / O 0
第一个周期
第二个周期
第三轮
第四轮
第5次循环
A
0
A
8
A
12
A
20
A
28
I / O 1
A
1
A
9
A
13
A
21
*L
I / O 2
A
2
A
10
A
14
A
22
*L
64字节
I / O 3
A
3
A
11
A
15
A
23
*L
I / O 0 I / O 7
I / O 4
A
4
*L
A
16
A
24
*L
I / O 5
A
5
*L
A
17
A
25
*L
I / O 6
A
6
*L
A
18
A
26
*L
I / O 7
A
7
*L
A
19
A
27
*L
列地址
列地址
行地址
行地址
行地址
记
：列地址：启动注册的地址。
* L必须设置为"Low" 。
*该设备将忽略地址周期比reguired任何额外的投入。
5
K9K2G08U0A
文档标题
初步
FL灰内存
256M ×8位
NAND闪存
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
1.初始发行
1.技术说明改变
交流时序特性2.注意添加
3.拷贝回程序的说明改变
4. TSOP封装被删除
1. CE访问时间： 23ns - >35ns （第9页）
草案日期
五月。 31. 2004年
10月25日2004年
备注
ADVANCE
初步
0.2
2月14日2005年
初步
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分公司附近的办公室。
1
K9K2G08U0A
256M ×8位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9K2G08U0A-V,F
VCC范围
2.7 ~ 3.6V
组织
X8
初步
FL灰内存
PKG型
WSOP1
特点
电源
- 2.7 V ~3.6 V
组织
- 存储单元阵列
- （ 256M + 8,192K ）位x 8位
- 数据寄存器
- （ 2K + 64 ）位x8bit
- 缓存注册
- （ 2K + 64 ）位x8bit
自动编程和擦除
- 页编程
- （ 2K + 64 ）字节
- 块擦除
- （ 128K + 4K ）字节
页面读取操作
- 页面大小
- 2K字节
- 随机读取：在25μs （最大值）
- 串行访问： 30ns的（最小）
快速写周期时间
- 计划时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
缓存的程序运行高性能程序
智能复制回操作
独特的ID为版权保护
包装：
- K9K2G08U0A - VIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）
- K9K2G08U0A - FIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ） - 无铅封装
概述
所提供的256Mx8bit的K9K2G08U0A是2G位有备用64M比特容量。它的NAND单元提供最具成本效益的解决方案
为固态大容量存储市场。一个程序可以运行在典型的为200ps的2112byte页面和擦除的执行
操作可以在一个128K字节的块上典型2ms的执行。在数据页的数据可在每字节30ns的周期时间被读出。
在I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。芯片上的写控制器自动完成所有
编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和数据的裕度。即使是
写密集型系统可以采取K9K2G08U0A的扩展的100K计划的可靠性优势/提供擦除周期
ECC （纠错码）与实时映射出的算法。该K9K2G08U0A是大的非易失性的最佳解决方案
存储应用，例如固态存储文件和其他需要的非挥发性的便携式应用。
2
K9K2G08U0A
引脚配置（ WSOP1 ）
K9K2G08U0A-VIB0,FIB0
N.C
N.C
DNU
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
DNU
N.C
VCC
VSS
N.C
DNU
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
DNU
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
N.C
N.C
DNU
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
DNU
N.C
VCC
VSS
N.C
DNU
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
DNU
N.C
N.C
初步
FL灰内存
包装尺寸
48 -PIN引脚塑料非常非常的轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）
48 - WSOP1 - 1217F
单位：mm
0.70 MAX
15.40
±0.10
0.58
±0.04
#1
+0.07
-0.03
#48
+0.07
-0.03
0.16
12.40MAX
12.00
±0.10
0.50TYP
(0.50
±
0.06)
0.20
#24
#25
(0.01Min)
0.10
+0.075
-0.035
0
°
~
8
°
0.45~0.75
17.00
±0.20
3
K9K2G08U0A
引脚说明
引脚名称
I / O
0
- I / O
7
引脚功能
初步
FL灰内存
数据输入/输出
在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I /
O管脚浮到高阻当芯片被取消或当输出被禁止。
命令锁存使能
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效，
命令被锁存到通过上WE信号的上升沿，在I / O端口的命令寄存器。
地址锁存使能
在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址是
锁存WE与ALE高的上升沿。
芯片使能
行政长官输入设备选择控制。当设备处于忙状态时， CE的高被忽略，并且
该设备不返回到待机模式中编程或擦除opertion 。对于在读CE控制
操作时，指的是设备操作“页面阅读”部分。
读使能
对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的
RE的下降沿也加一内部列地址计数器后TREA 。
写使能
在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存的上升沿
在WE脉冲。
写保护
WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内部高压
发生器复位时， WP引脚为低电平有效。
READY / BUSY输出
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或
随机读取操作过程中和完成后返回高电平状态。这是一个漏极开路输出，
不浮到高阻状态时，芯片是取消或输出被禁止。
动力
V
CC
是用于设备的电源。
地
无连接
铅是没有内部连接。
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
R / B
VCC
VSS
N.C
注意：
将所有V
CC
和V
SS
每个设备共用电源输出的引脚。
不要让V
CC
或V
SS
断开。
4
K9K2G08U0A
图1-1 。功能框图
