K7N803601B
K7N801801B
文档标题
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
256Kx36 & 512Kx18位流水线NtRAM
TM
修订历史
版本号
0.0
0.1
0.2
1.0
历史
1.初始文件。
1.添加X32有机组成部分和工业温度部分
1.更改扫描顺序（ 1 ）的形式来4T 6T在119BGA （ X18 ）
1.最终规范发布
2.更改我
SB2
形式50毫安至60mA
更改订购信息（删除225MHz新台币流水线）
1.删除119BGA包
1.删除X32组织
草案日期
五月。 18. 2001
8月11日2001年
8月28日0.2001
11月16日2001年
备注
初步
初步
初步
最终科幻
2.0
2.1
3.0
四月。 01. 2002年
四月。 04. 2003
11月17日2003
最终科幻
最终科幻
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
2003年11月
修订版3.0
K7N803601B
K7N801801B
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
8MB NtRAM （流量通过/流水线）订购信息
组织。
产品型号
K7M801825B-QC(I)65/75
K7N801801B-QC(I)16/13
512Kx18 K7N801809B - QC （一） 25
K7N801845B-QC(I)16/13
K7N801849B-QC(I)25
K7M803625B-QC(I)65/75
K7N803601B-QC(I)16/13
256Kx36 K7N803609B - QC （一） 25
K7N803645B-QC(I)16/13
K7N803649B-QC(I)25
模式
流穿
流水线
流水线
流水线
流水线
流穿
流水线
流水线
流水线
流水线
VDD
3.3
3.3
3.3
2.5
2.5
3.3
3.3
3.3
2.5
2.5
速度
FT ;访问时间（纳秒）
流水线;周期时间（ MHz）的
6.5 / 7.5纳秒
133分之167兆赫
250兆赫
133分之167兆赫
250MHz
6.5 / 7.5纳秒
133分之167兆赫
250兆赫
133分之167兆赫
250兆赫
Q:
100TQFP
C:
广告
温度
范围
I:
产业
温度
范围
PKG
温度
-2-
2003年11月
修订版3.0
K7N803601B
K7N801801B
特点
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
256Kx32 & 256Kx36 & 512Kx18位流水线NtRAM
TM
概述
该K7N803601B和K7N801801B是
9437184位同步静态的SRAM 。
该NtRAM
TM
或者没有转机随机存取存储器泌尿道感染
lizes经营周期的任意组合的所有带宽。
除了输出地址，数据输入，并且所有的控制信号
启用和线性脉冲串顺序被同步到的输入时钟。
突发为了控制必须连接"High或Low" 。
异步输入包括所述睡眠模式启动（ ZZ） 。
输出使能控制在任何给定时刻的输出。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
芯片的写入脉冲生成
并且提供了用于输入信号增加的定时的灵活性。
对于读周期，流水线SRAM的输出数据暂时
由边缘存储的触发输出寄存器，然后释放
到输出缓冲器，在时钟的下一个上升沿。
该K7N803601B和K7N801801B与实现
三星的高性能CMOS技术，是可用
能够在100PIN TQFP和多电源和地引脚微型
迈兹地反弹。
3.3V + 0.165V / -0.165V电源。
I / O电源电压3.3V + 0.165V / -0.165V用于3.3VI / O
或+ 2.5V 0.4V / -0.125V为2.5V的I / O 。
字节写入功能。
启用时钟和暂停操作。
单读/写控制引脚。
自定时写周期。
三个芯片使能进行简单的深度扩展，没有数据
争。
Α
交错爆裂或线性突发模式。
异步输出使能控制。
掉电模式。
100 - TQFP- 1420A
工作在商用和工业温度范围。
快速访问TIMES
参数
周期
时钟存取时间
输出启用访问时间
符号
t
CYC
t
CD
t
OE
-16
6.0
3.5
3.5
-13
7.5
4.2
3.8
单位
ns
ns
ns
逻辑框图
A [ 0:17 ]或
A [0:18]
LBO
地址
注册
A
2
~A
17
或A2 A18
A
0
~A
1
BURST
地址
计数器
A′
0
~A′
1
256Kx36 ， 512Kx18
内存
ARRAY
CLK
CKE
K
写
地址
注册
写
地址
注册
控制
逻辑
K
数据在
注册
数据在
注册
K
CS
1
CS
2
CS
2
ADV
WE
BW
x
（ X = A ，B，C ， d或一，二）
OE
ZZ
DQA
0
DQD
7
或DQa0 DQb8
DQPa DQPd
36或18
控制
注册
控制
逻辑
K
产量
注册
卜FF器
NtRAM
TM
并没有周转随机存取存储器是三星的商标。
其体系结构和功能由NEC和东芝的支持。
-3-
2003年11月
修订版3.0
K7N803601B
K7N801801B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
BWD
BWB
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
BWA
BWC
CKE
ADV
北卡罗来纳州
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
V
DD
V
SS
WE
A
6
A
17
83
OE
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
10
A
12
A
13
A
14
A
15
LBO
V
DD
引脚名称
符号
A
0
- A
17
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
DQA
0
~a
7
DQB
0
~b
7
DQC
0
~c
7
DQD
0
~d
7
DQPa P
d
V
DDQ
V
SSQ
引脚名称
