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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第196页 > K9K1G08U0A
K9K1G08Q0A K9K1G16Q0A
K9K1G08U0A K9K1G16U0A
初步
FL灰内存
文档标题
128M ×8位/ 64M x 16位NAND闪存
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
首次发行。
1.注意添加。
( VIL可以下冲至-0.4V和VIH可以过冲至VCC + 0.4V的
20 ns以下的持续时间。 )
2. 63FBGA , 1.8V产品添加。
K9K1GXXQ0A-GCB0,GIB0,JCB0,JIB0
勘误表被删除。
AC参数被改变。
TWC亿千瓦时TWP的tRC tREH的激进党TREA TCEA
45 15 25 50 15 25 30
45
60 20 40 60 20 40 40
55
草案日期
2003年3月17日
2003年6月4日
备注
初步
初步
2003年8月1日
0.2
初步
注:欲了解更多详细的功能以及规格,包括常见问题解答,请参考三星的Flash网站。
s
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题,请联系三星分公司附近的办公室。
1
K9K1G08Q0A K9K1G16Q0A
K9K1G08U0A K9K1G16U0A
初步
FL灰内存
128M ×8位/ 64M x 16位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9K1G08Q0A-G,J
K9K1G16Q0A-G,J
K9K1G08U0A-Y,P
K9K1G08U0A-G,J
K9K1G08U0A-V,F
K9K1G16U0A-Y,P
K9K1G16U0A-G,J
2.7 ~ 3.6V
X16
X8
VCC范围
1.70 ~ 1.95V
组织
X8
X16
TSOP1
FBGA
WSOP1
TSOP1
FBGA
PKG型
FBGA
特点
电源
- 1.8V器件( K9K1GXXQ0A ) : 1.70 1.95V
- 3.3V器件( K9K1GXXU0A ) : 2.7 3.6 V
组织
- 存储单元阵列
- X8设备( K9K1G08X0A ) : ( 128M + 4096K )位×8位
- X16设备( K9K1G16X0A ) : ( 64M + 2048K )位x 16位
- 数据寄存器
- X8设备( K9K1G08X0A ) : ( 512 + 16 )位x 8位
- X16装置( K9K1G16X0A ):( 256 + 8)位x16bit
自动编程和擦除
- 页编程
- X8设备( K9K1G08X0A ) : ( 512 + 16 )字节
- X16设备( K9K1G16X0A ) : ( 256 + 8 )字
- 块擦除:
- X8设备( K9K1G08X0A ) : ( 16K + 512 )字节
- X16设备( K9K1G16X0A ) : ( 8K + 256 )字
页面读取操作
- 页面大小
- X8设备( K9K1G08X0A ) : ( 512 + 16 )字节
- X16设备( K9K1G16X0A ) : ( 256 + 8 )字
- 随机存取
: 12μs (最大值)。
- 串行页面访问:为50ns (分钟) *
* K9F12XXQ0A :为60ns (最小值)
快速写周期时间
- 计划时间:为200μs (典型值)
- 块擦除时间: 2毫秒(典型值)。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力
: 100K编程/擦除周期
- 数据保存: 10年
命令寄存器操作
智能拷贝回
独特的ID为版权保护
- K9K1GXXU0A - YCB0 / YIB0
48 - 引脚TSOP I( 12 ×20 / 0.5 mm间距)
- K9K1GXXX0A - GCB0 / GIB0
63-球FBGA
- K9K1G08U0A - VCB0 / VIB0
48 - 针WSOP I( 12X17X0.7mm )
- K9K1GXXU0A - PCB0 / PIB0
48 - 引脚TSOP I( 12 ×20 / 0.5 mm间距) - 无铅封装
- K9K1GXXX0A - JCB0 / JIB0
63-球FBGA - 无铅封装
- K9K1G08U0A - FCB0 / FIB0
48 - 针WSOP I( 12X17X0.7mm ) - 无铅封装
* K9K1G08U0A - V,F ( WSOPI )是相同的设备
K9K1G08U0A -Y , P( TSOP1 )除了封装类型。
概述
该K9K1G08U0A是128M ( 134217728 ) x8bit NAND闪存用备用4.096K ( 4,194,304 ) x8bit 。它的NAND单元提供
为固态大容量存储器市场的最具成本效益的解决方案。一个程序就可以执行操作中通常为200μS上
528字节的(x8设备)或264字( X16设备)页和擦除操作可以在一般2ms的一个16K字节来进行的(x8
设备)或8K字( X16器件)模块。在数据寄存器中的数据可以读出在50ns ( 1.8V设备:为60ns ),每字节循环时间( X8
设备)或字( X16的装置) 。该I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。在导通
