K9F8008W0M - TCB0 ， K9F8008W0M ， TIB0
文档标题
1M ×8位NAND闪存
FL灰内存
修订历史
版本号
0.0
1.0
历史
数据表1997
数据表1998年
1.更改吨
别尔斯
参数： 5毫秒（典型值）。
→
2ms(Typ.)
10ms(Max.)
→
4ms(Max.)
2.更改吨
PROG
参数： 1.5毫秒（最大）
→
1.0ms(Max.)
数据表1998年
1. Cjanged DC和工作特性
参数
突发读
操作
目前的方案
Eraase
待机电流（ CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
Vcc=2.7V~3.6V
典型值
10
→
5
10
→
5
10
→
5
5
→
10
-
-
最大
20
→
10
20
→
10
20
→
10
50
10
→ ±10
10
→ ±10
Vcc=3.6V~5.5V
典型值
15
→
10
15
→
10
15
→
10
10
-
-
最大
30
→
20
30
→
20
30
→
20
100
→
50
10
→ ±10
10
→ ±10
A
mA
单位
草案日期
1997年4月10日
1998年4月10日
备注
ADVANCE
初步
1.1
1998年7月14日
最终科幻
1.2
数据表1999
t
1 ）增加了CE不要'的数据加载和读期间护理模式
1 ）修订的实时绘制出算法（参见技术说明）
更改的设备名称
- KM29W8000T -> K9F8008W0M ， TCB0
- KM29W8000IT -> K9F8008W0M ， TIB0
1999年4月10日
最终科幻
1.3
1.4
1999年7月23日
1999年9月15日
最终科幻
最终科幻
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
1
K9F8008W0M - TCB0 ， K9F8008W0M ， TIB0
1M ×8位NAND闪存
特点
电源电压： 2.7V 5.5V
组织
- 存储单元阵列： （ 1M + 32K ）位x 8位
- 数据寄存器
： （ 256 + 8 ）位x8bit
自动编程和擦除（典型值）
- 页编程： （ 256 + 8 ）字节的250μs的
- 块擦除： （ 4K + 128 ）字节2MS
- 状态寄存器
264字节页读操作
- 随机存取
：为10μs （最大值）
- 串行页访问： 80ns的（最小）
系统性能增强
- 就绪/忙状态输出
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 1M编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
44 （ 40 ） - 引脚TSOP II型（ 400mil / 0.8 mm间距）
FL灰内存
概述
该K9F8008W0M是1M （ 1,048,576 ） x8bit NAND闪存存储器
储器与备用32K （ 32,768 ） x8bit 。它的NAND单元提供
为固态大容量存储最具成本效益的解决方案
市场。程序运行的程序在264字节页
通常为250μs和擦除操作可在执行
通常2MS一个4K字节的块。
在页面的数据可以在每字节80ns的周期时间被读出。
在I / O引脚作为地址和数据输入/输出端口
把以及命令的输入。片上写入控制器
所有的自动编程和擦除系统功能，包括
脉冲重复，在必要时，和内部验证和margin-
荷兰国际集团的数据。即使是写密集型系统可以利用研华
在K9F8008W0M的踏歌扩展1,000,000可靠性
方案/提供任何ECC （错误纠正擦除周期
代码）或实时映射出的算法。这些算法
在许多大容量存储应用中已经执行
一个页面结合其他的和也备用8个字节
256个字节可以由系统级的ECC被利用。
该K9F8008W0M是大的非易失性的最佳解决方案
存储的应用程序，例如固态存储器，数字语音
记录器，数字照相机等便携式应用
需要非易失性。
引脚配置
引脚说明
引脚名称
I / O
0
-I / O
7
CLE
ALE
CE
RE
WE
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VCC
VSS
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
VCC
CE
RE
R / B
GND
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
引脚功能
数据输入/输出
命令锁存使能
地址锁存使能
芯片使能
读使能
写使能
写保护
输入地
READY / BUSY输出
电源（ 2.7V 5.5V ）
地
无连接
WP
GND
R / B
V
CC
V
SS
N.C
44 （40）， TSOP （II）的
标准型
记
：将所有V
CC
和V
SS
每个器件的引脚供电电源输出。
不要让V
CC
或V
SS
断开。
2
K9F8008W0M - TCB0 ， K9F8008W0M ， TIB0
图1.功能框图
v
CC
v
SS
A
8
- A
19
X -缓冲器
锁存器
&解码器
Y型缓冲器
锁存器
&解码器
8M + 256K位
NAND闪存
ARRAY
（ 256 + 8 ）字节x 4096
页寄存器& S / A
Y型GATING
命令
命令
注册
FL灰内存
A
0
- A
7
I / O缓冲器&锁存器
v
CC
v
SS
产量
司机
I/0
0
I/0
7
CE
RE
WE
控制逻辑
&高压
发电机
全球缓冲区
CLE ALE WP
图2.阵列组织
1块（ = 16行）
（ 4K + 128 ）字节
8M ： 4K行
（ = 256块）
8位
256B列
8B列
第1页= 264字节
1块= 264 B ×16页
= （ 4K + 128 ）字节
1设备= 264B X 16Pages ×256块
= 8.6兆位
页寄存器
256字节
8字节
I / O
0
- I / O
7
I / O
0
第一个周期
第二个周期
第三轮
A
0
A
8
A
16
I / O
1
A
1
A
9
A
17
I / O
2
A
2
A
10
A
18
I / O
3
A
3
A
11
A
19
I / O
4
A
4
A
12
*X
I / O
5
A
5
A
13
*X
I / O
6
A
6
A
14
*X
I / O
7
A
7
A
15
*X
列地址
行地址
（页面地址）
记
: A
12
到A
19
：块地址
*： X可以是V
IL
或V
IH
.