TQFP PIN NO 。
32,33,34,35,36,37,44
45,46,47,48,49,50,81
82,83,99,100
85
ADV
地址前进/负载
WE
读/写控制输入88
89
时钟
CLK
87
时钟使能
CKE
98
芯片选择
CS
1
97
芯片选择
CS
2
92
芯片选择
CS
2
93,94,95,96
BWX （ X = A，B ， C，D ）字节写入输入
86
OUTPUT ENABLE
OE
64
功耗的睡眠模式
ZZ
31
突发模式控制
LBO
电源（ + 3.3V ） 14,15,16,41,65,66,91
17,40,67,90
地
38,39,42,43,84
无连接
数据输入/输出
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
A
11
输出电源4,11,20,27,54,61,70,77
（ 3.3V或2.5V ）
5,10,21,26,55,60,71,76
输出地
注意事项：
1.引脚84为地址位为16Mb的NtRAM被保留。
2. A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位（ LSB），并设置内部突发计数器，如果脉冲串是期望的。
-4-
A
16
50
DQPc
DQC
0
DQC
1
V
DDQ
V
SSQ
DQC
2
DQC
3
DQC
4
DQC
5
V
SSQ
V
DDQ
DQC
6
DQC
7
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
DQD
0
DQD
1
V
DDQ
V
SSQ
DQD
2
DQD
3
DQD
4
DQD
5
V
SSQ
V
DDQ
DQD
6
DQD
7
DQPd
84
81
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7N803601B(256Kx36)
K7N803201B(256Kx32)
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQPb
DQB
7
DQB
6
V
DDQ
V
SSQ
DQB
5
DQB
4
DQB
3
DQB
2
V
SSQ
V
DDQ
DQB
1
DQB
0
V
SS
V
DD
V
DD
ZZ
DQA
7
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
5
DQA
4
DQA
3
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
1
DQA
0
DQPa
2003年11月
修订版3.0
K7N803601B
K7N801801B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
BWB
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
BWA
CKE
ADV
CS
2
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
CLK
CS
1
CS
2
V
DD
V
SS
WE
A
6
A
18
83
OE
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
LBO
V
DD
引脚名称
符号
A
0
- A
18
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
引脚名称
电源（ + 3.3V ）
地
无连接
TQFP PIN NO 。
14,15,16,41,65,66,91
17,40,67,90
1,2,3,6,7,25,28,29,30,
38,39,42,43,51,52,53,
56,57,75,78,79,84,95,96
58,59,62,63,68,69,72,73,74
8,9,12,13,18,19,22,23,24
32,33,34,35,36,37,44
45,46,47,48,49,50,80
81,82,83,99,100
85
地址前进/负载
ADV
读/写控制输入88
WE
89
时钟
CLK
87
时钟使能
CKE
98
芯片选择
CS
1
97
芯片选择
CS
2
92
芯片选择
CS
2
93,94
BWX （ X = A，B ）字节写输入
86
OUTPUT ENABLE
OE
64
功耗的睡眠模式
ZZ
31
突发模式控制
LBO
A
11
DQA
0
~a
8
DQB
0
~b
8
数据输入/输出
A
17
50
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
DQB
8
DQB
7
V
SSQ
V
DDQ
DQB
6
DQB
5
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
DQB
4
DQB
3
V
DDQ
V
SSQ
DQB
2
DQB
1
DQB
0
北卡罗来纳州
V
SSQ
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7N801801B(512Kx18)
A
10
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQA
0
DQA
1
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
3
DQA
4
V
SS
V
DD
V
DD
ZZ
DQA
5
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
7
DQA
8
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SSQ
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
输出电源
（ 3.3V或2.5V ）
输出地
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
注意事项：
1.引脚84为地址位为16Mb的NtRAM被保留。
2. A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位（ LSB），并设置内部突发计数器，如果脉冲串是期望的。
