【K9F5608U0B-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0K9F5608Q0B-DCB0,DIB0】,IC型号K9F5608U0B-VCB0,K9F5608U0B-VCB0 PDF资料,K9F5608U0B-VCB0经销商,ic,电子元器件-51电子网

K9F5608U0B-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0

K9F5608Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F5608U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9F5608U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F5616Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F5616U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9F5616U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

FL灰内存

文档标题

32M ×8位， 16M x 16位NAND闪存

修订历史

修订历史号

0.0

0.1

首次发行。

在X16设备Read2则操作

: A

~ A

有别照顾== >一

~ A

是"L"

1. I

1.8V装置（R / B）的改变。

-min 。价值： 7毫安-->3mA

-typ 。价值： 8毫安-->4mA

2.交流参数变化。

激进党（分钟）： 30ns的-->为25ns

3. WP引脚提供了硬件保障，并建议保留

在V

在上电期间最低和断电和恢复时间

1μs的是内部电路之前，需要准备好对任何命令

在图15所示的序列作为。

--- > WP引脚提供了硬件保障，并推荐为

保持在V

中电和断电和恢复时间

最低10微秒的内部电路之前，需要准备好对任何

命令序列如图15所示。

0.3

1. X16 TSOP1销被改变。

：＃ 36引脚从VCCQ改为N.C 。

1.在X16设备，坏块信息的位置是从256变

字节和256字节261th 。

2. TAR1 ， TAR2合并焦油。（第12页）

（修改前）分钟。 TAR1 = 20ns的，分钟。 TAR2 = 50ns的

（修订后）分钟。间tAR = 10ns的

三分钟。 TCLR从50ns的改变为10ns 。（第12页）

4分钟。 TREA从为35ns改为30ns的。（第12页）

5分钟。 TWC从50ns的改变为45nS 。（第12页）

6.独特的ID为版权保护提供

-The设备包括一个块大小的OTP （一次性可编程）

这可以用来提高系统的安全性，或提供

识别能力。详细信息可以通过获得

与三星联系。

7. tRHZ是分为tRHZ和TOH 。（第12页）

- tRHZ ： RE高到输出高阻

- TOH ： RE高到输出保持

8. tCHZ均分为下，tCHZ和TOH 。（第12页）

- 下，tCHZ ： CE高到输出高阻

- TOH ： CE高到输出保持

草案日期

五月。 2001年第15届

2001年9月20日

备注

ADVANCE

0.2

2001年11月5日

2002年2月15日

0.4

2002年4月15日

注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。

http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html

所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留权利

改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有

有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。

K9F5608U0B-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0

K9F5608Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F5608U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9F5608U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F5616Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F5616U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9F5616U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

FL灰内存

文档标题

32M ×8位， 16M x 16位NAND闪存

修订历史

修订历史号

0.5

1.添加卢比VS TR ， TF &卢比VS ibusy图的1.8V器件（第33页）

2.添加了数据保护的Vcc guidence为1.8V器件 - 低于约

1.1V 。（第34页）

最小。 VCC值1.8V器件被改变。

K9F56XXQ0B ： Vcc的1.65V 1.95V --> 1.70V 1.95V

无铅封装添加。

K9F5608U0B-FCB0,FIB0

K9F5608Q0B-HCB0,HIB0

K9F5616U0B-HCB0,HIB0

K9F5616U0B-PCB0,PIB0

K9F5616Q0B-HCB0,HIB0

K9F5608U0B-HCB0,HIB0

K9F5608U0B-PCB0,PIB0

无效的块的数目的新定义加入。

（最低

1004块有效的保证了每个连续的128Mb

存储器空间）。

的TBGA A3球引脚分配发生变化。

（前） N.C --> （后） Vss的

草案日期

十一月22.2002

备注

0.6

三月6.2003

0.7

三月第13 2003

0.8

2003年4月4日

0.9

五月。第24届2003

注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。

http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html

所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留权利

改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有

有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。

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K9F5608Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F5608U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9F5608U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F5616Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

