【电子三月。 2003圣16半月里泰安邑Hwasung-市京畿待办事项，韩国联系电话）， 82 - 3】,IC型号K9F1208Q0A-XXB0,K9F1208Q0A-XXB0 PDF资料,K9F1208Q0A-XXB0经销商,ic,电子元器件-51电子网

电子

三月。 2003

圣16半月里

泰安邑Hwasung-市

京畿待办事项，韩国

联系电话）， 82 - 31 - 208 - 6463

传真） 82 - 31 -208 - 6799

512MB / 256MB 1.8V NAND闪存勘误表

说明：有些交流特性不符合规范

>交流特性：请参考表

受影响的产品： K9F1208Q0A - XXB0 ， K9F1216Q0A ， XXB0

K9F5608Q0C - XXB0 ， K9F5616Q0C ， XXB0

K9K1208Q0C - XXB0 ， K9K1216Q0C ， XXB0

改进计划：如果没有这个限制，这些部件将

可从工作周23或之后。

解决方法：根据上表放宽有关时序参数。

表

参数

规范

宽松的条件

TWC

亿千瓦时

TWP

TRC

tREH定义

激进党

单位： NS

TREA

TCEA

此致，

chwoosun@sec.samsung.com

产品规划&应用工程。

存储事业部

三星电子有限公司

K9F1208U0A-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0

K9F1208Q0A-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F1208U0A-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9F1208U0A-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F1216Q0A-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F1216U0A-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9F1216U0A-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

FL灰内存

文档标题

64M ×8位， 32M x 16位NAND闪存

修订历史

修订历史号

0.0

0.1

首次发行。

TBGA （ K9F12XXX0A - DCB0 / DIB0 ）大小的信息被改变。

（前） 9× 11 /0.8mm间距，宽度1.0毫米

（后）来决定。

TBGA （ K9F12XXX0A - DCB0 / DIB0 ）大小的信息被改变。

（前） 9× 11 /0.8mm间距，宽度1.0mm时，要

（后） 8.5 ×15 /0.8mm间距，宽度1.0毫米

草案日期

2002年4月25日

五月。 2002年第9

备注

初步

0.2

， 10日2002年7月

0.3

0.4

引脚编号包括TBGA虚拟球。（第5页）

引脚编号不包括TBGA虚拟球。（第5页）

的TBGA虚拟球引脚分配发生变化。

（前） DNU --> （后） N.C

1.添加卢比VS TR ， TF &卢比VS ibusy图的1.8V器件（第43页）

2.添加了数据保护的Vcc guidence为1.8V器件 - 低于约

1.1V 。（第44页）

最小。 VCC值1.8V器件被改变。

K9F12XXQ0A ： Vcc的1.65V 1.95V --> 1.70V 1.95V

无铅封装添加。

K9F1208U0A-FCB0,FIB0

K9F1208Q0A-HCB0,HIB0

K9F1216U0A-HCB0,HIB0

K9F1216U0A-PCB0,PIB0

K9F1216Q0A-HCB0,HIB0

K9F1208U0A-HCB0,HIB0

K9F1208U0A-PCB0,PIB0

勘误加入。（头版） -K9F12XXQ0A

TWC亿千瓦时TWP的tRC tREH的激进党TREA TCEA

规范

45 15 25 50 15 25 30

宽松的值60 20 40 60 20 40 40

无效的块的数目的新定义加入。

（最低

1004块有效的保证了每个连续的128Mb

存储器空间）。

八月， 2002年第10

月， 2002年21

0.5

， 2002年21月

0.6

2003年3月5日

0.7

三月第13 2003

0.8

2003年3月17日

0.9

2003年4月4日

注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。

http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html

所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留权利

改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有

有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。

K9F1208U0A-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0

K9F1208Q0A-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F1208U0A-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9F1208U0A-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F1216Q0A-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F1216U0A-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9F1216U0A-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

