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K8S6415ET(B)B
FL灰内存
文档标题
64M位( 4M ×16)多路复用连拍,多行NOR闪存
修订历史
修订历史号
0.0
1.0
创刊号
草案日期
二零零四年十月二十日
备注
调整
2005年3月22日
- 规范定稿
- 添加人间词程序操作的要求及注意事项
底部引导块说明添加
一月09,2006
1.1
1
修订版1.1
2006年1月,
K8S6415ET(B)B
特点
单电压, 1.7V至1.95V的读取和写入操作
组织
- 4,194,304 ×16位(字模式)
复用的数据和地址的减少互连
- A / DQ0 A / DQ15
阅读虽然编程/擦除操作
多个银行架构
- 16银行( 4MB分区)
OTP模块:额外256字节的块
读取时间( @
L
=30pF)
- 异步随机存取时间:
为90ns ( 54MHz的) / 80ns的( 66MHz的)
- 同步随机存取时间:
88.5ns ( 54MHz的) /为70ns ( 66MHz的)
- 突发访问时间:
14.5ns ( 54MHz的) / 11ns的( 66MHz的)
突发长度:
- 连续线性爆
- 线性突发: 8字& 16字与无包装&裹
座建筑
- 八4Kword块和一百元27
32Kword块
- 银行0包含8个4 K字块和7 32Kword
- 银行1 15行包含120 32Kword块
用V减少编程时间
PP
支持单&四字加快程序
功耗(典型值,C
L
=30pF)
- 突发存取电流: 30毫安
- 编程/擦除电流: 15毫安
- 读虽然编程/擦除电流: 40毫安
- 待机模式/自动睡眠模式: 15uA
块保护/ unprotection的
- 使用软件命令序列
- 最后两个引导块由WP = V保护
IL
- 所有的块都被V保护
PP
=V
IL
握手功能
- 提供主机系统通过监视最小的延迟
RDY
擦除挂起/恢复
计划暂停/恢复
解锁绕道程序/擦除
硬件复位( RESET )
数据轮询和切换位
- 提供了检测程序的状态的软件的方法
或擦除完成
耐力
100K编程/擦除周期最短
数据保存期:10年
扩展温度: -25 ° C 85°C
支持常见的闪存接口
低Vcc的写保护
包装: 44 - 球FBGA类型, 7.5x8.5mm
0.5毫米球间距
1.0毫米(最大)厚度
FL灰内存
64M位( 4M ×16)多路复用连拍,多行NOR闪存
概述
该K8S6415E具有1.8V单电源供电是64Mbit的
突发多路复用多银行快闪记忆体组织为4Mbx16 。
所述装置的存储器体系结构被设计来划分其
存储阵列到135块,独立硬件亲
保护。该模块结构提供高度灵活的擦除
和程序的能力。该K8S6415E NOR闪存组成
16银行。这个设备能够从一个读数据
而银行在其他银行的编程或擦除。
对于读访问时, K8S6415E提供14.5ns
突发存取时间和54MHz的一个初始为90ns存取时间。在
为66MHz ,则K8S6415E提供一个11ns的脉冲串存取时间和
70ns的初始接入时间。该设备执行的程序操作
灰在单16位(字)和擦除操作的单位
以块为单位。单个或多个块可以被擦除。该
块擦除操作通常是0.7秒内完成。该
设备需要15毫安的编程/擦除电流在
扩展级温度范围。
该K8S6415E NOR闪存是使用采样为创建
宋的先进CMOS工艺技术。该装置是
采用44球FBGA封装。
引脚说明
引脚名称
A16 - A21
引脚功能
地址输入
A / DQ0 - A / DQ15复用的地址/数据输入/输出
CE
OE
RESET
V
PP
WE
WP
CLK
RDY
AVD
VCC
V
SS
芯片使能
OUTPUT ENABLE
硬件复位引脚
加快编程
写使能
硬件写保护输入
时钟
准备就绪输出
地址有效输入
电源
三星电子有限公司
保留更改产品规格,恕不另行通知。
2
修订版1.1
2006年1月,
K8S6415ET(B)B
44球FBGA俯视图(球下来)
FL灰内存
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
A
RDY
A21
V
SS
CLK
V
CC
WE
V
PP
A19
A17
NC
B
V
CC
A16
A20
AVD
NC
RESET
WP
A18
CE
V
SS
C
V
SS
A/DQ7
A/DQ6
A/DQ13
A/DQ12
A/DQ3
A/DQ2
A/DQ9
A/DQ8
OE
D
A/DQ15
A/DQ14
V
SS
A/DQ5
A/DQ4
A/DQ11
A/DQ10
V
CC
A/DQ1
A/DQ0
功能框图
BANK 0
地址
VCC
VSS
VPP
CLK
CE
OE
WE
WP
RESET
RDY
AVD
I / O
接口
&放大器;
银行
控制
银行1
地址
X
DEC
BANK 0
电池阵列
十二月