3
K9F8008W0M - TCB0 ， K9F8008W0M ， TIB0
产品介绍
FL灰内存
该K9F8008W0M是由264列组织为4096行的8.6Mbit （ 8650752位）内存。备用八列的位置
由列地址256到263. 264字节的数据寄存器连接到存储器单元阵列容纳数据传输
之间在页面读取和页编程操作的I / O缓冲区和内存。存储器阵列由16个单元的那
串联连接以形成NAND结构。每16个单元的驻留在不同的页面。块包含16页，
一个NAND结构，共16个单元的2112 NAND结构的形成。阵列组织示于图2中。亲
克和读操作都在一个页面基础上执行的，而擦除操作以块为基础执行。在存储器阵列
由256个单独或成组的可擦除4K字节的块。它表明，逐位擦除操作被禁止的
K9F8008W0M.
该K9F8008W0M具有复用为8个I / O的地址。该方案极大地减少引脚数量，并允许系统
升级到未来的密度维持在主板设计的一致性。命令，地址和数据都是通过写入
I / O的通过将WE低，而CE为低。数据锁定在WE的上升沿。命令锁存使能（ CLE ）和地址
锁存使能（ ALE ）用于复分别命令和地址，通过I / O引脚。所有命令都需要一个总线周期
除了块擦除命令，它需要两个周期：一个周期擦除设置和另一个块擦除后，执行
地址加载。在2M字节的物理空间需要21地址，因此需要三个周期的字节级寻址：同事
UMN地址，低行地址和高的行地址，按照该顺序。页面读取和页编程需要同样的三个地址
以下周期所需的指令输入。在块擦除操作中，但是，仅在两个行地址周期被使用。
设备操作都通过写入特定的命令到命令寄存器选择。表1定义的特定命令
该K9F8008W0M 。
表1.命令集
功能
连续数据输入
阅读1
阅读2
读取ID
RESET
页编程
块擦除
阅读状态
1日。周期
80h
00h
50h
90h
FFH
10h
60h
70h
第2位。周期
-
-
-
-
-
-
D0h
-
O
O
在繁忙接受命令
4
K9F8008W0M - TCB0 ， K9F8008W0M ， TIB0
引脚说明
命令锁存使能（ CLE ）
FL灰内存
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的路径激活。当高电平有效，命令锁存
入命令寄存器通过上WE信号的上升沿，在I / O端口。
地址锁存使能（ ALE ）
在ALE输入控制用于地址和输入数据的路径激活到内部地址/数据寄存器。
地址锁存WE与ALE高的上升沿，并当ALE为低的输入数据被锁存。
芯片使能（ CE ）
行政长官输入设备选择控制。当CE变高的读出操作期间，设备将返回到待机模式。
然而，当设备处于忙状态期间的编程或擦除，CE高将被忽略，并且所述设备没有返回到
待机模式。
写使能（ WE）
在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存，在WE脉冲的上升沿。
读使能（ RE ）
对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的吨
REA
下降沿之后
RE的这也加一内部列地址计数器。
I / O端口： I / O
0
- I / O
7
在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I / O引脚浮到高阻
当芯片被释放或当输出被禁止。
写保护（ WP ）
WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内置高压发生器复位时，
WP引脚为低电平有效。
就绪/忙（ R / B）
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或随机读操作是
在过程中和完成后返回高电平状态。这是一个开漏输出，不浮到高阻状态时，芯片
取消或输出被禁止。
5
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