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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第229页 > K817P7
K817P / K827PH / K847PH
威世半导体
光电耦合器,光电晶体管输出
特点
Endstackable至2.54毫米( 0.1" )间距
DC隔离测试电压V
ISO
= 5000 V
RMS
典型的0.3 pF的低耦合电容
电流传输比
( CTR ),选入组
CTR的低温度系数
环境温度范围宽
提供单,双和四通道封装
年龄
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
C
E
机构认证
UL1577 ,文件号E76222系统代码U,双
保护
CSA 93751
17203_1
1
A
C
4针
8
16针
C
e3
Pb
无铅
应用
可编程逻辑控制器,调制解调器应答
机,一般的应用
订购信息
部分
K817P
K817P1
备注
CTR 50 - 600 % , DIP- 4
点击率40 % - 80% , DIP- 4
CTR 63 - 125 % , DIP- 4
CTR 100 - 200 % , DIP- 4
CTR 160 - 320 % , DIP- 4
CTR 50 - 150 % , DIP- 4
CTR 100 - 300 % , DIP- 4
CTR 80 - 160 % , DIP- 4
CTR 130 - 260 % , DIP- 4
CTR 200 - 400 % , DIP- 4
CTR 50 - 600 % , DIP- 8
CTR 50 - 600 % , DIP- 16
描述
在K817P / K827PH / K847PH部分每个通道
由一个光电晶体管的光耦合到GAL-的
在一个4针lium砷化物红外发光二极管(赎罪
GLE ) ; 8针(双) ; 16针(四)塑料双列直插式
封装。
的元件被安装在一个引线框架provid-
荷兰国际集团的输入和输出之间的固定距离为高
EST的安全要求。
K817P2
K817P3
K817P4
K817P5
K817P6
K817P7
K817P8
K817P9
K827PH
K847PH
文档编号83522
修订版1.7 , 10月26日04
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1
K817P / K827PH / K847PH
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
6
60
1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
交流隔离测试电压(有效值)
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
1)
测试条件
T = 1分
符号
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
1)
价值
5000
250
- 40至+ 100
- 55至+ 125
260
单位
V
RMS
mW
°C
°C
°C
2毫米的情况下,T
10 s
T
SLD
相关标准气候23/50 DIN 50014
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
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2
文档编号83522
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K817P / K827PH / K847PH
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
测试条件
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V,I
F
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
70
7
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时,我
C
= 1毫安
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
100
0.3
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V,I
F
= 5毫安
部分
K817P
K827PH
K847PH
V
CE
= 5 V,I
F
= 10毫安
K817P1
K817P2
K817P3
K817P4
V
CE
= 5 V,I
F
= 5毫安
K817P5
K817P6
K817P7
K817P8
K817P9
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
50
50
50
40
63
100
160
50
100
80
130
200
典型值。
最大
600
600
600
80
125
200
320
150
300
160
260
400
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83522
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3
K817P / K827PH / K847PH
威世半导体
开关特性
参数
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V,I
C
= 2毫安,R
L
= 100
(参见图1)
V
S
= 5 V,I
C
= 2毫安,R
L
= 100
(参见图1)
V
S
= 5 V,I
C
= 2毫安,R
L
= 100
(参见图1)
V
S
= 5 V,I
C
= 2毫安,R
L
= 100
(参见图1)
V
S
= 5 V,I
C
= 2毫安,R
L
= 100
(参见图1)
V
S
= 5 V,I
C
= 2毫安,R
L
= 100
(参见图1)
V
S
= 5 V,I
F
= 10毫安,R
L
= 1 k
(参见图2)
V
S
= 5 V,I
F
= 10毫安,R
L
= 1 k
(参见图2)
符号
t
d
t
r
t
f
t
s
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
典型值。
3.0
3.0
4.7
0.3
6.0