V
CC
V
SS
A
12
- A
28
X -缓冲器
锁存器
&解码器
Y型缓冲器
锁存器
&解码器
2048M + 64M位
NAND闪存
ARRAY
初步
FL灰内存
A
0
- A
11
（ 2048 + 64 ）字节x 131072
数据寄存器& S / A
缓存寄存器
命令
命令
注册
Y型GATING
I / O缓冲器&锁存器
V
CC
V
SS
产量
司机
I/0 0
CE
RE
WE
控制逻辑
&高压
发电机
全球缓冲区
I/0 7
CLE ALE WP
图2-1 。阵列组织
1块= 64页
（ 128K + 4K ）字节
128K的页面
（ = 2048块）
8位
2K字节
64字节
第1页= （ 2K + 64 ）字节
1块= （ 2K + 64 ） B ×64页
= （ 128K + 4K ）字节
1设备= （ 2K + 64 ） B X 64Pages ×2048块
= 2112兆
页寄存器
2K字节
I / O 0
第一个周期
第二个周期
第三轮
第四轮
第5次循环
A
0
A
8
A
12
A
20
A
28
I / O 1
A
1
A
9
A
13
A
21
*L
I / O 2
A
2
A
10
A
14
A
22
*L
64字节
I / O 3
A
3
A
11
A
15
A
23
*L
I / O 0 I / O 7
I / O 4
A
4
*L
A
16
A
24
*L
I / O 5
A
5
*L
A
17
A
25
*L
I / O 6
A
6
*L
A
18
A
26
*L
I / O 7
A
7
*L
A
19
A
27
*L
列地址
列地址
行地址
行地址
行地址
记
：列地址：启动注册的地址。
* L必须设置为"Low" 。
*该设备将忽略地址周期比reguired任何额外的投入。
5
K9K2G08U0A
K9K2G08R0A
FL灰内存
K9K2G08X0A
信息在本文档提供有关三星产品，
并随时更改，恕不另行通知。
本条中的任何文件应当解释为授予任何许可，
明示或暗示，被禁止的或其他方式，
任何知识产权权利三星的产品或技术。所有
信息在本文档提供
作为"AS IS"基础不承担任何声明或保证。
1.对于更新或有关三星产品的更多信息，请联系您最近的三星办公。
2.三星的产品不得用于生命支持，重症监护，医疗，安全设备，或者类似用途
应用产品故障可能导致人身或人身伤害，或任何军事或损失
国防应用，或任何政府采购到特殊条款或规定可能适用。
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
1
K9K2G08U0A
K9K2G08R0A
文档标题
FL灰内存
256M ×8位
NAND闪存
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
1.初始发行
1.技术说明改变
交流时序特性2.注意添加
3.拷贝回程序的说明改变
4. TSOP封装被删除
1. CE访问时间： 23ns - >35ns （第9页）
1. TREA的值被改变。 （ 18ns - >20ns ）
2. EDO模式被添加。
1.流程图来创造初始无效块表被改变。
1. 1.8V FBGA规范合并
2. 3.3V的FBGA封装中加入
3. FBGA封装尺寸更改为9.5 ×12
4.引线部分被删除
草案日期
五月。 31. 2004年
10月25日2004年
备注
ADVANCE
初步
0.2
0.3
0.4
1.0
2月14日2005年
五月
五月
4 2005
6 2005
2006年2月1日
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分公司附近的办公室。
2
K9K2G08U0A
K9K2G08R0A
256M ×8位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9K2G08U0A-F
K9K2G08X0A-J
VCC范围
2.7 ~ 3.6V
1.65 ~ 1.95V
组织
X8
X8
FL灰内存
PKG型
WSOP1
FBGA
特点
电源
- 2.7 V ~3.6 V
- 1.65V ~ 1.95V
组织
- 存储单元阵列
- （ 256M + 8,192K ）位x 8位
- 数据寄存器
- （ 2K + 64 ）位x8bit
自动编程和擦除
- 页编程
- （ 2K + 64 ）字节
- 块擦除
- （ 128K + 4K ）字节
页面读取操作
- 页面大小
- 2K字节
- 随机读取：在25μs （最大值）
- 串行访问：为50ns （最小值）
快速写周期时间
- 计划时间： 300μS （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
独特的ID为版权保护
包装：
- K9K2G08U0A - FIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ） - 无铅封装
- K9K2G08X0A - JCB0 / JIB0
63-球FBGA （ 9.5x12 ） - 无铅封装
概述
所提供的256Mx8bit的K9K2G08X0A是2G位有备用64M比特容量。它的NAND单元提供最具成本效益的解决方案
为固态大容量存储市场。一个程序可以运行在典型的300μS的2112byte页面和擦除的执行
操作可以在一个128K字节的块上典型2ms的执行。在数据页的数据可在每字节50ns的周期时间被读出。
在I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。芯片上的写控制器自动完成所有
编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和数据的裕度。即使是
写密集型系统可以采取K9K2G08X0A的扩展的100K计划的可靠性优势/提供擦除周期
ECC （纠错码）与实时映射出的算法。该K9K2G08X0A是大的非易失性的最佳解决方案
存储应用，例如固态存储文件和其他需要的非挥发性的便携式应用。
3
K9K2G08U0A
K9K2G08R0A
引脚配置（ WSOP1 ）
K9K2G08U0A-FIB0
N.C
N.C
DNU
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
DNU
N.C
VCC
VSS
N.C
DNU
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
DNU
N.C
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N.C
N.C
DNU
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
DNU
N.C
VCC
VSS
N.C
DNU
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
DNU
N.C
N.C
FL灰内存
包装尺寸
48 -PIN引脚塑料非常非常的轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）
48 - WSOP1 - 1217F
单位：mm
0.70 MAX
15.40
±0.10
0.58
±0.04
#1
+0.07
-0.03
#48
+0.07
-0.03
0.16
12.40MAX
12.00
±0.10
0.50TYP
(0.50
±
0.06)
0.20
#24
#25
(0.01Min)
0.10
+0.075
-0.035
0
°
~
8
°
0.45~0.75
17.00
±0.20
4
QQ：2880707522 复制
