【K9F5608U0A-YCB0,K9F5608U0A-YIB0文档标题32M ×8位NAND闪存FL】,IC型号K9F5608U0A-YIB0,K9F5608U0A-YIB0 PDF资料,K9F5608U0A-YIB0经销商,ic,电子元器件-51电子网

K9F5608U0A-YCB0,K9F5608U0A-YIB0

文档标题

32M ×8位NAND闪存

FL灰内存

修订历史

修订历史号

0.0

首次发行。

草案日期

2000年7月17日

备注

先进

信息

初步

0.1

1.支持复制回收计划

- 将拷贝回程序被配置为快速有效地重写

存储在一个页的数据阵列中的另一页中的

相同的数组，而无需使用外部存储器。由于时间-CON

花费许多sequently读取和对其重新加载循环被除去，则

系统性能得到提高。这样做的好处是特别明显

当一个块的一部分被更新，以使得该块的其余部分也

需要被复制到新分配的空闲块。

2000年10月4日

0.2

二〇〇〇年十一月二十日

1.解释如何指针操作的工作细节。

2.对于部分页编程到复制的页面

- 一旦复制回程序完成，任何额外的部分页面

规划到复制的页面擦除之前是禁止的。

3.更名为GND输入（引脚＃ 6 ）代的SE （引脚＃ 6 ）

- 该SE的输入控制所述备用区的访问。当SE是高的，

备用区不进行读取或编程访问。 SE是REC

ommended要被连接到GND或Vcc和不应该进行切换

在读取或编程。

= >连接该输入引脚连接到GND或设置为静态低状态，除非

连续读取模式不包括备用区使用。

4.更新tRST时间计时操作

- 如果复位指令（ FFH ）写在就绪状态下，器件进入

繁忙的最大5us的。

1.此外，说明我们在引脚功能说明

- 在我们必须保持高电平时输出被激活。

1.Powerup序列添加

：内部电路得到之前需要1μs的最小恢复时间

准备好所有的命令序列

~ 2.5V

初步

0.3

2001年3月2日

0.4

2001年7月22日

≈

~ 2.5V

高

2.交流参数TCLR （ CLE到RE延迟，最小为50ns ）加入。

3. AC参数TAR1值： 100ns的-->为20ns

注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。

http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html

所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留权利

改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有

有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。

≈

K9F5608U0A-YCB0,K9F5608U0A-YIB0

32M ×8位NAND闪存

特点

电源电压： 2.7V 3.6V

组织

- 存储单元阵列：（ 32M + 1024K ）位x 8位

- 数据寄存器：（ 512 + 16 ）位x8bit

自动编程和擦除

- 页编程：（ 512 + 16 ）字节

- 块擦除：（ 16K + 512 ）字节

528字节页读操作

- 随机存取： 10μs的（最大）

- 串行页面访问：为50ns （最小值）

快速写周期时间

- 计划时间：为200μs （典型值）

- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。

命令/地址/数据多路复用I / O端口

硬件数据保护

- 编程/擦除锁定在电源转换

可靠的CMOS浮栅技术

- 耐力： 100K编程/擦除周期

- 数据保存： 10年

命令寄存器操作

智能拷贝回

包装：

- K9F5608U0A - YCB0 / YIB0 ：

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

FL灰内存

概述

该K9F5608U0A是32M （ 33554432 ） x8bit NAND闪存

内存备用1,024K （ 1,048,576 ） x8bit 。它的NAND单元

提供了用于将固态的最具成本效益的解决方案

海量存储市场。程序运行程序528-

字节页典型为200ps和擦除操作可以per-

形成了一个16K字节的块典型2ms的。在页数据

可在每字节50ns的周期时间被读出。在I / O引脚发球

作为用于地址和数据输入/输出端口以及的COM

命令的输入。芯片上的写控制器自动完成所有亲

克和擦除功能，包括脉冲重复，在那里

要求和内部验证和数据的裕度。连

写密集型系统可以利用的

K9F5608U0A的扩展的100K计划的可靠性/擦除

周期提供ECC （纠错码）与实时

映射出的算法。

该K9F5608U0A - YCB0 / YIB0是大型的最佳解决方案

非易失性存储器的应用，如固态的文件存储

和其他便携式应用需要非易失性。

引脚配置

K9F5608U0A-YCB0/YIB0

N.C

GND

R / B

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

N.C

VCC

VSS

N.C

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

N.C

引脚说明

引脚名称

I / O

- I / O

CLE

ALE

GND

R / B

N.C

引脚功能

数据输入/输出

命令锁存使能

地址锁存使能

芯片使能

读使能

写使能

写保护

GND输入启用备用区

READY / BUSY输出

动力

地

无连接

记

：将所有V

和V

每个设备共用电源输出的引脚。

不要让V

或V

断开。

K9F5608U0A-YCB0,K9F5608U0A-YIB0

图1.功能框图

- A

X -缓冲器

