添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第248页 > K7P403622B-HC20
K7P403622B
K7P401822B
文档标题
128Kx36 & 256Kx18同步SRAM流水线
128Kx36 & 256Kx18 SRAM
修订历史
版本号
修订版0.0
修订版0.1
历史
- 初始文件。
- 更新引脚详细描述。 （ M2 = VDDQ -> M2 = VDD ）
- 添加的交流特性。 （ 250MHZ ， 166MHZ ）
- 更新DC特性
X36 ：我
DD25
：待定-> 370 ，我
DD20
-> 340 ，我
DD16
-> 320 。
X18 ：我
DD25
：待定-> 360 ，我
DD20
-> 330 ，我
DD16
-> 310 。
- 最终版本
- 添加单端或差分时钟LVTTL输入时钟评论。
- 改变AC特性
tKHQV ： 25 - 为2.5ns ， 20 - 2.7ns
草案日期
五月。 2002年
2002年10月
备注
初步
初步
修订版0.2
2003年1月
初步
1.0版
修订版1.1
修订版1.2
2003年6月
2003年7月
2003年7月
最终科幻
最终科幻
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复的参数要求和问题
此设备的。如果您有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或cortact总部。
-1-
2003年7月
修订版1.2
K7P403622B
K7P401822B
128Kx36 & 256Kx18 SRAM
128Kx36 & 256Kx18同步SRAM流水线
特点
128Kx36或256Kx18组织。
3.3V V
DD
, 2.5/3.3V V
DDQ
.
LVTTL输入和输出电平。
差分， PECL时钟/单端或差分LVTTL
时钟输入
同步读取和写入操作。
注册的输入和输出注册。
内部管道阀门类，以支持延迟写。
字节写入能力（ 4字节写选择，每个9bits ）
同步或异步输出使能。
通过ZZ信号掉电模式。
JTAG边界扫描（ IEEE标准的子集， 1149.1 ） 。
119 （ 7x17 ）引脚球栅阵列封装（ 14mmx22mm ） 。
组织
128Kx36
128Kx36
128Kx36
256Kx18
256Kx18
256Kx18
产品型号
K7P403622B-HC25
K7P403622B-HC20
K7P403622B-HC16
K7P401822B-HC25
K7P401822B-HC20
K7P401822B-HC16
最大
频率
250MHz
200MHz
166MHz
250MHz
200MHz
166MHz
ACCESS
时间
2.5
2.7
3.0
2.5
2.7
3.0
功能框图
SA [ 0:16 ]
或[ 0:17 ]
时钟
卜FF器
写
地址
注册
17或18
17或18
读
地址
注册
2:1
MUX
十二月
数据输出
36或18
S / A阵列
36或18
36或18
MUX0
36或18
方式
SS
SW
ZZ
G
国内
时钟
发电机
OE
36或18
控制
注册
控制
逻辑
E
DATA IN
注册
（ 2级）
36或18
存储阵列
128Kx36
256Kx18
K,K
DATA IN
36或18
W / D
ARRAY
数据输出
注册
36或18
36或18
XDIN
DQ
引脚说明
引脚名称
K, K
圣
DQN
SS
SW
SWA
SWB
SWC
社署
M
1
, M
2
引脚说明
差分时钟
同步地址输入
双向数据总线
同步选择
全球同步的写使能
同步字节写使能
同步字节B写使能
同步字节C编写启用
同步字节d写使能
阅读协议模式引脚（M
1
=V
SS
, M
2
=V
DD
)
引脚名称
ZZ
G
TCK
TMS
TDI
TDO
V
DD
V
DDQ
V
SS
NC
引脚说明
异步掉电
异步输出使能
JTAG测试时钟
JTAG测试模式选择
JTAG测试数据输入
JTAG测试数据输出
电源
输出电源
GND
无连接
-2-
2003年7月
修订版1.2
K7P403622B
K7P401822B
封装引脚配置
（ TOP VIEW ）
K7P403622B(128Kx36)
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQC
8
DQC
6
V
DDQ
DQC
3
DQC
1
V
DDQ
DQD
1
DQD
3
V
DDQ
DQD
6
DQD
8
NC
NC
V
DDQ
2
SA
13
NC
SA
12
DQC
9
DQC
7
DQC
5
DQC
4
DQC
2
V
DD
DQD
2
DQD
4