LATCH &
控制
十二月
X
DEC
银行1
电池阵列
LATCH &
控制
15银行
地址
X
DEC
15银行
电池阵列
十二月
A16~A21
A/DQ0~
A/DQ15
抹去
控制
INFORM
节目
控制
LATCH &
控制
电压
将军
3
修订版1.1
2006年1月,
K8S6415ET(B)B
订购信息
FL灰内存
K 8第64条1 [5] E T B - D E 7C
三星
NOR闪存
设备类型
复突发
存取时间
请参考表1
工作温度范围
C =商用温度。 ( 0
°C
70
°C)
E =扩展级温度。 ( -25
°C
85
°C)
F: FBGA
D: FBGA (无铅)
VERSION
第三代
座建筑
T为顶引导块,
B =底部引导块,
密度
64Mbits
组织
X16组织
工作电压范围
1.7 V至1.95V
表1.产品线
K8S6415E
同步/连拍
速度选项
马克斯。初始访问时间(t
IAA ,
NS )
V
CC
= 1.7V - 1.95V最大。突发存取时间(t
BA ,
NS )
马克斯。 OE访问时间(t
OE ,
NS )
7B
(54MHz)
88.5
14.5
20
7C
(66MHz)
70
11
20
异步
速度选项
最大存取时间(t
AA,
NS )
最大CE访问时间(t
CE,
NS )
最大OE访问时间(t
OE ,
NS )
7B
7C
( 54MHz的) ( 66MHz的)
90
90
20
80
80
20
表2. K8S6415E设备BANK区划
BANK 0
4兆位
块大小
八4Kwords ,
七32k字
60兆位
银行1 15行
块大小
ONE HUNDRED
20 32k字
4
修订版1.1
2006年1月,
K8S6415ET(B)B
表3块地址表
银行
BA134
BA133
BA132
BA131
BA130
BA129
BA128
Bank0
BA127
BA126
BA125
BA124
BA123
BA122
BA121
BA120
BA119
BA118
BA117
Bank1
BA116
BA115
BA114
BA113
BA112
BA111
BA110
BA109
Bank2
BA108
BA107
BA106
BA105
BA104
BA103
BA102
BA101
Bank3
BA100
BA99
BA98
BA97
BA96
BA95
BA94
BA93
Bank4
BA92
BA91
BA90
BA89
BA88
BLOCK SIZE
4 K字
4 K字
4 K字
4 K字
4 K字
4 K字
4 K字
4 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
FL灰内存
( X16 )地址范围
3FF000h-3FFFFFh
3FE000h-3FEFFFh
3FD000h-3FDFFFh
3FC000h-3FCFFFh
3FB000h-3FBFFFh
3FA000h-3FAFFFh
3F9000h-3F9FFFh
3F8000h-3F8FFFh
3F0000h-3F7FFFh
3E8000h-3EFFFFh
3E0000h-3E7FFFh
3D8000h-3DFFFFh
3D0000h-3D7FFFh
3C8000h-3CFFFFh
3C0000h-3C7FFFh
3B8000h-3BFFFFh
3B0000h-3B7FFFh
3A8000h-3AFFFFh
3A0000h-3A7FFFh
398000h-39FFFFh
390000h-397FFFh
388000h-38FFFFh
380000h-387FFFh
378000h-37FFFFh
370000h-377FFFh
368000h-36FFFFh
360000h-367FFFh
358000h-35FFFFh
350000h-357FFFh
348000h-34FFFFh
340000h-347FFFh
338000h-33FFFFh
330000h-337FFFh
328000h-32FFFFh
320000h-327FFFh
318000h-31FFFFh
310000h-317FFFh
308000h-30FFFFh
300000h-307FFFh
2F8000h-2FFFFFh
2F0000h-2F7FFFh
2E8000h-2EFFFFh
2E0000h-2E7FFFh
2D8000h-2DFFFFh
2D0000h-2D7FFFh
2C8000h-2CFFFFh
2C0000h-2C7FFFh
5
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2006年1月,
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    -
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