5.0
9.0
18.0
最大
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
I
F
0
I
F
I
F
+5V
I
C
= 2毫安;通过调整
输入幅度
96 11698
0
I
C
100%
90%
t
p
t
R
G
= 50
W
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
W
100
W
示波器
R
L
= 1兆瓦
C
L
= 20 pF的
10%
0
t
r
t
d
t
on
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
95 10804
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
图1.测试电路,非饱和运算
图3.开关时间
0
I
F
I
F
= 10毫安
+5V
I
C
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
1 k
示波器
R
L
1M
C
L
20 pF的
95 10843
图2.测试电路,饱和运算
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4
文档编号83522
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K817P / K827PH / K847PH
威世半导体
典型特性(环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编)
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流,
与开基( NA)
300
P
合计
- 总功率耗散( mW)的
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
V
CE
= 20 V
I
F
= 0
1000
150
红外二极管
100
50
0
0
40
80
120
100
10
1
0
95 11026
25
50
75
100
96 1
1700
T
AMB
- 环境牛逼
emperature ( ° C)
T
AMB
- 环境温度(
°
C )
图4.总功率耗散与环境温度
图7.集电极暗电流与环境温度
100
I
C
- 集电极电流(mA )
1000
I
F
- 正向电流(mA )
V
CE
=5V
10
100
10
1
1
0.1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.01
0.1
95 11027
1
10
100
V
F
- 正向电压( V)
I
F
- 正向电流(mA )
图5.正向电流与正向电压
图8.集电极电流与正向电流
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
I
C
- 集电极电流(mA )
100
V
CE
=5V
I
F
=5mA
20mA
I
F
=50mA
10
10mA
5mA
2mA
1mA
0.1
0.1
95 10985
1.5
1.0
1
0.5
0
–25
0
25
50
75
1
10
100
95 11025
T
AMB
- 环境温度( ° C)
V
CE
- 集电极发射极电压(V )
图6.相对电流传输比与环境
温度
图9.集电极电流与集电极发射极电压
文档编号83522
修订版1.7 , 10月26日04
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5
K817P / K827PH / K847PH
威世德律风根
光电耦合器与光电晶体管输出
描述
本K817P / K827PH / K847PH由一个光电的
晶体管光耦合到一个砷化镓
红外发光二极管在一个4引线高达16引线
塑料双列直插式封装。
的元件被安装在一个引线框架用
a
共面技术,
提供一个固定的距离
输入和输出,用于最高安全性之间
要求。
应用
可编程逻辑控制器,调制解调器应答
机,一般的应用
14925
特点
D
Endstackable至2.54毫米( 0.1 “ )间距
D
DC隔离测试电压V
IO
= 5千伏
D
典型的0.3 pF的低耦合电容
D
电流传输比
( CTR )选入
群体
科尔。
辐射源
D
CTR的低温度系数
D
环境温度范围宽
D
美国保险商实验室
( UL ) 1577认可,
文件编号E- 76222
阳极蛋白酶。
4针
8引脚
16针
D
CSA
( C- UL) 1577年承认,
文件编号E- 76222 - 双重保护
D
耦合系统U
C
订购说明
订购代码
K817P
K827PH
K847PH
K817P1
K817P2
K817P3
K817P4
K817P5
K817P6
K817P7
K827P8
K817P9
点击率排行
50至600%
50至600%
50至600%
4080%
63至125%
100200%
160 320 %
50 %至150%
为100300 %
80至160%
130至260%
200至400%
备注
4 PIN =单通道
8 PIN =双通道
16引脚=四通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
牧师A2 , 11 -JAN- 99
177
13929
K817P / K827PH / K847PH
威世德律风根
绝对最大额定值
INPUT (发射器)
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
价值
6
60
1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°
C
t
p
10
m
s
T
AMB
25
°
C
输出(检测器)
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
峰值集电极电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C
t
p
/T = 0.5, t
p
10毫秒
T
AMB
25
°
C
耦合器
参数
测试条件
交流隔离测试电压(有效值)T = 1分
总功耗
T
AMB
25
°
C
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米的情况下,T
10 s
1)
相关标准气候23/50 DIN 50014
符号
V
IO 1 )
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