芯片的写控制器自动完成所有的编程和擦除功能,包括脉冲重复,在必要时,和内部验证和马歇尔
gining数据。即使是写密集型系统可以采取K9K1G08U0A的扩展的100K计划的可靠性的优势/
通过提供ECC (纠错码)与实时映射出的算法擦除周期。该K9K1G08U0A是最佳解决方案
灰对于大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他需要的非挥发性的便携式应用。
2
K9K1G08Q0A K9K1G16Q0A
K9K1G08U0A K9K1G16U0A
引脚配置( TSOP1 )
K9K1G08U0A-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
1
2
3
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11
12
13
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22
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48
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41
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28
27
26
25
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
初步
FL灰内存
包装尺寸
48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型(I )
48 - TSOP1 - 1220F
单位:毫米/英寸
0.10
最大
0.004
#48
( 0.25 )
0.010
12.40
0.488 MAX
0.50
0.0197
#24
#25
1.00
±0.05
0.039
±0.002
0.25
0.010 TYP
18.40
±0.10
0.724
±0.004
+0.075
20.00
±0.20
0.787
±0.008
0.008
-0.001
+0.07
+0.003
0.20
-0.03
#1
12.00
0.472
0.05
0.002 MIN
0.125
0.035
0~8°
0.45~0.75
0.018~0.030
( 0.50 )
0.020
3
0.005
-0.001
+0.003
1.20
0.047MAX
K9K1G08Q0A K9K1G16Q0A
K9K1G08U0A K9K1G16U0A
引脚配置( FBGA )
K9K1GXXX0A-GCB0,JCB0/GIB0,JIB0
X8
1
N.C N.C
初步
FL灰内存
X16
5
6
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C
/ WP
NC
ALE
/ RE
NC
NC
NC
VSS
CLE
NC
NC
NC
/ CE
NC
NC
NC
I/O5
/ WE
NC
NC
NC
I/O7
R / B
NC
NC
NC
NC
VCC
2
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1
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N.C N.C
N.C N.C
A
B
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/ WP
NC
ALE
/ RE
NC
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I/O0
I/O1
I/O2
VSS
/ CE
/ WE
NC
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R / B
A
B
CLE NC
NC
NC
NC
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C
NC
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VCC
I/O7
VSS
C
NC
D
NC
D
NC
E
NC
E
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F
NC
F
I / O8 I / O1 I / O10 I / O12 IO14
G
H
NC
VSS
VCCQ I / O5
I/O6
I / O3 I / O4
G
I/O0
I / O9 I / O3 VCCQ I / O6 I / O15
I / O2 I / O11 I / O4 I / O13 Vss的
H
VSS
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
顶视图
顶视图
4
K9K1G08Q0A K9K1G16Q0A
K9K1G08U0A K9K1G16U0A
包装尺寸
63球FBGA (以毫米计)
顶视图
SIDE VIEW
初步
FL灰内存
底部视图
A1 INDEX MARK
8.50
±0.10
A
B
8.50
±0.10
0.10最大
0.80x9=7.20
10 9 8 7 6 5 4 3 2 1
( DATUM A)
#A1
A
0.45
±0.05