-5-
2003年11月
修订版3.0
K7N803645B
K7N801845B
文档标题
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
256Kx36 & 512Kx18位流水线NtRAM
TM
修订历史
版本号
0.0
0.1
0.2
1.0
历史
1.初始文件。
1.添加X32有机组成部分和工业温度部分
1.更改扫描顺序（ 1 ）的形式来4T 6T在119BGA （ X18 ）
1.最终规范发布
2.更改我
SB1
形式80毫安为100mA
3.更改我
SB2
形式40毫安至60mA
更改订购信息（删除225MHz新台币流水线）
1.删除119BGA包
1.删除X32组织
草案日期
五月。 18. 2001
8月11日2001年
8月28日2001年
11月16日2001年
备注
初步
初步
初步
最终科幻
2.0
2.1
3.0
四月。 01. 2002年
四月。 04. 2003
11月17日2003
最终科幻
最终科幻
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
2003年11月
修订版3.0
K7N803645B
K7N801845B
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
8MB NtRAM （流量通过/流水线）订购信息
组织。
产品型号
K7M801825B-QC(I)65/75
K7N801801B-QC(I)16/13
512Kx18 K7N801809B - QC （一） 25
K7N801845B-QC(I)16/13
K7N801849B-QC(I)25
K7M803625B-QC(I)65/75
K7N803601B-QC(I)16/13
256Kx36 K7N803609B - QC （一） 25
K7N803645B-QC(I)16/13
K7N803649B-QC(I)25
模式
流穿
流水线
流水线
流水线
流水线
流穿
流水线
流水线
流水线
流水线
VDD
3.3
3.3
3.3
2.5
2.5
3.3
3.3
3.3
2.5
2.5
速度
FT ;访问时间（纳秒）
流水线;周期时间（ MHz）的
6.5 / 7.5纳秒
133分之167兆赫
250兆赫
133分之167兆赫
250MHz
6.5 / 7.5纳秒
133分之167兆赫
250兆赫
133分之167兆赫
250兆赫
Q:
100TQFP
C:
广告
温度
范围
I:
产业
温度
范围
PKG
温度
-2-
2003年11月
修订版3.0
K7N803645B
K7N801845B
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
256Kx36 & 512Kx18位流水线NtRAM
TM
特点
2.5V
±5%
电源。
字节写入功能。
启用时钟和暂停操作。
单读/写控制引脚。
自定时写周期。
三个芯片使能进行简单的深度扩展，没有数据
争。
Α
交错爆裂或线性突发模式。
异步输出使能控制。
掉电模式。
TTL电平的三态输出。
100-TQFP-1420A
操作中commeical和工业温度范围。
概述
该K7N803645B和K7N801845B是9437184位同步
异步的静态的SRAM 。
该NtRAM
TM
或无周转随机存取存储器
利用在工作中任意组合的所有带宽
周期。
除了输出地址，数据输入，并且所有的控制信号
启用和线性脉冲串顺序被同步到的输入时钟。
突发为了控制必须连接"High或Low" 。
异步输入包括所述睡眠模式启动（ ZZ） 。
输出使能控制在任何给定时刻的输出。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
芯片的写入脉冲生成
并且提供了用于输入信号增加的定时的灵活性。
对于读周期，流水线SRAM的输出数据暂时
由边缘存储的触发输出寄存器，然后释放
到输出缓冲器，在时钟的下一个上升沿。
该K7N803645B和K7N801845B与实现
三星的高性能CMOS技术，是
在100PIN TQFP和多电源和地引脚可用
尽量减少地面反弹。
快速访问TIMES
参数
周期
时钟存取时间
输出启用访问时间
符号
t
CYC
t
CD
t
OE
-16
6.0
3.5
3.5
-13
7.5
4.2
3.8
单位
ns
ns
ns
逻辑框图
A [ 0:17 ]或
A [0:18]
LBO
地址
注册
A
2
~A
17
OR A
2
~A
18
A
0
~A
1
BURST
地址
计数器
A′
0
~A′
1
256Kx36 ， 512Kx18
内存
ARRAY
CLK
CKE
K
写
地址
注册
写
地址
注册
控制
逻辑
K
数据在
注册
数据在
注册
K
CS
1
CS
2
CS
2
ADV
WE
BW
x
（ X = A ，B，C ， d或一，二）
OE
ZZ
DQA
0
DQD
7
或DQA
0
DQB
8
DQPa DQPd
36或18
控制
注册
控制
逻辑
K
产量
注册
卜FF器
NtRAM
TM
并没有周转随机存取存储器是三星的商标。
其体系结构和功能由NEC和东芝的支持。
-3-
2003年11月
修订版3.0
K7N803645B
K7N801845B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
BWD
BWB
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
BWA
BWC
CKE
ADV
北卡罗来纳州
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
V
DD
V
SS
WE
A
6
A
17
83
OE
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
10
A
12
A
13
A
14
A
15
LBO
V
DD
引脚名称
符号
A
0
- A
17
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
32,33,34,35,36,37,
44,45,46,47,48,49,
50,81,82,83,99,100
85
88
89
87
98