锁存器

&解码器

Y型缓冲器

锁存器

&解码器

FL灰内存

256M + 8M位

NAND闪存

ARRAY

- A

（ 512 + 16 ）字节x 65536

页寄存器& S / A

命令

Y型GATING

I / O缓冲器&锁存器

I/0 0

I/0 7

控制逻辑

&高压

发电机

全球缓冲区

产量

司机

CLE ALE WP

图2.阵列组织

1块= 32页

= （ 16K + 512 ）字节

64K网页

（ = 2048块）

上半场页寄存器

（ = 256字节）

下半场页寄存器

（ = 256字节）

第1页= 528字节

1块= 528字节×32页

= （ 16K + 512 ）字节

1设备= 528Bytes X 32Pages ×2048块

= 264兆位

8位

16字节

512Byte

页寄存器

512字节

I / O 0

第一个周期

第二个周期

第三轮

I / O 1

I / O 2

16字节

I / O 3

I / O 0 I / O 7

I / O 4

I / O 5

I / O 6

I / O 7

列地址

行地址

（页面地址）

记

：列地址：启动注册的地址。

00H命令（读）：定义寄存器上半年的起始地址。

01H命令（读）：定义寄存器下半年的起始地址。

* A

由00H或01H命令设置为"Low"或"High" 。

*该设备将忽略地址周期比reguired任何额外的投入。

K9F5608U0A-YCB0,K9F5608U0A-YIB0

产品介绍

FL灰内存

该K9F5608U0A是由528列组织为65,536行（页）一个264Mbit （ 276824064位）内存。备用16列

位于从列地址为512 527阿528字节的数据寄存器连接到存储器单元阵列容纳数据

在页面读取和页编程操作的I / O缓冲区和内存之间的传输。存储器阵列由16的

该串联连接的电池单元以形成NAND结构。每16个单元的驻留在不同的页面。一个块由32对

由两个NAND结构形成页，共16个单元的8448 NAND结构。阵列组织示于图2中。

程序和读操作都在一个页面基础上执行的，而擦除操作以块为基础执行。内存

阵列由2048个独立可擦除16K字节的块。它表明，逐位擦除操作被禁止的

K9F5608U0A.

该K9F5608U0A已地址复用为8个I / O的。该方案极大地减少引脚数量，并允许系统升级

通过保持系统电路板设计的一致性未来密度。命令，地址和数据都通过I / O的书面

使我们低，而CE为低。数据锁定在WE的上升沿。命令锁存使能（ CLE）和地址锁存

启用（ALE ）用于复用分别的命令和地址，通过I / O引脚。所有命令都需要一个总线周期除外

为块擦除命令，它需要两个周期：块地址后一个周期的擦除设置，另一个用于擦除，执行

装载。在32M字节的物理空间需要25个地址，因此需要三个周期的字节级寻址：列

地址，低行地址和高的行地址，按照该顺序。页面读取和页编程所需要的相同的三个地址周期跟着

哞哞叫所需的指令输入。在块擦除操作中，但是，仅在两个行地址周期被使用。设备操作

通过写入特定的命令到命令寄存器中被选择。表1定义了K9F5608U0A的特定命令。

表1.命令集

功能

阅读1

阅读2

读取ID

RESET

页编程

复制回收计划

块擦除

阅读状态

1日。周期

00h/01h

(1)

50h

(2)

90h

FFH

80h

00h

60h

70h

第2位。周期

10h

8Ah

D0h

在繁忙接受命令

记

1. 00H命令定义启动寄存器上半年的地址。

该01H命令定义启动寄存器下半年的地址。

之后，由01H命令对寄存器的下半年数据存取，状态指针

自动移动到下一个周期的前半寄存器（ 00H ）。

2. 50H命令只在GND输入端（引脚＃ 6 ）为低电平。

小心

：任何未定义的命令输入被禁止的，除了表1中的上述命令集。

K9F5608U0A-YCB0,K9F5608U0A-YIB0

引脚说明

命令锁存使能（ CLE ）

FL灰内存

在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效，命令锁存

入命令寄存器通过上WE信号的上升沿，在I / O端口。

地址锁存使能（ ALE ）

在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址被锁存的上升沿

我们与ALE高。

芯片使能（ CE ）

行政长官输入设备选择控制。当CE变高的读出操作期间，设备将返回到待机模式。

然而，当设备处于忙状态期间的编程或擦除，CE高将被忽略，并且所述设备没有返回到

待机模式。

写使能（ WE）

在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存，在WE脉冲的上升沿。

在我们必须保持高电平时输出被激活。

读使能（ RE ）

对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是下降沿后有效TREA

RE的这也加一内部列地址计数器。

GND （引脚＃ 6 ）

连接该输入引脚连接到GND或设置为静态低状态，除非连续读取模式不包括备用区使用。

I / O端口： I / O 0 I / O 7

在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I / O引脚浮到高阻

当芯片被释放或当输出被禁止。

写保护（ WP ）

WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内置高压发生器复位时，

WP引脚为低电平有效。

就绪/忙（ R / B）

中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或随机读操作是

在过程中和完成后返回高电平状态。这是一个开漏输出，不浮到高阻状态时，芯片

被取消或输出被禁止。