DQD
5
DQD
7
DQD
9
SA
15
NC
TMS
3
SA
10
SA
9
SA
11
V
SS
V
SS
V
SS
SWC
V
SS
NC
V
SS
社署
V
SS
V
SS
V
SS
M
1
SA
14
TDI
4
NC
NC
V
DD
NC
SS
G
NC
NC
V
DD
K
K
SW
SA
16
SA
0
V
DD
SA
1
TCK
128Kx36 & 256Kx18 SRAM
5
SA
7
SA
8
SA
6
V
SS
V
SS
V
SS
SWB
V
SS
NC
V
SS
SWA
V
SS
V
SS
V
SS
M
2
SA
3
TDO
6
SA
4
NC
SA
5
DQB
9
DQB
7
DQB
5
DQB
4
DQB
2
V
DD
DQA
2
DQA
4
DQA
5
DQA
7
DQA
9
SA
2
NC
NC
7
V
DDQ
NC
NC
DQB
8
DQB
6
V
DDQ
DQB
3
DQB
1
V
DDQ
DQA
1
DQA
3
V
DDQ
DQA
6
DQA
8
NC
ZZ
V
DDQ
K7P401822B(256Kx18)
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQB
1
NC
V
DDQ
NC
DQB
4
V
DDQ
NC
DQB
6
V
DDQ
DQB
8
NC
NC
NC
V
DDQ
2
SA
13
NC
SA
12
NC
DQB
2
NC
DQB
3
NC
V
DD
DQB
5
NC
DQB
7
NC
DQB
9
SA
15
SA
17
TMS
3
SA
10
SA
9
SA
11
V
SS
V
SS
V
SS
SWB
V
SS
NC
V
SS
NC
V
SS
V
SS
V
SS
M
1
SA
14
TDI
4
NC
NC
V
DD
NC
SS
G
NC
NC
V
DD
K
K
SW
SA
16
SA
1
V
DD
NC
TCK
5
SA
7
SA
8
SA
6
V
SS
V
SS
V
SS
NC
V
SS
NC
V
SS
SWA
V
SS
V
SS
V
SS
M
2
SA
3
TDO
6
SA
4
NC
SA
5
DQA
9
NC
DQA
7
NC
DQA
5
V
DD
NC
DQA
3
NC
DQA
2
NC
SA
2
SA
0
NC
7
V
DDQ
NC
NC
NC
DQA
8
V
DDQ
DQA
6
NC
V
DDQ
DQA
4
NC
V
DDQ
NC
DQA
1
NC
ZZ
V
DDQ
-3-
2003年7月
修订版1.2
K7P403622B
K7P401822B
功能说明
128Kx36 & 256Kx18 SRAM
该K7P403622B和K7P401822B是4718592位同步管道模式SRAM器件。他们被组织为131,072
由36位K7P403622B和262,144言字由18位K7P401822B ，采用了三星先进的CMOS制造
技术。
单差分PECL电平K时钟或单端或差分时钟LVTTL用于启动读/写操作，所有
内部操作是自定时的。在K时钟，地址，写入启用的上升沿同步选择和数据项都稳压
内部istered 。奏数据从输出寄存器更新，日K时钟的下一个上升沿。内部写入数据缓冲区允许
写入数据的地址和控制之后跟着一个周期。该包是119 （ 7x17 ）与上1.27mm间距球球栅阵列。
读操作
在读操作，地址和控制是在K时钟的第一个上升沿注册，则内部数组
K时钟的第一和第二边缘之间的读出。数据输出从输出寄存器更新关闭K时钟的第二个上升沿。
在连续的读操作，其中的地址是相同的，该数据输出，必须保持恒定，而没有任何毛刺。这
特性是因为SRAM中将由设备读取，将操作比SRAM的频率慢，并且需要多
的PLE SRAM的周期来执行一个读取操作。
写操作（延迟写入）
在写入操作期间，地址和控制被登记在K个时钟和数据输入的第一个上升沿被登记在
下面K时钟上升沿。写地址和数据的输入被存储在数据寄存器中，直到下一个写操作，并且
仅在下一写入opeation完全写入到SRAM阵列的数据输入端。 [：为d的]和使用SW被支持字节写入操作
SW的定时[ A：D ]是相同的SW信号。
旁路读操作
当随后读操作的最后一个写操作，其中写入和读出地址发生旁路读操作
相同的。对于这种情况，数据输出是由在寄存器代替SRAM阵列中的数据。旁路读取操作发生在一个字节
字节的基础。如果只有一个字节的写操作期间写入，但在读操作时需要对同一个地址，一个局部旁路
发生读操作，因为在新的字节数据是从在寄存器中的数据，而remaing字节是从SRAM阵列。
睡眠模式
休眠模式是通过将异步ZZ引脚为高电平启动低功耗模式。在睡眠模式下，所有其他输入将被忽略
和产出被带到一个高阻抗状态。睡眠模式电流和输出高阻在指定的睡眠后保证
模式的启用时间。在睡眠模式下的存储器阵列的数据内容将被保留。休眠模式下不能启动，直至毕竟