97
92
93,94,95,96
86
64
31
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
DQA
0
~a
7
DQB
0
~b
7
DQC
0
~c
7
DQD
0
~d
7
DQPa P
d
V
DDQ
V
SSQ
引脚名称
电源（ + 2.5V ）
地
无连接
数据输入/输出
TQFP PIN NO 。
14,15,16,41,65,66,91
17,40,67,90
38,39,42,43,84
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
ADV
WE
CLK
CKE
CS
1
CS
2
CS
2
BWX
OE
ZZ
LBO
地址前进/负载
读/写控制输入
时钟
时钟使能
芯片选择
芯片选择
芯片选择
字节写输入
OUTPUT ENABLE
功耗的睡眠模式
突发模式控制
注意事项：
1.引脚84为地址位为16Mb的NtRAM被保留。
2. A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位（ LSB），并设置内部突发计数器，如果脉冲串是期望的。
-4-
A
11
输出电源
(+2.5V)
输出地
A
16
50
DQPc
DQC
0
DQC
1
V
DDQ
V
SSQ
DQC
2
DQC
3
DQC
4
DQC
5
V
SSQ
V
DDQ
DQC
6
DQC
7
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
DQD
0
DQD
1
V
DDQ
V
SSQ
DQD
2
DQD
3
DQD
4
DQD
5
V
SSQ
V
DDQ
DQD
6
DQD
7
DQPd
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7N803645B(256Kx36)
DQPb
DQB
7
DQB
6
V
DDQ
V
SSQ
DQB
5
DQB
4
DQB
3
DQB
2
V
SSQ
V
DDQ
DQB
1
DQB
0
V
SS
V
DD
V
DD
ZZ
DQA
7
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
5
DQA
4
DQA
3
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
1
DQA
0
DQPa
2003年11月
修订版3.0
K7N803645B
K7N801845B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
BWB
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
BWA
CKE
ADV
CS
2
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
CLK
CS
1
CS
2
V
DD
V
SS
WE
A
6
A
18
83
OE
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
LBO
V
DD
引脚名称
符号
A
0
- A
18
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
32,33,34,35,36,37,
44,45,46,47,48,49,50,
80,81,82,83,99,100
85
88
89
87
98
97
92
93,94
86
64
31
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
引脚名称
电源（ + 2.5V ）
地
无连接
TQFP PIN NO 。
14,15,16,41,65,66,91
17,40,67,90
1,2,3,6,7,25,28,29,30,
38,39,42,43,51,52,53,
56,57,75,78,79,84,95,96
58,59,62,63,68,69,72,73,74
8,9,12,13,18,19,22,23,24
ADV
WE
CLK
CKE
CS
1
CS
2
CS
2
BWX
OE
ZZ
LBO
地址前进/负载
读/写控制输入
时钟
时钟使能
芯片选择
芯片选择
芯片选择
字节写输入
OUTPUT ENABLE
功耗的睡眠模式
突发模式控制
A
11
DQA
0
~a
8
DQB
0
~b
8
数据输入/输出
A
17
50
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
DQB
8
DQB
7
V
SSQ
V
DDQ
DQB
6
DQB
5
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
DQB
4
DQB
3
V
DDQ
V
SSQ
DQB
2
DQB
1
DQB
0
北卡罗来纳州
V
SSQ
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7N801845B(512Kx18)
A
10
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQA
0
DQA
1
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
3
DQA
4
V
SS
V
DD
V
DD
ZZ
DQA
5
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
7
DQA
8
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SSQ
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
输出电源
(+2.5V)
输出地
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
注意事项：
1.引脚84为地址位为16Mb的NtRAM被保留。
2. A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位（ LSB），并设置内部突发计数器，如果脉冲串是期望的。
-5-
2003年11月
