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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第103页 > K9F1208D0B-D
K9F1208Q0B
K9F1208D0B
K9F1208U0B
ADVANCE
FL灰内存
文档标题
64M ×8位NAND闪存
修订历史
修订历史号
0.0
首次发行。
草案日期
2004年4月24日
备注
ADVANCE
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
s
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
1
K9F1208Q0B
K9F1208D0B
K9F1208U0B
ADVANCE
FL灰内存
64M ×8位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9F1208Q0B-D,H
K9F1208D0B-Y,P
K9F1208D0B-D,H
K9F1208U0B-Y,P
K9F1208U0B-D,H
K9F1208U0B-V,F
2.7 ~ 3.6V
VCC范围
1.70 ~ 1.95V
2.4 ~ 2.9V
PKG型
FBGA
TSOP1
FBGA
TSOP1
FBGA
WSOP1
特点
电源
- 1.8V器件（ K9F1208Q0B ） ： 1.70 1.95V
- 2.65V设备（ K9F1208D0B ） ： 2.4 2.9V
- 3.3V器件（ K9F1208U0B ） ： 2.7 3.6 V
组织
- 存储单元阵列： （ 64M + 2048K ）位×8位
- 数据寄存器： （ 512 + 16 ）位x 8位
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除： （ 16K + 512 ）字节
页面读取操作
- 页面尺寸： （ 512 + 16 ）字节
- 随机存取
：为15μs （最大值）
- 串行页面访问：为50ns （最小值）
快速写周期时间
- 计划时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力
： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
智能拷贝回
独特的ID为版权保护
包
- K9F1208X0B - YCB0 / YIB0
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）
- K9F1208X0B - GCB0 / GIB0
63-球的FBGA （8.5 ×13 ，1.0毫米宽）
- K9F1208U0B - VCB0 / VIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）
- K9F1208X0B - PCB0 / PIB0
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距） - 无铅封装
- K9F1208X0B - JCB0 / JIB0
63-球FBGA - 无铅封装
- K9F1208U0B - FCB0 / FIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ） - 无铅封装
* K9F1208U0B - V，F （ WSOPI ）是相同的设备
K9F1208U0B -Y ， P（ TSOP1 ）除了封装类型。
概述
所提供的64Mx8bit的K9F1208X0B是512M位有空余16M比特容量。该器件在1.8V ， 2.65V ， 3.3V的Vcc提供。其
NAND单元提供了最具成本效益的解决方案，为固态大容量存储市场。一种程序，就可以执行操作
在528字节页和擦除操作典型为200ps可在16K字节的块典型2ms的执行。在页数据
可在每字节50ns的周期时间被读出。在I / O引脚作为地址和数据输入/输出端口以及命令
输入。片上写控制自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部
验证和数据的裕度。即使是写密集型系统可以采取K9F1208X0B的扩展可靠性的优势
100K计划/提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法擦除周期。该K9F1208X0B是
对于大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他要求的便携式应用的最佳解决方案
非易失性。
2
K9F1208Q0B
K9F1208D0B
K9F1208U0B
引脚配置（ TSOP1 ）
K9F1208U0B-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
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48
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31
30
29
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25
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
ADVANCE
FL灰内存
包装尺寸
48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）
48 - TSOP1 - 1220F
单位：毫米/英寸
0.10
最大
0.004
#48
( 0.25 )
0.010
12.40
0.488 MAX
#24
#25
1.00
±0.05
0.039
±0.002
0.25
0.010 TYP
18.40
±0.10
0.724
±0.004
+0.075
20.00
±0.20
0.787
±0.008
0.20
-0.03
+0.07
#1
0.008
-0.001
0.16
-0.03
+0.07
+0.003
0.50
0.0197
12.00
0.472
0.05
0.002 MIN
0.125
0.035
0~8°
0.45~0.75
0.018~0.030
( 0.50 )
0.020
3
0.005
-0.001
+0.003
1.20
0.047MAX
K9F1208Q0B
K9F1208D0B
K9F1208U0B
引脚配置（ FBGA ）
K9F1208X0B-DCB0,HCB0/DIB0,HIB0
1
N.C N.C
ADVANCE
FL灰内存
2
3
4
5
6
N.C N.C
N.C N.C
A
B
N.C
/ WP
NC
ALE
/ RE
NC
NC
NC
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
CLE
NC
NC
NC
NC
NC
/ CE
NC
NC
NC
NC
NC
/ WE
NC
NC
NC
NC
NC
R / B
NC
NC
NC
NC
VCC
I/O7
VSS
C
NC
D
NC
E
NC
F
NC
G
H
NC
VSS
VCCQ I / O5
I/O6
I / O3 I / O4
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
顶视图
4
包装尺寸
63球FBGA （以毫米计）
FL灰内存
顶视图
底部视图
＃ A1 INDEX MARK （可选）
8.50
±0.10
6
8.50
±0.10
0.80 x 9= 7.20
0.80 x 5= 4.00
0.80
5 4 3 2
A
1
B
#A1
（ DATUM A）
A
B
0.80 x 11= 8.80
0.80 x 7= 5.60
2.00
0.35
±0.05
0.45
±0.05
0.90
±0.10
（ DATUM B）
C
D
E
0.80
13.00
±0.10
2.80
F
G
H
63-0.45
±0.05
0.20
M
A B
SIDE VIEW
13.00
±0.10
0.10MAX
5
13.00
±0.10
K9F1208Q0B
K9F1208D0B
K9F1208U0B
ADVANCE
FL灰内存
文档标题
64M ×8位NAND闪存
修订历史
修订历史号
0.0
首次发行。
草案日期
2004年4月24日
备注
ADVANCE
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
s
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
1
K9F1208Q0B
K9F1208D0B
K9F1208U0B
ADVANCE
FL灰内存