B
(基准B )C
D
E
F
G
H
4.40
J
K
L
M
0.80
0.80
0.32
±0.05
1.10
±0.10
63-
0.45
±0.05
0.20
M
A B
3.60
5
0.80x11=8.80
16.00
±0.10
16.00
±0.10
16.00
±0.10
K9K1G08Q0A K9K1G16Q0A
K9K1G08U0A K9K1G16U0A
初步
FL灰内存
文档标题
128M ×8位/ 64M x 16位NAND闪存
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
首次发行。
1.注意添加。
( VIL可以下冲至-0.4V和VIH可以过冲至VCC + 0.4V的
20 ns以下的持续时间。 )
2. 63FBGA , 1.8V产品添加。
K9K1GXXQ0A-GCB0,GIB0,JCB0,JIB0
勘误表被删除。
AC参数被改变。
TWC亿千瓦时TWP的tRC tREH的激进党TREA TCEA
45 15 25 50 15 25 30
45
60 20 40 60 20 40 40
55
草案日期
2003年3月17日
2003年6月4日
备注
初步
初步
2003年8月1日
0.2
初步
注:欲了解更多详细的功能以及规格,包括常见问题解答,请参考三星的Flash网站。
s
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题,请联系三星分公司附近的办公室。
1
K9K1G08Q0A K9K1G16Q0A
K9K1G08U0A K9K1G16U0A
初步
FL灰内存
128M ×8位/ 64M x 16位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9K1G08Q0A-G,J
K9K1G16Q0A-G,J
K9K1G08U0A-Y,P
K9K1G08U0A-G,J
K9K1G08U0A-V,F
K9K1G16U0A-Y,P
K9K1G16U0A-G,J
2.7 ~ 3.6V
X16
X8
VCC范围
1.70 ~ 1.95V
组织
X8
X16
TSOP1
FBGA
WSOP1
TSOP1
FBGA
PKG型
FBGA
特点
电源
- 1.8V器件( K9K1GXXQ0A ) : 1.70 1.95V
- 3.3V器件( K9K1GXXU0A ) : 2.7 3.6 V
组织
- 存储单元阵列
- X8设备( K9K1G08X0A ) : ( 128M + 4096K )位×8位
- X16设备( K9K1G16X0A ) : ( 64M + 2048K )位x 16位
- 数据寄存器
- X8设备( K9K1G08X0A ) : ( 512 + 16 )位x 8位
- X16装置( K9K1G16X0A ):( 256 + 8)位x16bit
自动编程和擦除
- 页编程
- X8设备( K9K1G08X0A ) : ( 512 + 16 )字节
- X16设备( K9K1G16X0A ) : ( 256 + 8 )字
- 块擦除:
- X8设备( K9K1G08X0A ) : ( 16K + 512 )字节
- X16设备( K9K1G16X0A ) : ( 8K + 256 )字
页面读取操作
- 页面大小
- X8设备( K9K1G08X0A ) : ( 512 + 16 )字节
- X16设备( K9K1G16X0A ) : ( 256 + 8 )字
- 随机存取
: 12μs (最大值)。
- 串行页面访问:为50ns (分钟) *
* K9F12XXQ0A :为60ns (最小值)
快速写周期时间
- 计划时间:为200μs (典型值)
- 块擦除时间: 2毫秒(典型值)。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力
: 100K编程/擦除周期
- 数据保存: 10年
命令寄存器操作
智能拷贝回
独特的ID为版权保护
- K9K1GXXU0A - YCB0 / YIB0
48 - 引脚TSOP I( 12 ×20 / 0.5 mm间距)
- K9K1GXXX0A - GCB0 / GIB0
63-球FBGA
- K9K1G08U0A - VCB0 / VIB0
48 - 针WSOP I( 12X17X0.7mm )
- K9K1GXXU0A - PCB0 / PIB0
48 - 引脚TSOP I( 12 ×20 / 0.5 mm间距) - 无铅封装
- K9K1GXXX0A - JCB0 / JIB0
63-球FBGA - 无铅封装
- K9K1G08U0A - FCB0 / FIB0
48 - 针WSOP I( 12X17X0.7mm ) - 无铅封装
* K9K1G08U0A - V,F ( WSOPI )是相同的设备
K9K1G08U0A -Y , P( TSOP1 )除了封装类型。
概述
该K9K1G08U0A是128M ( 134217728 ) x8bit NAND闪存用备用4.096K ( 4,194,304 ) x8bit 。它的NAND单元提供
为固态大容量存储器市场的最具成本效益的解决方案。一个程序就可以执行操作中通常为200μS上
528字节的(x8设备)或264字( X16设备)页和擦除操作可以在一般2ms的一个16K字节来进行的(x8
设备)或8K字( X16器件)模块。在数据寄存器中的数据可以读出在50ns ( 1.8V设备:为60ns ),每字节循环时间( X8