修订版3.0
K7M803625B
K7M801825B
文档标题
256Kx36 & 512Kx18流通型NtRAM
TM
256Kx36 & 512Kx18位流经NtRAM
TM
修订历史
版本号
0.0
0.1
0.2
1.0
历史
1.初始文件。
1.添加X32有机组成部分和工业温度部分
1.更改扫描顺序（ 1 ）的形式来4T 6T在119BGA （ X18 ）
1.最终规范发布
2.更改我
SB2
形式50毫安至60mA
更改订购信息（删除225MHz新台币流水线）
1.删除119BGA包
1.删除X32组织
2.拆下-85速度斌
草案日期
五月。 18. 2001
8月11日2001年
8月28日2001年
11月16日2001年
备注
初步
初步
初步
最终科幻
2.0
2.1
3.0
四月。 01. 2002年
四月。 04. 2003
11月17日2003
最终科幻
最终科幻
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
2003年11月
修订版3.0
K7M803625B
K7M801825B
256Kx36 & 512Kx18流通型NtRAM
TM
8MB NtRAM （流量通过/流水线）订购信息
组织。
产品型号
K7M801825B-QC(I)65/75
K7N801801B-QC(I)16/13
512Kx18 K7N801809B - QC （一） 25
K7N801845B-QC(I)16/13
K7N801849B-QC(I)25
K7M803625B-QC(I)65/75
K7N803601B-QC(I)16/13
256Kx36 K7N803609B - QC （一） 25
K7N803645B-QC(I)16/13
K7N803649B-QC(I)25
模式
流穿
流水线
流水线
流水线
流水线
流穿
流水线
流水线
流水线
流水线
VDD
3.3
3.3
3.3
2.5
2.5
3.3
3.3
3.3
2.5
2.5
速度
FT ;访问时间（纳秒）
流水线;周期时间（ MHz）的
6.5 / 7.5纳秒
133分之167兆赫
250兆赫
133分之167兆赫
250MHz
6.5 / 7.5纳秒
133分之167兆赫
250兆赫
133分之167兆赫
250兆赫
Q:
100TQFP
C:
广告
温度
范围
I:
产业
温度
范围
PKG
温度
-2-
2003年11月
修订版3.0
K7M803625B
K7M801825B
特点
256Kx36 & 512Kx18流通型NtRAM
TM
256Kx36 & 512Kx18位流经NtRAM
TM
概述
该K7M803625B和K7M801825B是
9437184位同步静态的SRAM 。
该NtRAM
TM
或者没有转机随机存取存储器泌尿道感染
lizes经营周期的任意组合的所有带宽。
除了输出地址，数据输入，并且所有的控制信号
启用和线性脉冲串顺序被同步到的输入时钟。
突发为了控制必须连接"High或Low" 。
异步输入包括所述睡眠模式启动（ ZZ） 。
输出使能控制在任何给定时刻的输出。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的片
写脉冲的产生
并且提供了用于输入信号增加的定时的灵活性。
对于读周期，流通型SRAM中允许将数据输出到
简单地从存储器阵列自由流动。
该K7M803625B和K7M801825B与实现
三星的高性能CMOS技术，是可用
能够在100PIN TQFP和多电源和地引脚微型
迈兹地反弹。
3.3V + 0.165V / -0.165V电源。
I / O电源电压3.3V + 0.165V / -0.165V用于3.3VI / O
或+ 2.5V 0.4V / -0.125V为2.5V的I / O
字节写入功能。
Εnable
时钟和暂停操作。
单读/写控制引脚。
自定时写周期。
三个芯片使能进行简单的深度扩展，没有数据
争。
一个交错爆裂或线性突发模式。
异步输出使能控制。
掉电模式。
TTL电平的三态输出。
100 - TQFP- 1420A
操作中commeical和工业温度范围。
快速访问TIMES
参数
周期
时钟存取时间
输出启用访问时间
符号
t
CYC
t
CD
t
OE
-65
7.5
6.5
3.5
-75机组
8.5
7.5
3.5
ns
ns
ns
逻辑框图
LBO
地址
注册
A
2
~A
17
OR A
2
~A
18
A
0
~A
1
BURST
地址
计数器
A [ 0:17 ]或
A [0:18]
A′
0
~A′
1
256Kx36 ， 512Kx18
内存
ARRAY
CLK
CKE
K
写
地址
注册
K
数据在
注册
控制
逻辑
CS
1
CS
2
CS
2
ADV
WE
BW
x
（ X = A ，B，C ， d或一，二）
OE
ZZ
DQA
0
DQD
7
或DQA
0
DQB
8
DQPa DQPd
控制
注册
控制
逻辑
卜FF器
36或18
NtRAM
TM
并没有周转随机存取存储器是三星的商标。
其体系结构和功能由NEC和东芝的支持。
-3-
2003年11月
修订版3.0
K7M803625B
K7M801825B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
BWD
256Kx36 & 512Kx18流通型NtRAM
TM
BWB
BWA
BWC
CKE
ADV
北卡罗来纳州
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
V
DD
V
SS
WE
A
6
A
17
83
OE
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
10
A
12
A
13
A
14
A
15
LBO
V
DD
引脚名称
符号
A
0
- A
17
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
DQA
0
~a
7
DQB
0
~b
7
DQC
0
~c
7
DQD
0
~d
7
DQPa P
d
V
DDQ
V
SSQ
引脚名称
TQFP PIN NO 。
32,33,34,35,36,37,44
45,46,47,48,49,50,81
82,83,99,100
85
地址前进/负载
ADV
读/写控制输入88
WE
89
时钟
CLK
87