挂起的操作已经完成，因为任何挂起的操作将无法保证，一旦睡眠模式启动。正常操作
令可以通过将ZZ引脚为低电平可以恢复，但只有指定的睡眠模式恢复的时间后。
模式控制
有两种控制模式选择引脚（M
1
和M
2
）用于设置读取正确的协议。该SRAM支持单时钟流水线
操作模式。为了正确指定的设备运行，男
1
必须连接到V
SS
和M
2
必须连接到V
DD
。这些
模式引脚必须设置在上电时，必须在器件工作期间不发生变化。
上电/掉电电源电压序列
下面的电电源电压序列建议： V
SS
, V
DD
, V
DDQ
和V
IN
. V
DD
和V
DDQ
可以应用simulta-
neously ，只要V
DDQ
不超过V
DD
超过电期间0.5V 。下面掉电电源电压
拆除顺序建议： V
IN
, V
REF
, V
DDQ
, V
DD
, V
SS
. V
DD
和V
DDQ
可同时被除去，只要V
DDQ
不超过V
DD
通过以上的过程中掉电0.5V 。
-4-
2003年7月
修订版1.2
K7P403622B
K7P401822B
真值表
K
X
X
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
ZZ
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
G
X
H
L
L
X
X
X
X
X
X
SS
X
X
H
L
L
L
L
L
L
L
SW
X
X
X
H
L
L
L
L
L
L
SWA
X
X
X
X
H
L
H
H
H
L
SWB
X
X
X
X
H
H
L
H
H
L
SWC
X
X
X
X
H
H
H
L
H
L
社署
X
X
X
X
H
H
H
H
L
L
DQA
高阻
高阻
高阻
128Kx36 & 256Kx18 SRAM
DQB
高阻
高阻
高阻
DQC
高阻
高阻
高阻
DQD
高阻
高阻
高阻
手术
掉电模式。无操作
输出禁用。
输出禁用。无操作
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
OUT
读周期
高阻
D
IN
高阻
高阻
高阻
D
IN
高阻
高阻
D
IN
高阻
高阻
D
IN
高阻
高阻
高阻
D
IN
高阻
D
IN
高阻
高阻
高阻
高阻
D
IN
D
IN
写入任何字节
写一个字节
写第二个字节
写第三个字节
写第四个字节
写的所有字节
记
：K & K的补充
绝对最大额定值
参数
内核电源电压相对于V
SS
输出电源电压相对于V
SS
任何I / O引脚相对于V电压
SS
输出短路电流
工作温度
储存温度
符号
V
DD
V
DDQ
V
TERM
I
OUT
T
OPR
T
英镑
价值
-0.3 4.6
V
DD
-0.3到V
DD
+0.3
25
0到70
-65到150
单位
V
V
V
mA
°C
°C
记
记
：应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个额定值
并且该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
参数
核心供电电压
输出电源电压（ 2.5V I / O）
输出电源电压（ 3.3V I / O）
输入高电平（ 2.5V的I / O）
输入低电平（ 2.5V的I / O）
输入高电平（ 3.3V的I / O）
输入低电平（ 3.3V的I / O）
PECL时钟输入高电平
PECL时钟输入低电平
时钟输入信号电压
时钟输入差分电压
时钟输入共模电压
工作结温
记
1.对于操作与差分PECL时钟输入。
2.对于操作用单端或差分LVCMOS / LVTTL时钟输入。
符号
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
-PECL
V
IL
-PECL
V
IN
V
DIF
至CLK
V
CM
至CLK
T
J
民
3.15
2.375
3.135
1.7
-0.3
2.0
-0.3
2.135
1.490
-0.3
0.2
1.1
10
典型值
3.3
2.5
3.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
3.45
2.9
3.6
V
DD
+0.3
0.7
V
DD
+0.3
0.8
2.420
1.825
3.45
V
DD
+0.6
2.1
110
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
记
1
1
2
2
2
-5-
2003年7月
修订版1.2
查看更多K7P403622B-HC20PDF信息
推荐型号
K6R1008V1D-JI08
K9F5608R0D
K8D638UTM-DC07
KA-3528SYC
KSM-954TM4Y