FL灰内存

64M ×8位/ 32M x 16位NAND闪存

产品列表

产品型号

K9F1208Q0A-D,H

K9F1216Q0A-D,H

K9F1208U0A-Y,P

K9F1208U0A-D,H

K9F1208U0A-V,F

K9F1216U0A-Y,P

K9F1216U0A-D,P

2.7 ~ 3.6V

X16

VCC范围

1.70 ~ 1.95V

组织

X16

TSOP1

TBGA

WSOP1

TSOP1

TBGA

PKG型

TBGA

特点

电源

- 1.8V器件（ K9F12XXQ0A ）： 1.70 1.95V

- 3.3V器件（ K9F12XXU0A ）： 2.7 3.6 V

组织

- 存储单元阵列

- X8设备（ K9F1208X0A ）：（ 64M + 2048K ）位×8位

- X16设备（ K9F1216X0A ）：（ 32M + 1024K ）位x 16位

- 数据寄存器

- X8设备（ K9F1208X0A ）：（ 512 + 16 ）位x 8位

- X16装置（ K9F1216X0A ）：（ 256 + 8）位x16bit

自动编程和擦除

- 页编程

- X8设备（ K9F1208X0A ）：（ 512 + 16 ）字节

- X16设备（ K9F1216X0A ）：（ 256 + 8 ）字

- 块擦除：

- X8设备（ K9F1208X0A ）：（ 16K + 512 ）字节

- X16设备（ K9F1216X0A ）：（ 8K + 256 ）字

页面读取操作

- 页面大小

- X8设备（ K9F1208X0A ）：（ 512 + 16 ）字节

- X16设备（ K9F1216X0A ）：（ 256 + 8 ）字

- 随机存取

： 12μs （最大值）。

- 串行页面访问：为50ns （最小值）

快速写周期时间

- 计划时间：为200μs （典型值）

- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。

命令/地址/数据多路复用I / O端口

硬件数据保护

- 编程/擦除锁定在电源转换

可靠的CMOS浮栅技术

- 耐力

： 100K编程/擦除周期

- 数据保存： 10年

命令寄存器操作

智能拷贝回

独特的ID为版权保护

包

- K9F12XXU0A - YCB0 / YIB0

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

- K9F12XXX0A - DCB0 / DIB0

63-球TBGA

- K9F1208U0A - VCB0 / VIB0

48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）

- K9F12XXU0A - PCB0 / PIB0

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距） - 无铅封装

- K9F12XXX0A - HCB0 / HIB0

63-球TBGA - 无铅封装

- K9F1208U0A - FCB0 / FIB0

48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ） - 无铅封装

* K9F1208U0A - V，F （ WSOPI ）是相同的设备

K9F1208U0A -Y ， P（ TSOP1 ）除了封装类型。

概述

提供在64Mx8bit或32Mx16bit的K9F12XXX0A为512M位有备用16M比特容量。该器件采用1.8V或3.3V

VCC。它的NAND单元提供了最具成本效益的解决方案，为固态大容量存储市场。程序操作即可

在典型为200μs执行的528个字节（X8设备）上，或264个字（ X16设备）页和擦除操作可在执行

在16K字节的典型2ms的（ X8设备）或8K字（ X16器件）模块。在页面的数据可以在每个字50ns的周期时间被读出。

在I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。片上写控制全部实现自动化

编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和数据的裕度。即使是

写密集型系统可以采取K9F12XXX0A的扩展的100K计划的可靠性优势/提供擦除周期

ECC （纠错码）与实时映射出的算法。

该K9F12XXX0A为大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他便携的最佳解决方案

应用程序需要非易失性。

K9F1208U0A-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0

K9F1208Q0A-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F1208U0A-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9F1208U0A-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F1216Q0A-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F1216U0A-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9F1216U0A-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

FL灰内存

引脚配置（ TSOP1 ）

K9F12XXU0A-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0

X16

N.C

R / B

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

R / B

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

N.C

VCC

VSS

N.C

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

N.C

X16

VSS

I/O15

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

N.C

VCC

N.C

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

VSS

包装尺寸

48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）

48 - TSOP1 - 1220F

单位：毫米/英寸

0.10

最大

0.004

#48

( 0.25 )

0.010

12.40

0.488 MAX

0.50

0.0197

#24

#25

1.00

±0.05

0.039

±0.002

0.25

0.010 TYP

18.40

±0.10

0.724

±0.004

+0.075

20.00

±0.20

0.787

±0.008

0.008

-0.001

+0.07

+0.003

0.20

-0.03

12.00

0.472

0.05

0.002 MIN

0.125

0.035

0~8

0.45~0.75

0.018~0.030

( 0.50 )

0.020

0.005

-0.001

+0.003

1.20

0.047MAX

K9F1208U0A-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0

K9F1208Q0A-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F1208U0A-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9F1208U0A-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F1216Q0A-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

K9F1216U0A-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9F1216U0A-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0

FL灰内存

引脚配置（ TBGA ）

K9F12XXX0A-DCB0,HCB0/DIB0,HIB0

N.C N.C

X16

N.C N.C

N.C

/ WP

ALE

/ RE

VSS

/ CE

/ WE

I/O7

R / B

VCC

N.C N.C

N.C

/ WP

ALE

/ RE

I/O0

I/O1

I/O2

VSS

/ CE

/ WE

R / B

CLE NC

I/O5

VCC

I/O7

VSS

I / O8 I / O1 I / O10 I / O12 IO14

VSS

VCCQ I / O5

I/O6

I / O3 I / O4

I/O0

I / O9 I / O3 VCCQ I / O6 I / O15

I / O2 I / O11 I / O4 I / O13 Vss的

VSS

N.C N.C

顶视图