时钟使能
CKE
98
芯片选择
CS
1
97
芯片选择
CS
2
92
芯片选择
CS
2
93,94,95,96
BWX （ X = A，B ， C，D ）字节写入输入
86
OUTPUT ENABLE
OE
64
功耗的睡眠模式
ZZ
31
突发模式控制
LBO
电源（ + 3.3V ） 15,16,41,65,91
14,17,40,66,67,90
地
38,39,42,43,84
无连接
数据输入/输出
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
A
11
输出电源4,11,20,27,54,61,70,77
（ 2.5V或3.3V ）
5,10,21,26,55,60,71,76
输出地
注意事项：
1.引脚84为地址位为16Mb的NtRAM被保留。
2. A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位（ LSB），并设置内部突发计数器，如果脉冲串是期望的。
-4-
A
16
50
DQPc
DQC
0
DQC
1
V
DDQ
V
SSQ
DQC
2
DQC
3
DQC
4
DQC
5
V
SSQ
V
DDQ
DQC
6
DQC
7
VSS
V
DD
V
DD
V
SS
DQD
0
DQD
1
V
DDQ
V
SSQ
DQD
2
DQD
3
DQD
4
DQD
5
V
SSQ
V
DDQ
DQD
6
DQD
7
DQPd
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7M803625B(256Kx36)
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQPb
DQB
7
DQB
6
V
DDQ
V
SSQ
DQB
5
DQB
4
DQB
3
DQB
2
V
SSQ
V
DDQ
DQB
1
DQB
0
V
SS
V
SS
V
DD
ZZ
DQA
7
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
5
DQA
4
DQA
3
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
1
DQA
0
DQPa
2003年11月
修订版3.0
K7M803625B
K7M801825B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
256Kx36 & 512Kx18流通型NtRAM
TM
BWB
BWA
CKE
ADV
CS
2
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
CLK
CS
1
CS
2
V
DD
V
SS
WE
A
6
A
18
83
OE
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
LBO
V
DD
引脚名称
符号
A
0
- A
18
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
32,33,34,35,36,37,44
45,46,47,48,49,50,80
81,82,83,99,100
85
88
89
87
98
97
92
93,94
86
64
31
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
引脚名称
电源（ + 3.3V ）
地
无连接
TQFP PIN NO 。
15,16,41,65,91
14,17,40,66,67,90
1,2,3,6,7,25,28,29,30,
38,39,42,43,51,52,53,
56,57,75,78,79,84,95,96
58,59,62,63,68,69,72,73,74
8,9,12,13,18,19,22,23,24
ADV
WE
CLK
CKE
CS
1
CS
2
CS
2
BWX （ X = A ，二）
OE
ZZ
LBO
地址前进/负载
读/写控制输入
时钟
时钟使能
芯片选择
芯片选择
芯片选择
字节写输入
OUTPUT ENABLE
功耗的睡眠模式
突发模式控制
A
11
DQA
0
~a
8
DQB
0
~b
8
数据输入/输出
A
17
50
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
DQB
8
DQB
7
V
SSQ
V
DDQ
DQB
6
DQB
5
V
SS
V
DD
V
DD
V
SS
DQB
4
DQB
3
V
DDQ
V
SSQ
DQB
2
DQB
1
DQB
0
北卡罗来纳州
V
SSQ
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7M801825B(512Kx18)
A
10
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQA
0
DQA
1
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
3
DQA
4
V
SS
V
SS
V
DD
ZZ
DQA
5
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
7
DQA
8
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SSQ
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
输出电源
（ 2.5V或3.3V ）
输出地
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
注意事项：
1.引脚84为地址位为16Mb的NtRAM被保留。
2. A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位（ LSB），并设置内部突发计数器，如果脉冲串是期望的。
-5-
2003年11月
修订版3.0
K7N803601B
K7N801801B
文档标题
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
256Kx36 & 512Kx18位流水线NtRAM
TM
修订历史