64M ×8位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9F1208Q0B-D,H
K9F1208D0B-Y,P
K9F1208D0B-D,H
K9F1208U0B-Y,P
K9F1208U0B-D,H
K9F1208U0B-V,F
2.7 ~ 3.6V
VCC范围
1.70 ~ 1.95V
2.4 ~ 2.9V
PKG型
FBGA
TSOP1
FBGA
TSOP1
FBGA
WSOP1
特点
电源
- 1.8V器件（ K9F1208Q0B ） ： 1.70 1.95V
- 2.65V设备（ K9F1208D0B ） ： 2.4 2.9V
- 3.3V器件（ K9F1208U0B ） ： 2.7 3.6 V
组织
- 存储单元阵列： （ 64M + 2048K ）位×8位
- 数据寄存器： （ 512 + 16 ）位x 8位
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除： （ 16K + 512 ）字节
页面读取操作
- 页面尺寸： （ 512 + 16 ）字节
- 随机存取
：为15μs （最大值）
- 串行页面访问：为50ns （最小值）
快速写周期时间
- 计划时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力
： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
智能拷贝回
独特的ID为版权保护
包
- K9F1208X0B - YCB0 / YIB0
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）
- K9F1208X0B - GCB0 / GIB0
63-球的FBGA （8.5 ×13 ，1.0毫米宽）
- K9F1208U0B - VCB0 / VIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）
- K9F1208X0B - PCB0 / PIB0
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距） - 无铅封装
- K9F1208X0B - JCB0 / JIB0
63-球FBGA - 无铅封装
- K9F1208U0B - FCB0 / FIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ） - 无铅封装
* K9F1208U0B - V，F （ WSOPI ）是相同的设备
K9F1208U0B -Y ， P（ TSOP1 ）除了封装类型。
概述
所提供的64Mx8bit的K9F1208X0B是512M位有空余16M比特容量。该器件在1.8V ， 2.65V ， 3.3V的Vcc提供。其
NAND单元提供了最具成本效益的解决方案，为固态大容量存储市场。一种程序，就可以执行操作
在528字节页和擦除操作典型为200ps可在16K字节的块典型2ms的执行。在页数据
可在每字节50ns的周期时间被读出。在I / O引脚作为地址和数据输入/输出端口以及命令
输入。片上写控制自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部
验证和数据的裕度。即使是写密集型系统可以采取K9F1208X0B的扩展可靠性的优势
100K计划/提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法擦除周期。该K9F1208X0B是
对于大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他要求的便携式应用的最佳解决方案
非易失性。
2
K9F1208Q0B
K9F1208D0B
K9F1208U0B
引脚配置（ TSOP1 ）
K9F1208U0B-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
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N.C
N.C
1
2
3
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6
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12
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47
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34
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N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
ADVANCE
FL灰内存
包装尺寸
48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）
48 - TSOP1 - 1220F
单位：毫米/英寸
0.10
最大
0.004
#48
( 0.25 )
0.010
12.40
0.488 MAX
#24
#25
1.00
±0.05
0.039
±0.002
0.25
0.010 TYP
18.40
±0.10
0.724
±0.004
+0.075
20.00
±0.20
0.787
±0.008
0.20
-0.03
+0.07
#1
0.008
-0.001
0.16
-0.03
+0.07
+0.003
0.50
0.0197
12.00
0.472
0.05
0.002 MIN
0.125
0.035
0~8°
0.45~0.75
0.018~0.030
( 0.50 )
0.020
3
0.005
-0.001
+0.003
1.20
0.047MAX
K9F1208Q0B
K9F1208D0B
K9F1208U0B
引脚配置（ FBGA ）
K9F1208X0B-DCB0,HCB0/DIB0,HIB0
1
N.C N.C
ADVANCE
FL灰内存
2
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N.C N.C
N.C N.C
A
B
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/ WP
NC
ALE
/ RE
NC
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NC
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
CLE
NC
NC
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NC
/ CE
NC
NC
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NC
/ WE
NC
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NC
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NC
R / B
NC
NC
NC
NC
VCC
I/O7
VSS
C
NC
D
NC
E
NC
F
NC
G
H
NC
VSS
VCCQ I / O5
I/O6
I / O3 I / O4
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
顶视图
4
包装尺寸
63球FBGA （以毫米计）
FL灰内存
顶视图
底部视图
＃ A1 INDEX MARK （可选）
8.50
±0.10
6
8.50
±0.10
0.80 x 9= 7.20
0.80 x 5= 4.00
0.80
5 4 3 2
A
1
B
#A1
（ DATUM A）
A
B
0.80 x 11= 8.80
0.80 x 7= 5.60
2.00
0.35
±0.05
0.45
±0.05
0.90
±0.10
（ DATUM B）
C
D
E
0.80
13.00
±0.10
2.80
F
G
H
63-0.45
±0.05
0.20
M
A B
SIDE VIEW
13.00
±0.10
0.10MAX
5
13.00
±0.10
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K24C080-SCTG-S
KSS03J
KM4212IM8
K6R1008C1D-J(T)C(I)10
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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