设备)或字( X16的装置) 。该I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。在导通
芯片的写控制器自动完成所有的编程和擦除功能,包括脉冲重复,在必要时,和内部验证和马歇尔
gining数据。即使是写密集型系统可以采取K9K1G08U0A的扩展的100K计划的可靠性的优势/
通过提供ECC (纠错码)与实时映射出的算法擦除周期。该K9K1G08U0A是最佳解决方案
灰对于大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他需要的非挥发性的便携式应用。
2
K9K1G08Q0A K9K1G16Q0A
K9K1G08U0A K9K1G16U0A
引脚配置( TSOP1 )
K9K1G08U0A-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0
N.C
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R / B
RE
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I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
初步
FL灰内存
包装尺寸
48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型(I )
48 - TSOP1 - 1220F
单位:毫米/英寸
0.10
最大
0.004
#48
( 0.25 )
0.010
12.40
0.488 MAX
0.50
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#24
#25
1.00
±0.05
0.039
±0.002
0.25
0.010 TYP
18.40
±0.10
0.724
±0.004
+0.075
20.00
±0.20
0.787
±0.008
0.008
-0.001
+0.07
+0.003
0.20
-0.03
#1
12.00
0.472
0.05
0.002 MIN
0.125
0.035
0~8°
0.45~0.75
0.018~0.030
( 0.50 )
0.020
3
0.005
-0.001
+0.003
1.20
0.047MAX
K9K1G08Q0A K9K1G16Q0A
K9K1G08U0A K9K1G16U0A
引脚配置( FBGA )
K9K1GXXX0A-GCB0,JCB0/GIB0,JIB0
X8
1
N.C N.C
初步
FL灰内存
X16
5
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N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C
/ WP
NC
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NC
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CLE
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NC
/ CE
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/ WE
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I/O7
R / B
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A
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/ RE
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I/O1
I/O2
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/ CE
/ WE
NC
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R / B
A
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CLE NC
NC
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NC
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VCC
I/O7
VSS
C
NC
D
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D
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E
NC
E
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F
NC
F
I / O8 I / O1 I / O10 I / O12 IO14
G
H
NC
VSS
VCCQ I / O5
I/O6
I / O3 I / O4
G
I/O0
I / O9 I / O3 VCCQ I / O6 I / O15
I / O2 I / O11 I / O4 I / O13 Vss的
H
VSS