版本号
0.0
0.1
0.2
1.0
历史
1.初始文件。
1.添加X32有机组成部分和工业温度部分
1.更改扫描顺序（ 1 ）的形式来4T 6T在119BGA （ X18 ）
1.最终规范发布
2.更改我
SB2
形式50毫安至60mA
更改订购信息（删除225MHz新台币流水线）
1.删除119BGA包
1.删除X32组织
草案日期
五月。 18. 2001
8月11日2001年
8月28日0.2001
11月16日2001年
备注
初步
初步
初步
最终科幻
2.0
2.1
3.0
四月。 01. 2002年
四月。 04. 2003
11月17日2003
最终科幻
最终科幻
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
2003年11月
修订版3.0
K7N803601B
K7N801801B
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
8MB NtRAM （流量通过/流水线）订购信息
组织。
产品型号
K7M801825B-QC(I)65/75
K7N801801B-QC(I)16/13
512Kx18 K7N801809B - QC （一） 25
K7N801845B-QC(I)16/13
K7N801849B-QC(I)25
K7M803625B-QC(I)65/75
K7N803601B-QC(I)16/13
256Kx36 K7N803609B - QC （一） 25
K7N803645B-QC(I)16/13
K7N803649B-QC(I)25
模式
流穿
流水线
流水线
流水线
流水线
流穿
流水线
流水线
流水线
流水线
VDD
3.3
3.3
3.3
2.5
2.5
3.3
3.3
3.3
2.5
2.5
速度
FT ;访问时间（纳秒）
流水线;周期时间（ MHz）的
6.5 / 7.5纳秒
133分之167兆赫
250兆赫
133分之167兆赫
250MHz
6.5 / 7.5纳秒
133分之167兆赫
250兆赫
133分之167兆赫
250兆赫
Q:
100TQFP
C:
广告
温度
范围
I:
产业
温度
范围
PKG
温度
-2-
2003年11月
修订版3.0
K7N803601B
K7N801801B
特点
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
256Kx32 & 256Kx36 & 512Kx18位流水线NtRAM
TM
概述
该K7N803601B和K7N801801B是
9437184位同步静态的SRAM 。
该NtRAM
TM
或者没有转机随机存取存储器泌尿道感染
lizes经营周期的任意组合的所有带宽。
除了输出地址，数据输入，并且所有的控制信号
启用和线性脉冲串顺序被同步到的输入时钟。
突发为了控制必须连接"High或Low" 。
异步输入包括所述睡眠模式启动（ ZZ） 。
输出使能控制在任何给定时刻的输出。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
芯片的写入脉冲生成
并且提供了用于输入信号增加的定时的灵活性。
对于读周期，流水线SRAM的输出数据暂时
由边缘存储的触发输出寄存器，然后释放
到输出缓冲器，在时钟的下一个上升沿。
该K7N803601B和K7N801801B与实现
三星的高性能CMOS技术，是可用
能够在100PIN TQFP和多电源和地引脚微型
迈兹地反弹。
3.3V + 0.165V / -0.165V电源。
I / O电源电压3.3V + 0.165V / -0.165V用于3.3VI / O
或+ 2.5V 0.4V / -0.125V为2.5V的I / O 。
字节写入功能。
启用时钟和暂停操作。
单读/写控制引脚。
自定时写周期。
三个芯片使能进行简单的深度扩展，没有数据
争。
Α
交错爆裂或线性突发模式。
异步输出使能控制。
掉电模式。
100 - TQFP- 1420A
工作在商用和工业温度范围。
快速访问TIMES
参数
周期
时钟存取时间
输出启用访问时间
符号
t
CYC
t
CD
t
OE
-16
6.0
3.5
3.5
-13
7.5
4.2
3.8
单位
ns
ns
ns
逻辑框图
A [ 0:17 ]或
A [0:18]
LBO
地址
注册
A
2
~A
17
或A2 A18
A
0
~A
1
BURST
地址
计数器
A′
0
~A′
1
256Kx36 ， 512Kx18
内存
ARRAY
CLK
CKE
K
写
地址
注册
写
地址
注册
控制
逻辑
K
数据在
注册
数据在
注册
K
CS
1
CS
2
CS
2
ADV
WE
BW
x
（ X = A ，B，C ， d或一，二）
OE
ZZ
DQA
0
DQD
7
或DQa0 DQb8
DQPa DQPd
36或18
控制
注册
控制
逻辑
K
产量
注册
卜FF器
NtRAM
TM
并没有周转随机存取存储器是三星的商标。
其体系结构和功能由NEC和东芝的支持。
-3-
2003年11月
修订版3.0
K7N803601B
K7N801801B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
BWD
BWB
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
BWA
BWC
CKE
ADV
北卡罗来纳州
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
V
DD
V
SS
WE
A
6
A
17
83
OE
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
10
A
12
A
13
A
14
A
15
LBO
V
DD
引脚名称
符号
A
0
- A
17
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
DQA
0
~a
7
DQB
0
~b
7
DQC
0
~c
7
DQD
0
~d
7
DQPa P
d
V
DDQ
V
SSQ
引脚名称
TQFP PIN NO 。
32,33,34,35,36,37,44
45,46,47,48,49,50,81
82,83,99,100
85
ADV
地址前进/负载
WE
读/写控制输入88
89
时钟
CLK
87