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FL灰内存

32M ×8位/ 16M x 16位NAND闪存

产品列表

产品型号

K9F5608Q0B-D,H

K9F5616Q0B-D,H

K9F5608U0B-Y,P

K9F5608U0B-D,H

K9F5608U0B-V,F

K9F5616U0B-Y,P

K9F5616U0B-D,H

2.7 ~ 3.6V

X16

VCC范围

1.70 ~ 1.95V

组织

X16

TSOP1

TBGA

WSOP1

TSOP1

TBGA

PKG型

TBGA

特点

电源

- 1.8V器件（ K9F56XXQ0B ）： 1.70 1.95V

- 3.3V器件（ K9F56XXU0B ）： 2.7 3.6 V

组织

- 存储单元阵列

- X8设备（ K9F5608X0B ）：（ 32M + 1024K ）位×8位

- X16设备（ K9F5616X0B ）：（ 16M + 512K ）位x 16位

- 数据寄存器

- X8设备（ K9F5608X0B ）：（ 512 + 16 ）位x 8位

- X16装置（ K9F5616X0B ）：（ 256 + 8）位x16bit

自动编程和擦除

- 页编程

- X8设备（ K9F5608X0B ）：（ 512 + 16 ）字节

- X16设备（ K9F5616X0B ）：（ 256 + 8 ）字

- 块擦除：

- X8设备（ K9F5608X0B ）：（ 16K + 512 ）字节

- X16设备（ K9F5616X0B ）：（ 8K + 256 ）字

页面读取操作

- 页面大小

- X8设备（ K9F5608X0B ）：（ 512 + 16 ）字节

- X16设备（ K9F5616X0B ）：（ 256 + 8 ）字

- 随机存取

：为10μs （最大值）

- 串行页面访问：为50ns （最小值）

快速写周期时间

- 计划时间：为200μs （典型值）

- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。

命令/地址/数据多路复用I / O端口

硬件数据保护

- 编程/擦除锁定在电源转换

可靠的CMOS浮栅技术

- 耐力

： 100K编程/擦除周期

- 数据保存： 10年

命令寄存器操作

智能拷贝回

独特的ID为版权保护

包

- K9F56XXU0B - YCB0 / YIB0

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

- K9F56XXX0B - DCB0 / DIB0

63-球TBGA （ 9× 11 /0.8mm间距，宽度1.0毫米）

- K9F5608U0B - VCB0 / VIB0

48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）

- K9F56XXU0B - PCB0 / PIB0

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距） - 无铅封装

- K9F56XXX0B - HCB0 / HIB0

63-球TBGA （ 9× 11 /0.8mm间距，宽度1.0毫米）

- 无铅封装

- K9F5608U0B - FCB0 / FIB0

48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ） - 无铅封装

* K9F5608U0B - V，F （ WSOPI ）是相同的设备

K9F5608U0B -Y ， P（ TSOP1 ）除了封装类型。

概述

提供在32Mx8bit或16Mx16bit的K9F56XXX0B是256M位有空余8M比特的容量。该器件采用1.8V或3.3V

VCC。它的NAND单元提供了最具成本效益的解决方案，为固态大容量存储市场。程序操作即可

在典型为200μs执行的528个字节（X8设备）上，或264个字（ X16设备）页和擦除操作可在执行

在16K字节的典型2ms的（ X8设备）或8K字（ X16器件）模块。在页面的数据可以在每个字50ns的周期时间被读出。

在I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。片上写控制全部实现自动化

编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和数据的裕度。即使是

写密集型系统可以采取K9F56XXX0B的扩展的100K计划的可靠性优势/提供擦除周期

ECC （纠错码）与实时映射出的算法。

该K9F56XXX0B为大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他便携的最佳解决方案

应用程序需要非易失性。

K9F5608U0B-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0

K9F5608Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F5608U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9F5608U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F5616Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F5616U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9F5616U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

FL灰内存

引脚配置（ TSOP1 ）

K9F56XXU0B-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0

X16

N.C

GND

R / B

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

GND

R / B

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

N.C

VCC

VSS

N.C

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

N.C

X16

VSS

I/O15

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

N.C

VCC

N.C

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

VSS

包装尺寸

48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）

48 - TSOP1 - 1220F

单位：毫米/英寸

0.10

最大

0.004

#48

( 0.25 )

0.010

12.40

0.488 MAX

0.50

0.0197

#24

#25

1.00

±0.05

0.039

±0.002

0.25

0.010 TYP

18.40

±0.10

0.724

±0.004

+0.075

20.00

±0.20

0.787

±0.008

0.008

-0.001

+0.07

+0.003

0.20

-0.03

12.00

0.472

0.05

0.002 MIN

0.125

0.035

0~8

0.45~0.75

0.018~0.030

( 0.50 )

0.020

0.005

-0.001

+0.003

1.20

0.047MAX

K9F5608U0B-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0

K9F5608Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F5608U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9F5608U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F5616Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F5616U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9F5616U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

FL灰内存

引脚配置（ TBGA ）

DNU DNU

DNU

/ WP

VSS

ALE

/ RE

I/O0

I/O1

I/O2

VSS

/ CE

/ WE

R / B

VCC

I/O7

VSS

K9F56XXX0B-DCB0,HCB0/DIB0,HIB0

X16

DNU DNU

DNU

/ WP

ALE

/ RE

VSS

/ CE

/ WE

I/O7

R / B

VCC

DNU DNU

CLE NC

I/O5

I / O8 I / O1 I / O10 I / O12 IO14

I/O0

VSS

VCCQ I / O5

I/O6

I / O9 I / O3 VCCQ I / O6 I / O15

I / O2 I / O11 I / O4 I / O13 Vss的

I / O3 I / O4

DNU DNU

（ TOP VIEW ）

包装尺寸

63球TBGA （以毫米计）

顶视图

底部视图

9.00

±0.10

0.80 x9= 7.20

0.80 x5= 4.00

9.00

±0.10

（ DATUM A）

0.80

#A1

0.80 x7= 5.60

2.00

0.32

±0.05

0.45

±0.05

0.90

±0.10

（ DATUM B）

0.80

2.80

0.80 x11= 8.80

11.00

±0.10

63-0.45

±0.05

0.20

A B

SIDE VIEW

9.00

±0.10

0.08MAX

11.00

±0.10