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
顶视图
顶视图
4
K9K1G08Q0A K9K1G16Q0A
K9K1G08U0A K9K1G16U0A
包装尺寸
63球FBGA (以毫米计)
顶视图
SIDE VIEW
初步
FL灰内存
底部视图
A1 INDEX MARK
8.50
±0.10
A
B
8.50
±0.10
0.10最大
0.80x9=7.20
10 9 8 7 6 5 4 3 2 1
( DATUM A)
#A1
A
0.45
±0.05
B
(基准B )C
D
E
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4.40
J
K
L
M
0.80
0.80
0.32
±0.05
1.10
±0.10
63-
0.45
±0.05
0.20
M
A B
3.60
5
0.80x11=8.80
16.00
±0.10
16.00
±0.10
16.00
±0.10
K9K1G08Q0A K9K1G16Q0A
K9K1G08U0A K9K1G16U0A
初步
FL灰内存
文档标题
128M ×8位/ 64M x 16位NAND闪存
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
首次发行。
1.注意添加。
( VIL可以下冲至-0.4V和VIH可以过冲至VCC + 0.4V的
20 ns以下的持续时间。 )
2. 63FBGA , 1.8V产品添加。
K9K1GXXQ0A-GCB0,GIB0,JCB0,JIB0
勘误表被删除。
AC参数被改变。
TWC亿千瓦时TWP的tRC tREH的激进党TREA TCEA
45 15 25 50 15 25 30
45
60 20 40 60 20 40 40
55
草案日期
2003年3月17日
2003年6月4日
备注
初步
初步
2003年8月1日
0.2
初步
注:欲了解更多详细的功能以及规格,包括常见问题解答,请参考三星的Flash网站。
s
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题,请联系三星分公司附近的办公室。
1
K9K1G08Q0A K9K1G16Q0A
K9K1G08U0A K9K1G16U0A
初步
FL灰内存
128M ×8位/ 64M x 16位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9K1G08Q0A-G,J
K9K1G16Q0A-G,J
K9K1G08U0A-Y,P
K9K1G08U0A-G,J
K9K1G08U0A-V,F
K9K1G16U0A-Y,P
K9K1G16U0A-G,J
2.7 ~ 3.6V
X16
X8
VCC范围
1.70 ~ 1.95V
组织
X8
X16
TSOP1
FBGA
WSOP1
TSOP1
FBGA
PKG型
FBGA
特点
电源
- 1.8V器件( K9K1GXXQ0A ) : 1.70 1.95V
- 3.3V器件( K9K1GXXU0A ) : 2.7 3.6 V
组织
- 存储单元阵列
- X8设备( K9K1G08X0A ) : ( 128M + 4096K )位×8位
- X16设备( K9K1G16X0A ) : ( 64M + 2048K )位x 16位
- 数据寄存器
- X8设备( K9K1G08X0A ) : ( 512 + 16 )位x 8位
- X16装置( K9K1G16X0A ):( 256 + 8)位x16bit
自动编程和擦除
- 页编程
- X8设备( K9K1G08X0A ) : ( 512 + 16 )字节
- X16设备( K9K1G16X0A ) : ( 256 + 8 )字
- 块擦除:
- X8设备( K9K1G08X0A ) : ( 16K + 512 )字节
- X16设备( K9K1G16X0A ) : ( 8K + 256 )字
页面读取操作
- 页面大小
- X8设备( K9K1G08X0A ) : ( 512 + 16 )字节
- X16设备( K9K1G16X0A ) : ( 256 + 8 )字
- 随机存取
: 12μs (最大值)。
- 串行页面访问:为50ns (分钟) *
* K9F12XXQ0A :为60ns (最小值)
快速写周期时间
- 计划时间:为200μs (典型值)
- 块擦除时间: 2毫秒(典型值)。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力
: 100K编程/擦除周期
- 数据保存: 10年
命令寄存器操作
智能拷贝回
独特的ID为版权保护
- K9K1GXXU0A - YCB0 / YIB0
48 - 引脚TSOP I( 12 ×20 / 0.5 mm间距)
- K9K1GXXX0A - GCB0 / GIB0
63-球FBGA
- K9K1G08U0A - VCB0 / VIB0
48 - 针WSOP I( 12X17X0.7mm )
- K9K1GXXU0A - PCB0 / PIB0
48 - 引脚TSOP I( 12 ×20 / 0.5 mm间距) - 无铅封装
- K9K1GXXX0A - JCB0 / JIB0
63-球FBGA - 无铅封装
- K9K1G08U0A - FCB0 / FIB0
48 - 针WSOP I( 12X17X0.7mm ) - 无铅封装
* K9K1G08U0A - V,F ( WSOPI )是相同的设备
K9K1G08U0A -Y , P( TSOP1 )除了封装类型。