5
250
-40至+100
-55到+125
260
单位
kV
mW
°
C
°
C
°
C
178
牧师A2 , 11 -JAN- 99
K817P / K827PH / K847PH
威世德律风根
电气特性
(T
AMB
= 25°C)
INPUT (发射器)
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
分钟。
典型值。
1.25
50
马克斯。
1.6
单位
V
pF
输出(检测器)
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
测试条件
I
C
= 100
m
A
I
E
= 100
m
A
V
CE
= 20 V,I
F
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
分钟。
70
7
典型值。
马克斯。
单位
V
V
nA
100
耦合器
参数
集电极发射极
饱和电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时,我
C
= 1毫安
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
W
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
分钟。
典型值。
马克斯。
0.3
单位
V
千赫
pF
100
0.3
电流传输比( CTR )
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V,I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 5毫安
TYPE
K817P
K827PH
K847PH
K817P1
K817P2
K817P3
K817P4
K817P5
K817P6
K817P7
K817P8
K817P9
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
0.5
0.5
0.5
0.4
0.63
1.0
1.6
0.5
1.0
0.8
1.3
2.0
典型值。
马克斯。
6.0
6.0
6.0
0.8
1.25
2.0
3.2
1.5
3.0
1.6
2.6
4.0
单位
牧师A2 , 11 -JAN- 99
179
K817P / K827PH / K847PH
威世德律风根
开关特性
参数
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V,I
C
= 2毫安,R
L
= 100
W
(
(参见图1)
g
)
符号
t
d
t
r
t
f
t
s
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
典型值。
3.0
3.0
4.7
0.3
6.0
5.0
9.0
18.0
单位
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
V
S
= 5 V,I
F
= 10毫安,R
L
= 1 k
W
(
(参见图2)
g
)
0
IF
IF
+5V
IC = 2毫安;通过调整
输入幅度
96 11698
RG = 50
W
tp
= 0.01
T
TP = 50
m
s
通道I
道II
示波器
RL = 1 M&
W
CL = 20 pF的
I
F
0
t
p
I
C
100%
90%
t
50
95 10804
W
100
W
图1.测试电路,非饱和运算
0
IF
R
G
= 50
W
t
p
0.01
T
t
p
= 50
m
s
I
F
= 10毫安
+5V
I
C
10%
0
t
r
t
d
t
on
t
s
t
关闭
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
t
f
t
+
通道I
50
W
95 10843
示波器
R
L
1 M
W
C
L
20 pF的
道II
1 k
W
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
图2.测试电路,饱和运算
图3.开关时间
180
牧师A2 , 11 -JAN- 99
K817P / K827PH / K847PH
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定)
300
P
合计
- 总功率耗散( mW)的
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
150
红外二极管
100
50
0
0
96 11700
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流,
与开基( NA)
V
CE
=20V
I
F
=0
1000
100
10
1
40
80
120
95 11026
0
25
50
75
100
图4.总功耗对比
环境温度
1000.0
I
C
- 集电极电流(mA )
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
图7.集电极暗电流与
环境温度
100
V
CE
=5V
10
I
F
- 正向电流(mA )
100.0
10.0
1
1.0
0.1
0.1
0
96 11862
0.01
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压( V)
95 11027
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流(mA )
图5.正向电流与正向电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
图8.集电极电流与正向电流
100
I
C
- 集电极电流(mA )
V
CE
=5V
I
F
=5mA
1.5
20mA
I
F
=50mA
10
10mA
5mA
2mA
1mA
0.1
1.0
1
0.5
0
–25
95 11025
0
25
50
75
95 10985
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
V
CE
- 集电极发射极电压(V )
图6.相对电流传输比主场迎战
环境温度
图9.集电极电流与集电极发射极电压
牧师A2 , 11 -JAN- 99
181
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