时钟使能
CKE
98
芯片选择
CS
1
97
芯片选择
CS
2
92
芯片选择
CS
2
93,94,95,96
BWX （ X = A，B ， C，D ）字节写入输入
86
OUTPUT ENABLE
OE
64
功耗的睡眠模式
ZZ
31
突发模式控制
LBO
电源（ + 3.3V ） 14,15,16,41,65,66,91
17,40,67,90
地
38,39,42,43,84
无连接
数据输入/输出
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
A
11
输出电源4,11,20,27,54,61,70,77
（ 3.3V或2.5V ）
5,10,21,26,55,60,71,76
输出地
注意事项：
1.引脚84为地址位为16Mb的NtRAM被保留。
2. A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位（ LSB），并设置内部突发计数器，如果脉冲串是期望的。
-4-
A
16
50
DQPc
DQC
0
DQC
1
V
DDQ
V
SSQ
DQC
2
DQC
3
DQC
4
DQC
5
V
SSQ
V
DDQ
DQC
6
DQC
7
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
DQD
0
DQD
1
V
DDQ
V
SSQ
DQD
2
DQD
3
DQD
4
DQD
5
V
SSQ
V
DDQ
DQD
6
DQD
7
DQPd
84
81
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7N803601B(256Kx36)
K7N803201B(256Kx32)
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQPb
DQB
7
DQB
6
V
DDQ
V
SSQ
DQB
5
DQB
4
DQB
3
DQB
2
V
SSQ
V
DDQ
DQB
1
DQB
0
V
SS
V
DD
V
DD
ZZ
DQA
7
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
5
DQA
4
DQA
3
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
1
DQA
0
DQPa
2003年11月
修订版3.0
K7N803601B
K7N801801B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
BWB
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
BWA
CKE
ADV
CS
2
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
CLK
CS
1
CS
2
V
DD
V
SS
WE
A
6
A
18
83
OE
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
LBO
V
DD
引脚名称
符号
A
0
- A
18
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
引脚名称
电源（ + 3.3V ）
地
无连接
TQFP PIN NO 。
14,15,16,41,65,66,91
17,40,67,90
1,2,3,6,7,25,28,29,30,
38,39,42,43,51,52,53,
56,57,75,78,79,84,95,96
58,59,62,63,68,69,72,73,74
8,9,12,13,18,19,22,23,24
32,33,34,35,36,37,44
45,46,47,48,49,50,80
81,82,83,99,100
85
地址前进/负载
ADV
读/写控制输入88
WE
89
时钟
CLK
87
时钟使能
CKE
98
芯片选择
CS
1
97
芯片选择
CS
2
92
芯片选择
CS
2
93,94
BWX （ X = A，B ）字节写输入
86
OUTPUT ENABLE
OE
64
功耗的睡眠模式
ZZ
31
突发模式控制
LBO
A
11
DQA
0
~a
8
DQB
0
~b
8
数据输入/输出
A
17
50
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
DQB
8
DQB
7
V
SSQ
V
DDQ
DQB
6
DQB
5
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
DQB
4
DQB
3
V
DDQ
V
SSQ
DQB
2
DQB
1
DQB
0
北卡罗来纳州
V
SSQ
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7N801801B(512Kx18)
A
10
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQA
0
DQA
1
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
3
DQA
4
V
SS
V
DD
V
DD
ZZ
DQA
5
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
7
DQA
8
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SSQ
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
输出电源
（ 3.3V或2.5V ）
输出地
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
注意事项：
1.引脚84为地址位为16Mb的NtRAM被保留。
2. A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位（ LSB），并设置内部突发计数器，如果脉冲串是期望的。
-5-
2003年11月
修订版3.0
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