概述
该K9K1G08U0A是128M ( 134217728 ) x8bit NAND闪存用备用4.096K ( 4,194,304 ) x8bit 。它的NAND单元提供
为固态大容量存储器市场的最具成本效益的解决方案。一个程序就可以执行操作中通常为200μS上
528字节的(x8设备)或264字( X16设备)页和擦除操作可以在一般2ms的一个16K字节来进行的(x8
设备)或8K字( X16器件)模块。在数据寄存器中的数据可以读出在50ns ( 1.8V设备:为60ns ),每字节循环时间( X8
设备)或字( X16的装置) 。该I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。在导通
芯片的写控制器自动完成所有的编程和擦除功能,包括脉冲重复,在必要时,和内部验证和马歇尔
gining数据。即使是写密集型系统可以采取K9K1G08U0A的扩展的100K计划的可靠性的优势/
通过提供ECC (纠错码)与实时映射出的算法擦除周期。该K9K1G08U0A是最佳解决方案
灰对于大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他需要的非挥发性的便携式应用。
2
K9K1G08Q0A K9K1G16Q0A
K9K1G08U0A K9K1G16U0A
引脚配置( TSOP1 )
K9K1G08U0A-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
初步
FL灰内存
包装尺寸
48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型(I )
48 - TSOP1 - 1220F
单位:毫米/英寸
0.10
最大
0.004
#48
( 0.25 )
0.010
12.40
0.488 MAX
0.50
0.0197
#24
#25
1.00
±0.05
0.039
±0.002
0.25
0.010 TYP
18.40
±0.10
0.724
±0.004
+0.075
20.00
±0.20
0.787
±0.008
0.008
-0.001
+0.07
+0.003
0.20
-0.03
#1
12.00
0.472
0.05
0.002 MIN
0.125
0.035
0~8°
0.45~0.75
0.018~0.030
( 0.50 )
0.020
3
0.005
-0.001
+0.003
1.20
0.047MAX
K9K1G08Q0A K9K1G16Q0A
K9K1G08U0A K9K1G16U0A
引脚配置( FBGA )
K9K1GXXX0A-GCB0,JCB0/GIB0,JIB0
X8
1
N.C N.C
初步
FL灰内存
X16
5
6
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C
/ WP
NC
ALE
/ RE
NC
NC
NC
VSS
CLE
NC
NC
NC
/ CE
NC
NC
NC
I/O5
/ WE
NC
NC
NC
I/O7
R / B
NC
NC
NC
NC
VCC
2
3
4
1
2
3
4
5
6
N.C N.C
N.C N.C
A
B
N.C
/ WP
NC
ALE
/ RE
NC
NC
NC
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
/ CE
/ WE
NC
NC
NC
NC
NC
R / B
A
B
CLE NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
C
NC
NC
NC
NC
VCC
I/O7
VSS
C
NC
D
NC
D
NC
E
NC
E
NC
F
NC
F
I / O8 I / O1 I / O10 I / O12 IO14
G
H
NC
VSS
VCCQ I / O5
I/O6
I / O3 I / O4
G
I/O0
I / O9 I / O3 VCCQ I / O6 I / O15
I / O2 I / O11 I / O4 I / O13 Vss的
H
VSS
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
顶视图
顶视图
4
K9K1G08Q0A K9K1G16Q0A
K9K1G08U0A K9K1G16U0A
包装尺寸
63球FBGA (以毫米计)
顶视图
SIDE VIEW
初步
FL灰内存
底部视图
A1 INDEX MARK
8.50
±0.10
A
B
8.50
±0.10
0.10最大
0.80x9=7.20
10 9 8 7 6 5 4 3 2 1
( DATUM A)
#A1
A
0.45
±0.05
B
(基准B )C
D
E
F
G
H
4.40
J
K
L
M
0.80
0.80
0.32
±0.05
1.10
±0.10
63-
0.45
±0.05
0.20
M
A B
3.60
5
0.80x11=8.80
16.00
±0.10
16.00
±0.10
16.00
±0.10
查看更多K9K1G08U0APDF信息
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    K9K1G08U0A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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