K8D638UTM-YC09
KA5H0380RTU
KA5H0380R-TU
KM1101RRWCQ
KF24
KID65001AP
KIC7S08FU
K4H1G0438A-TCA0
KSC3502E
KIM684000L-5L
KIA7042AP
K4C89093AF-GIF6
KUHP-5A51-24
K7R321882M
KA1L0365R
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    K7P403622B-HC20
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
K7P403622B-HC20
SAMSUNG/三星
2406+
86
BGA
十年芯路！坚持原装正品！
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1184826453 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
K7P403622B-HC20
SAMSUNG
20+
4643
BGA
原装公司新到现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
K7P403622B-HC20
SAMSUNG/三星
2443+
23000
BGA
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
K7P403622B-HC20
SAMSUNG/三星
24+
8640
BGA
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
K7P403622B-HC20
SAMSUNG
25+23+
13050
BGA
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
深圳诚思涵科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ：2748708193 复制
电话：0755-83015506-23947236
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
K7P403622B-HC20
SAMSUNG/三星
24+
9850
BGA
100%原装正品，可长期订货
深圳市深科创科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3350142453 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885393564 复制

电话：0755-83247290
联系人：吴先生/吴小姐/李小姐
地址：深圳市福田区航都大厦17F1
K7P403622B-HC20
SAMSUNG
23+
4650
原厂原封装
绝对进口原装，公司现货
深圳市华斯顿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777607/83777708/82799993
联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
K7P403622B-HC20
SAMSUNG
25+23+
12500
BGA
绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
深圳市毅创腾电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2355507163 复制 点击这里给我发消息 QQ：2355507165 复制

电话：755-83616256 // 83210909
联系人：王小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室（亚太地区XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿特拉）专业分销商！)
K7P403622B-HC20
SAMSUNG
22+
4921
BGA
★★公司优势库存热卖★全新原装！欢迎来电
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
K7P403622B-HC20
SAMSUNG/三星
2024
20918
BGA
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
查询更多K7P403622B-HC20供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！